OFDM 블라인드 주파수 옵셋 추정 방법 및 장치
    1.
    发明授权
    OFDM 블라인드 주파수 옵셋 추정 방법 및 장치 有权
    用于OFDM频率偏移的盲估计方法和装置

    公开(公告)号:KR101145002B1

    公开(公告)日:2012-05-11

    申请号:KR1020100055391

    申请日:2010-06-11

    Abstract: PURPOSE: An orthogonal frequency division multiplexing(OFDM) blind frequency offset estimation method and an apparatus thereof are provided to use a symmetric alpha stable random variable, thereby performing reliable data transmission in an actual communication environment. CONSTITUTION: A time synchronization process with respect to a received orthogonal frequency division multiplexing(OFDM) signal is performed(S1). A k-th sample of the OFDM signal is expressed as an equation after the time synchronization process. A likelihood function is created using a CP(cyclic prefix) inserted in an OFDM symbol(S2). An optimal frequency offset value is estimated as the maximum of the likelihood function among frequency offset trial values in the equation(S3). A trial value applied in a Cauchy distribution likelihood function includes a set of trial values expressed as an equation.

    BOC 신호 추적 방법 및 추적 시스템
    2.
    发明公开
    BOC 신호 추적 방법 및 추적 시스템 有权
    跟踪BOC信号及其系统的方法

    公开(公告)号:KR1020110135578A

    公开(公告)日:2011-12-19

    申请号:KR1020100055390

    申请日:2010-06-11

    Abstract: PURPOSE: A method for tracking a BOC signal and a system thereof is provided to supply a correlation function having a narrow peak by using a base signal. CONSTITUTION: In a method for tracking a BOC signal and a system thereof, an initial correlation function between an BOC signal and all baseband signals of the BOC(Binary Offset Carrier) signal is generated(S1). A final correlation function having removed peak is generated using initial correlation function(S2). The final correlation function having no peak is applied to a discriminator(S3). A signal tracking is performed using the discriminator(S4).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于跟踪BOC信号的方法及其系统,以通过使用基本信号来提供具有窄峰值的相关函数。 构成:在用于跟踪BOC信号的方法及其系统中,产生BOC信号与BOC(二进制偏移载波)信号的所有基带信号之间的初始相关函数(S1)。 使用初始相关函数产生具有去除峰的最终相关函数(S2)。 没有峰值的最终相关函数被应用于鉴别器(S3)。 使用鉴别器执行信号跟踪(S4)。

    처프 스프레드 스펙트럼 기반의 직접 변조-차동 4상 위상 변이 키잉 시스템에서의 부분 대역 방해 전파 환경에 대한 비트오류율 분석 방법 및 그 장치
    3.
    发明公开
    처프 스프레드 스펙트럼 기반의 직접 변조-차동 4상 위상 변이 키잉 시스템에서의 부분 대역 방해 전파 환경에 대한 비트오류율 분석 방법 및 그 장치 失效
    一种用于分析带状脉冲信号存在的基于CHIRP传播频谱的DM-DQPSK系统的位错误率的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020100110502A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:KR1020090028868

    申请日:2009-04-03

    CPC classification number: H04L27/206 H04B2001/6912

    Abstract: PURPOSE: A method and a device thereof are provided to analyze the influence of a partial bandwidth jammer signal regarding the bit error rate performance of a DM-DQPSK system based on a chirp spread spectrum by obtaining a signal to noise ratio. CONSTITUTION: A variation of a partial bandwidth jammer signal and a power spectrum are modeled in a CSS system. A signal to noise ratio is modeled in the bandwidth of the partial bandwidth jammer signal in the CSS system. The bit error rate performance variation regarding the partial bandwidth jammer signal is verified through a simulation process. The noise power spectral density of a jammer is modeled according to the ratio of the bandwidth of the partial jammer within the bandwidth of a spread bandwidth signal.

    Abstract translation: 目的:提供一种方法和装置,用于通过获得信噪比来分析基于啁啾扩频的DM-DQPSK系统的部分带宽干扰信号对于误码率性能的影响。 构成:部分带宽干扰信号和功率谱的变化在CSS系统中建模。 在CSS系统中的部分带宽干扰信号的带宽中建立信噪比。 通过仿真过程验证有关部分带宽干扰信号的误码率性能变化。 干扰信号的噪声功率谱密度根据扩频带宽信号的带宽内部分干扰器的带宽的比率进行建模。

    16진 직교 진폭 변조를 이용한 오버랩 기반 CSS 시스템에 대한 닫힌꼴 비트 오류율 성능 계산 방법 및 비트 오류율 계산 장치
    4.
    发明公开
    16진 직교 진폭 변조를 이용한 오버랩 기반 CSS 시스템에 대한 닫힌꼴 비트 오류율 성능 계산 방법 및 비트 오류율 계산 장치 失效
    使用16-QAM的基于重叠的CSS系统的位错误率计算方法和位错误率计算设备

