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公开(公告)号：KR1020140033569A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：KR1020120097283
申请日：2012-09-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: The present invention relates to green phosphor, a method for manufacturing the same, and a white LED including the same. The green phosphor is represented in the below chemical formula 1. In the above chemical formula, M stands for metal chosen among Ba, Sr, Ca, Mg, and Zn, or a group combined from the same. Re includes more than one rare earth element chosen among the rare earth elements coated with boron. X is above 0.01 and below 0.3.
Abstract translation: 本发明涉及绿色荧光体，其制造方法以及包含该荧光体的白色LED。 绿色荧光体在下述化学式1中表示。在上述化学式中，M表示选自Ba，Sr，Ca，Mg和Zn中的金属或与之组合的金属。 Re包含多于一种稀土元素，选自涂有硼的稀土元素。 X在0.01以上且0.3以下。
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公开(公告)号：KR101588531B1
公开(公告)日：2016-01-25
申请号：KR1020140096627
申请日：2014-07-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23F4/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32963
Abstract: 플라즈마식각공정의식각종료점검출방법이개시된다. 플라즈마식각공정의식각종료점검출방법은플라즈마식각공정에서발생되는플라즈마방출광을사용하여식각종료점을검출하는방법에있어서, (a) 상기플라즈마방출광의파장에따른강도에대한데이터들을제1 시간간격으로순차적으로제2 시간동안수집하는단계; (b) 수집된상기데이터들을이용하여 k-평균군집분석을수행하는단계; (c) 상기군집의유효성을평가하는단계; 및 (d) 상기군집의유효성평가결과에따라상기플라즈마식각공정의식각종료점의존재여부를판단하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于检测等离子体蚀刻工艺的终点的方法。 在等离子体蚀刻工艺中使用等离子体发射光检测终点的方法中，检测等离子体蚀刻工艺的终点的方法包括以下步骤：（a）收集关于根据波长的强度的数据 的等离子体发射光以第一时间间隔连续第二时间; （b）使用收集的数据进行k均值聚类分析; （c）评估集群的有效性; 和（d）根据集群的有效性评估结果确定等离子体蚀刻工艺的终点的存在。
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公开(公告)号：KR101529827B1
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020140073093
申请日：2014-06-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L22/26
Abstract: 플라즈마식각공정의식각종료점검출방법이개시된다. 본발명의실시예에따른플라즈마식각공정의식각종료점검출방법은 (a) 모델웨이퍼에대한플라즈마식각공정종료점까지의공정시간에따른제1 전압, 제1 전류및 제1 위상각각의제N차고조파들을상기식각공정종료점이후, 제1 시간까지측정하는단계; (b) 측정된제1 전압의제N차고조파들, 측정된제1 전류의제N차고조파들및 측정된제1 위상의제N차고조파들을이용하여상기제1 전압, 상기제1 전류및 상기제1 위상의제N차고조파들각각에대한제1 평균및 제1 표준편차를구하고, 상기제1 평균및 제1 표준편차를이용하여상기제1 전압, 상기제1 전류및 상기제1 위상의제N차고조파들을각각정규화(Normalization)하고, 정규화된상기제1 전압, 상기제1 전류및 상기제1 위상에대한정보를모두포함하는 3N개의새로운주성분들을생성하며, 새로운주성분들중 상기모델웨이퍼의식각종료점의검출에가장민감한변화를나타내는제1 모델주성분및 제2 모델주성분을선정하며, 상기제1 모델주성분및 제2 모델주성분과상기정규화된상기제1 전압, 상기제1 전류및 상기제1 위상의제N차고조파들과의관계를각각나타내는제1 로딩벡터및 제2 로딩벡터를산출하는단계; (c) 타겟웨이퍼의플라즈마식각공정중의제2 전압, 제2 전류및 제2 위상각각의제N차고조파들을기 설정된제2 시간간격으로측정하고, 측정시간마다상기제 2 전압의제N차고조파들, 상기제2 전류의제N차고조파들및 상기제2 위상의제N차고조파들각각에상기제1 전압, 상기제1 전류및 상기제1 위상각각에대한상기제1 평균및 상기제1 표준편차를적용하여상기제2 전압, 상기제2 전류및 상기제2 위상의제N차고조파들에대한각각의정규화(Normalization)값을추정하고, 상기추정된정규화값들에상기제1 로딩벡터및 상기제2 로딩벡터를각각적용하여각 측정시간에대한제1 타겟주성분및 제2 타겟주성분을산출하는단계; (d) 상기제1 타겟주성분및 상기제2 타겟주성분으로표현되는좌표를이용하여, 인접한측정시간에대응되는상기좌표간의거리를산출하는단계; 및 (e) 상기좌표간의거리변화가가장큰 지점을상기타켓웨이퍼의식각종료점으로판단하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的用于检测等离子体蚀刻工艺的端点的方法包括以下步骤：（a）测量第一电压，第一电流和第一相的n次谐波， 用于模型晶片的等离子体蚀刻工艺，直到蚀刻工艺的终点第一次; （b）对第一电压，第一电流和第一相的n次谐波中的每一个进行归一化，选择第一模型和第二模型的主要分量，并且计算表示第一电压的第一负载矢量和第二负载矢量 第一和第二模型的主要元件与第一电压，第一电流和第一相的n次谐波之间的关系; （c）以预定的第二时间间隔在目标晶片的等离子体蚀刻处理期间测量第二电压，第二电流和第二相的n次谐波，估计每个n个谐波的归一化值，并计算 第一和第二个目标的主要要素; （d）通过使用由第一和第二目标的主要元素表示的坐标来计算与相邻测量时间相对应的坐标之间的距离; （e）确定表示作为目标晶片的蚀刻终点的坐标之间的距离的最大变化程度的点。
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