公开(公告)号：KR1020100027896A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086990

申请日：2008-09-03

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  한규민 ,  이영석 ,  김영국 ,  허종규 ,  유진수

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film solar cell and a method for crystallizing amorphous silicon for the same are provided to uniformly crystallize an amorphous silicon layer by scanning a laser beam on a seed layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer is formed on a glass substrate. A p-type amorphous silicon layer is formed on the transparent electrode layer. An i-type amorphous silicon layer is formed on the p-type layer. A seed layer is formed on the i-type layer. A laser beam is scanned on the seed layer to crystallize the i-type layer. An n-type amorphous silicon layer is formed on the crystallized i-type layer. An electrode layer is formed on the n-type layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜太阳能电池的方法和用于使非晶硅结晶的方法，用于通过在种子层上扫描激光来均匀地结晶非晶硅层。 构成：在玻璃基板上形成透明电极层。 在透明电极层上形成p型非晶硅层。 在p型层上形成i型非晶硅层。 种子层形成在i型层上。 在种子层上扫描激光束以使i型层结晶。 在结晶的i型层上形成n型非晶硅层。 在n型层上形成电极层。

公开(公告)号：KR101013432B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020080086990

申请日：2008-09-03

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  한규민 ,  이영석 ,  김영국 ,  허종규 ,  유진수

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 박막 태양전지 제조방법은, 유리기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층 위에 p형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 p형의 비정질 실리콘층 위에 i형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 i형의 비정질 실리콘층 위에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 위로 레이저광선을 주사하여 상기 i형의 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계; 결정화된 i형의 실리콘층 위에 n형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 n형의 비정질 실리콘층 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 레이저광선을 주사하는 면에 씨드층을 형성함으로써 적은 데미지로 비정질 실리콘층을 균일하게 결정화하여 간단한 공정으로 효율이 향상된 박막 태양전지를 제조할 수 있다.
태양전지, 박막 태양전지, 비정질 실리콘 박막 태양전지, 결정화