公开(公告)号：KR1020200130015A

公开(公告)日：2020-11-18

申请号：KR1020190055291

申请日：2019-05-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  가천대학교 산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  허근 ,  조성재 ,  이성주

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234

Abstract: 본발명은인간의뇌 신경망을모사하는시냅스소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른멀티비트시냅스소자는, 전계효과트랜지스터(FET) 및상기전계효과트랜지스터에직렬연결된가변저항메모리(CBRAM)를포함하며, 상기전계효과트랜지스터는, 반도체채널층; 상기반도체채널층의양 단부에각각배치되는제 1 소오스/드레인및 제 2 소오스/드레인; 상기제 1 및제 2 소오스/드레인사이의상기반도체채널층상에배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되는유전체막; 및상기유전체막상에배치되는게이트전극을포함하며, 상기가변저항메모리의일 전극이상기트랜지스터의상기제 1 및제 2 소오스/드레인중 어느하나에연결되고, 상기유전체막은생체복합유전물질을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102211320B1

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：KR1020190055291

申请日：2019-05-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  가천대학교 산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  허근 ,  조성재 ,  이성주

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234

Abstract: 본발명은인간의뇌 신경망을모사하는시냅스소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른멀티비트시냅스소자는, 전계효과트랜지스터(FET) 및상기전계효과트랜지스터에직렬연결된가변저항메모리(CBRAM)를포함하며, 상기전계효과트랜지스터는, 반도체채널층; 상기반도체채널층의양 단부에각각배치되는제 1 소오스/드레인및 제 2 소오스/드레인; 상기제 1 및제 2 소오스/드레인사이의상기반도체채널층상에배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되는유전체막; 및상기유전체막상에배치되는게이트전극을포함하며, 상기가변저항메모리의일 전극이상기트랜지스터의상기제 1 및제 2 소오스/드레인중 어느하나에연결되고, 상기유전체막은생체복합유전물질을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102220445B1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：KR1020190078909

申请日：2019-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  정길수 ,  허근 ,  김승준

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020210005333A

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：KR1020190078909

申请日：2019-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  정길수 ,  허근 ,  김승준

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR102149971B1

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：KR1020190054471

申请日：2019-05-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  정길수 ,  허근

IPC: H01L47/00 ,  H01L29/732 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102128474B1

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：KR1020190049383

申请日：2019-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  김승준 ,  허근 ,  김형준 ,  오세용

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

公开(公告)号：KR102112013B1

公开(公告)日：2020-05-18

申请号：KR1020180068304

申请日：2018-06-14

Applicant: 가천대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 조성재 ,  박진홍 ,  허근 ,  이재윤

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/108