公开(公告)号：KR102149971B1

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：KR1020190054471

申请日：2019-05-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  정길수 ,  허근

IPC: H01L47/00 ,  H01L29/732 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102220445B1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：KR1020190078909

申请日：2019-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  정길수 ,  허근 ,  김승준

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020210005333A

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：KR1020190078909

申请日：2019-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  정길수 ,  허근 ,  김승준

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.