公开(公告)号：KR1020080034274A

公开(公告)日：2008-04-21

申请号：KR1020060100275

申请日：2006-10-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  설영국 ,  이재근

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288

Abstract: A method of fabricating a gate electrode on an organic substrate using an electroplating process and a Method of fabricating an organic semiconductor device using the same are provided to improve flexibility and electrical property of an organic semiconductor device as a low temperature process by forming an insulating layer and a semiconductor layer as organic materials. A substrate(10) composed of a flexible organic material is provided. An adhesive layer(20) is formed on the substrate. A seed layer(30) for increasing electroplating capability of a gate electrode is formed at the one surface of the adhesive layer. A photoresist is formed on the seed layer. The photoresist is patterned by a mask(50) on which a pattern is formed in advance. A gate electrode is formed on the pattern by using the electroplating or the electroless plating process. The photoresist is removed. The adhesive layer and the seed layer in a region except for gate electrode are removed.

Abstract translation: 提供使用电镀工艺在有机基板上制造栅电极的方法和使用其制造有机半导体器件的方法，以通过形成绝缘层来提高作为低温工艺的有机半导体器件的柔性和电性能 和半导体层作为有机材料。 提供由柔性有机材料构成的基板（10）。 在基板上形成粘合剂层（20）。 在粘合剂层的一个表面上形成用于增加栅电极的电镀能力的籽晶层（30）。 在种子层上形成光致抗蚀剂。 通过预先形成有图案的掩模（50）对光致抗蚀剂进行图案化。 通过使用电镀或化学镀处理，在图案上形成栅电极。 去除光致抗蚀剂。 去除除栅电极之外的区域中的粘合剂层和种子层。

公开(公告)号：KR100624067B1

公开(公告)日：2006-09-15

申请号：KR1020050040865

申请日：2005-05-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  이재근 ,  조수현 ,  나선웅

IPC: H01L21/288

Abstract: 본 발명은 플렉시블 유기물 기판의 금도금층 형성 방법과, 이를 이용한 유기물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 플렉시블한 유기물 기판에 전기적 특성이 우수한 금도금층을 도금하기 위하여 유기물 기판과의 접착성이 우수한 접착층을 형성한 후에, 상기 금도금층의 도금성을 높여 주는 씨드 레이어를 형성하고, 상기와 같이 구성된 유기물 기판을 이용하여 전기적 특성이 우수한 유기물 반도체 소자를 제조할 수 있다.
플렉시블, 기판, 금, 도금, 유기물 반도체

Abstract translation: 本发明涉及在柔性有机基板上形成镀金层的方法和使用该方法制造有机半导体器件的方法。