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公开(公告)号：WO2022098107A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：PCT/KR2021/015859
申请日：2021-11-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3065
Abstract: 실리콘 관통전극의 제조방법이 개시된다. 실리콘 관통전극의 제조방법은 실리콘 기판의 하부면 상에 에치스톱층을 형성하는 제1 단계; 사진식각 공정을 통해 상기 실리콘 기판에 관통홀을 형성하는 제2 단계; 상기 에치스톱층 하부면 상에 금속층 및 보호층을 순차적으로 형성한 후 상기 관통홀에 대응되는 상기 에치스톱층의 부분을 제거하는 제3 단계; 및 전해도금 공정을 통해 상기 금속층으로부터 상기 관통홀 내부를 채우는 도금막을 성장시켜 상기 관통홀 내부에 비아전극을 형성하는 단계를 포함한다.
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