Abstract:
본 발명은 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계; 상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계; 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce the reflectivity of incident light by forming second structures on the surfaces of first structures. CONSTITUTION: First structures are formed on the front surface of a silicon substrate (S110). Second structures are formed on each surface of the first structures (S130). An antireflection layer is formed on the front surface of the silicon substrate with the first and second structures (S150). A first electrode pattern is formed on the upper surface of the antireflection layer (S170). A second electrode pattern is formed on the rear surface of the silicon substrate (S190). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) First structures are formed on the front surface of a silicon substrate; (S130) Second structures are formed on each surface of the first structures; (S150) Antireflection layer is formed on the front surface of the silicon substrate; (S170) First electrode pattern is formed on the upper surface of the antireflection layer; (S190) Second electrode pattern is formed on the rear surface of the silicon substrate
Abstract:
본 발명은 닭 도체의 개체를 추적하는 시스템에 대한 것으로서, 특히 닭 도체의 가공 시 샤클을 카운트하여 해당 샤클에 이송되는 닭 도체의 개체를 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템에 관한 것이다. 본 발명은 샤클 카운트 센서로 샤클을 카운트하여 닭 도체를 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 RFID 태그를 생략하고 샤클 카운트 센서만이 구비되므로 저비용으로 닭 도체를 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 샤클 카운트 센서에 샤클 카운트 카메라를 더 구비하여 닭 도체를 효과적으로 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 샤클 카운트 센서로 추적된 닭 도체를 닭 도체의 품질 등급과 함께 추적할 수 있는 닭 도체 추적시스템을 제공할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A thin film type solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a thin film type solar battery by applying a material with a high band gap to a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: A front side anti-reflective layer(20) is formed on a glass substrate(10). A p-type semiconductor layer(30) is formed on the front side anti-reflective layer. An i-type semiconductor layer(40) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(50) is formed on the i-type semiconductor layer. A backside reflection layer(60) is formed on the n-type semiconductor layer.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a solar battery is provided to improve solar battery efficiency by using an AZO film as a back side electrode and a back side reflection film. CONSTITUTION: A crystalline silicon wafer layer(100) is composed of a crystalline silicon wafer doped to a P-type or an N-type. An amorphous silicon layer(200) is formed at the front side or the rear side of the crystalline silicon wafer layer. A passivation layer(300) is located between the crystalline silicon wafer layer and the amorphous silicon layer. A front electrode(400) is formed to the side in which sunlight is entered. A transparency conductive film layer(500) is formed to the opposite side in which the sunlight is entered.
Abstract:
본 발명은 실리콘에 도펀트를 도핑하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 레이저와 흡수층을 이용한 도핑 방법은, 결정질 실리콘 기판에 비정질 실리콘-도펀트층을 증착하는 제1단계; 상기 비정질 실리콘-도펀트 막 위에 흡수층을 형성하는 제2단계; 및 상기 흡수층 위에서 레이저를 조사하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 흡수층을 증착한 뒤에 레이저 가공을 함으로써, 유지비가 낮고 효율이 뛰어난 광섬유레이저를 사용할 수 있고, 흡수층의 온도 상승으로 인해 에너지 효율이 높아 레이저의 출력 조절이 용이하며, 도핑을 위한 공정이 간단해지는 효과가 있다. 도핑, 태양전지, 후면 통합형 태양전지, 레이저, 광섬유레이저
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a thin film solar cell and a method for crystallizing amorphous silicon for the same are provided to uniformly crystallize an amorphous silicon layer by scanning a laser beam on a seed layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer is formed on a glass substrate. A p-type amorphous silicon layer is formed on the transparent electrode layer. An i-type amorphous silicon layer is formed on the p-type layer. A seed layer is formed on the i-type layer. A laser beam is scanned on the seed layer to crystallize the i-type layer. An n-type amorphous silicon layer is formed on the crystallized i-type layer. An electrode layer is formed on the n-type layer.