公开(公告)号：KR101802775B1

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160033647

申请日：2016-03-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  심재우 ,  이성주 ,  조정호 ,  우한영

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명의일 실시예에따른공명터널소자(resonant tunneling device)는축퇴된반도체층; 축퇴된반도체층상에형성되는제 1 무기물층; 제 1무기물층상에형성되는유기물층; 및유기물층상에형성되는전극층을포함하되, 유기물층은불연속적인복수의에너지준위를갖도록형성된다.

公开(公告)号：KR1020170109461A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：KR1020160033647

申请日：2016-03-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  심재우 ,  이성주 ,  조정호 ,  우한영

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7311

Abstract: 본발명의일 실시예에따른공명터널소자(resonant tunneling device)는축퇴된반도체층; 축퇴된반도체층상에형성되는제 1 무기물층; 제 1무기물층상에형성되는유기물층; 및유기물층상에형성되는전극층을포함하되, 유기물층은불연속적인복수의에너지준위를갖도록형성된다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的谐振隧穿器件包括退化半导体层; 形成在退化半导体层上的第一无机材料层; 形成在第一无机材料层上的有机材料层; 以及形成在有机层上的电极层，其中有机层形成为具有多个不连续的能级。