公开(公告)号：KR1020100008555A

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：KR1020080069101

申请日：2008-07-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 송준태 ,  오수영 ,  강현일 ,  이태용 ,  김응권

IPC: H01L41/047

CPC classification number: H01L41/0478 ,  H01L41/314

Abstract: PURPOSE: A transparent piezoelectric device with high transmittance using an oxide electrode and a method for forming the same are provided to improve transmittance of the transparent piezoelectric device by forming an aluminum nitride film on an oxide bottom electrode. CONSTITUTION: A transparent piezoelectric device includes a substrate(10), an oxide bottom electrode(20), an aluminum nitride film(30), and an oxide top electrode(40). The substrate is a glass or plastic substrate. The oxide bottom electrode is formed on the substrate. The aluminum nitride film is formed on the oxide bottom electrode and has the piezoelectric effect. The oxide top electrode is formed on the aluminum nitride film. The oxide bottom electrode and the oxide top electrode include the aluminum zinc oxide.

Abstract translation: 目的：提供使用氧化物电极具有高透射率的透明压电装置及其形成方法，以通过在氧化物底部电极上形成氮化铝膜来改善透明压电装置的透射率。 构成：透明压电装置包括基板（10），氧化物底电极（20），氮化铝膜（30）和氧化物顶电极（40）。 基板是玻璃或塑料基板。 氧化物底电极形成在基板上。 氮化铝膜形成在氧化物底部电极上并具有压电效应。 氧化物顶部电极形成在氮化铝膜上。 氧化物底部电极和氧化物顶部电极包括氧化铝铝。

公开(公告)号：KR101011284B1

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020080069101

申请日：2008-07-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 송준태 ,  오수영 ,  강현일 ,  이태용 ,  김응권

IPC: H01L41/047

Abstract: 투명 압전 소자 및 그 형성방법이 제공된다. 상기 투명 압전 소자는 기판, 상기 기판 상의 산화물 하부 전극, 상기 산화물 하부 전극 상의, 압전 효과를 가지는 알루미늄 질화막(AlN), 및 상기 알루미늄 질화막 상의 산화물 상부 전극을 포함한다.
압전 효과, 투과율, 알루미늄 질화막