    公开(公告)号:KR1020100110485A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:KR1020090028837

    申请日:2009-04-03

    CPC classification number: H04L27/3405

    Abstract: PURPOSE: A closed form bit error rate performance calculating method and a device thereof are provided to have a bit error rate formula which has an accurate value by inducing a closed form bit error rate formula based on the bit error rate formula of a quadratic pulse amplitude modulation. CONSTITUTION: A transmission signal, which is orthogonally amplitude-modulated based on a hexadecimal, is modeled. The modeled transmission signal is modeled after passing a down-chirp filtering process. A closed form bit error rate regarding the modeled down-chirp output signal is calculated. The modeling step of the transmission signal which is orthogonally amplitude-modulated based on hexadecimal comprises an up-chirp filtering process.

    Abstract translation: 目的:提供一种封闭形式的误码率性能计算方法及其装置,通过基于二次脉冲振幅的误码率公式,产生一个具有准确值的误码率公式, 调制。 构成:对基于十六进制进行正交幅度调制的发送信号进行建模。 模拟的传输信号在通过下线啁啾滤波处理后被建模。 计算关于模拟下降线性调频脉冲输出信号的闭合形式误码率。 基于十六进制进行正交幅度调制的发送信号的建模步骤包括上线啁啾滤波处理。

    결정질 산화막을 포함한 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법
    5.
    发明公开
    결정질 산화막을 포함한 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법 有权
    包含结晶氧化膜的电阻记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140020636A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:KR1020120087793

    申请日:2012-08-10

    Inventor: 김형섭 이명수

    CPC classification number: H01L45/04 G11C13/004 H01L45/146

    Abstract: The present invention relates to a resistive memory device. Particularly, the present invention relates to a resistive memory device comprising a crystalline oxide film and a method for fabricating the same. According to the present invention, the resistive memory device comprising a crystalline oxide film includes a substrate (100); a lower electrode (110) formed on the substrate; a variable resistance layer (120) arranged on the lower electrode; and an upper electrode formed on the variable resistance layer. Here, the variable resistance layer (120) comprises at least two oxide layers (121,122). The at least two oxide layers must include at least one amorphous oxide layer and at least one crystalline oxide layer. [Reference numerals] (AA,CC,122) Amorphous Al_2O_3; (BB,EE,100) Substrate; (DD,121) Amorphous HfO_2

    Abstract translation: 本发明涉及电阻式存储器件。 特别地,本发明涉及一种包括结晶氧化物膜的电阻式存储器件及其制造方法。 根据本发明,包括结晶氧化物膜的电阻式存储器件包括衬底(100); 形成在所述基板上的下电极(110) 布置在下电极上的可变电阻层(120) 以及形成在可变电阻层上的上电极。 这里,可变电阻层(120)包括至少两个氧化物层(121,122)。 至少两个氧化物层必须包括至少一个无定形氧化物层和至少一个结晶氧化物层。 (AA,CC,122)无定形Al_2O_3; (BB,EE,100)底物; (DD,121)无定形HfO_2

    저항 메모리 소자 및 이의 제조방법
    6.
    发明公开
    저항 메모리 소자 및 이의 제조방법 有权
    电阻随机访问存储器件和制造电阻随机访问存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1020130114824A

    公开(公告)日:2013-10-21

    申请号:KR1020120037158

    申请日:2012-04-10

    Inventor: 김형섭 이명수

    CPC classification number: H01L45/04 H01L45/1233 H01L45/145

    Abstract: PURPOSE: A resistive random access memory device and a manufacturing method thereof are provided to improve the uniformity of a current by including a variable resistive layer. CONSTITUTION: A variable resistive layer (130) is arranged on the upper surface of a first electrode (110) and is composed of a zirconium oxide thin film. A second electrode (120) is arranged on the upper surface of the variable resistive layer. The zirconium oxide thin film is coated with cerium. A part of the variable resistive layer is made of oxide.

    Abstract translation: 目的:提供一种电阻随机存取存储器件及其制造方法,通过包括可变电阻层来提高电流的均匀性。 构成:可变电阻层(130)布置在第一电极(110)的上表面上,并由氧化锆薄膜构成。 第二电极(120)布置在可变电阻层的上表面上。 氧化锆薄膜用铈涂覆。 可变电阻层的一部分由氧化物制成。

    씨비오씨 신호의 자기 상관함수 주변 첨두 제거 장치 및 방법
    7.
    发明授权
    씨비오씨 신호의 자기 상관함수 주변 첨두 제거 장치 및 방법 失效
    取消CBOC信号自动功能侧边峰值的装置及方法

    公开(公告)号:KR101042767B1

    公开(公告)日:2011-06-20

    申请号:KR1020080112851

    申请日:2008-11-13

    Abstract: 본 발명에 따른 CBOC 신호의 자기 상관함수 주변 첨두 제거 장치는, 수신 CBOC 신호와, 2개의 SinBOC 신호를 합성해서 CBOC 신호를 생성하는 CBOC 신호 발생부(14)로부터의 CBOC 신호를 인가받아 자기 상관함수를 구하는 자기 상관함수 생성부(11)와; 상기 자기 상관함수 생성부(11)에서 구해진 자기 상관함수를 인가받아 상기 구해진 자기 상관함수를 각각의 상관함수
    R o 와,
    R 1 ,, 및
    R 2k-1 로 분할해서 개별 상관함수 를 구하는 상관함수 분할부(12) 및; 상기 상관함수 분할부(12)에서 구해진 개별 상관함수 를 인가받아 상기 개별 상관함수 를 식 에 따라 재결합해서 첨두가 제거된 상관함수 를 얻는 상관함수 재결합부(13)를 구비하여 구성된다.
    또한, 본 발명에 따른 CBOC 신호의 자기 상관함수 주변 첨두 제거 방법은, 자기 상관함수 생성부(11)가, 수신 CBOC 신호와, 2개의 SinBOC 신호를 합성해서 생성된 CBOC 신호를 인가받아 자기 상관함수를 구하는 단계와; 상관함수 분할부(12)가, 상기 자기 상관함수 생성부(11)에서 구해진 자기 상관함수를 각각의 상관함수
    R o 와,
    R 1 ,, 및
    R 2k-1 로 분할해서 개별 상관함수 를 구하는 단계 및; 상관함수 재결합부(13)가, 상기 상관함수 분할부(12)에서 구해진 개별 상관함수 를 인가받아 상기 개별 상관함수 를 식 에 따라 재결합해서 첨두가 제거된 상관함수 를 얻는 단계를 갖추어 이루어진다.

    저항 메모리 소자 및 이의 제조방법
    9.
    发明公开
    저항 메모리 소자 및 이의 제조방법 无效
    电阻随机访问存储器件和制造电阻随机访问存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1020130133395A

    公开(公告)日:2013-12-09

    申请号:KR1020120056605

    申请日:2012-05-29

    CPC classification number: H01L45/04 G11C13/0004 H01L45/08 H01L45/146

    Abstract: The present invention relates to a resistive memory device and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a resistive memory device which has characteristics of a resistive switching memory without an electro-forming process by using metal oxides (e.g. HfO2) capable of generating non-grid oxygen ions as a variable resistance layer by heat treatment in an oxygen atmosphere, and a manufacturing method thereof.

    Abstract translation: 本发明涉及一种电阻式存储器件及其制造方法,更具体地说,涉及一种电阻式存储器件,该电阻式存储器件具有电阻式开关存储器的特征,而不需要通过使用能产生非线性的金属氧化物(如HfO 2)而进行电铸工艺 通过在氧气氛中热处理作为可变电阻层的二氧化硅的制造方法。

    다중 경로 채널 환경에서 처프 확산 대역 시스템의 성능 분석 방법
    10.
    发明授权
    다중 경로 채널 환경에서 처프 확산 대역 시스템의 성능 분석 방법 失效
    多通道渐变通道中CSS系统的性能分析方法

    公开(公告)号:KR101074566B1

    公开(公告)日:2011-10-21

    申请号:KR1020100037225

    申请日:2010-04-22

    CPC classification number: H04L27/206 H04B2001/6912

    Abstract: 본 발명은 다중 경로 채널 환경에서 DM-BPSK 변조 방식을 사용한 CSS 시스템의 성능 분석 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 방법은 상기 CSS 시스템에서 채널을 통과하여 레이크 수신기에서 수신된 수신 신호를 모델링하는 제1 단계, 상기 모델링된 수신 신호를 입력으로 사용하는 상관기의 출력을 모형화하는 제2 단계, 상기 상관기의 출력을 입력으로 사용하는 최대 비율 결합기의 출력으로부터 송신 신호에 대한 결정 변수를 산출하는 제3 단계, 상기 결정 변수를 이용해서 채널당 평균 SINR(신호 대 간섭과 잡음비)을 산출하는 제4 단계, 채널당 평균 SINR을 이용해서 교차 상관 계수를 산출하여 상기 CSS 시스템의 비트오류율을 유도하는 제5 단계를 포함한다.

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