Patent search ap:("성균관대학교산학협력단") AND inv:"조혜진" Page 1

1.

发明公开
N-도핑된 그래핀 옥사이드/그래핀의 이중층 구조체 및 이의 제조 방법 有权
Title translation: N / N型二氧化硅/石墨双层结构及其制备方法

公开(公告)号：KR1020160149672A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：KR1020150087158

申请日：2015-06-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 황동목 , 서영민 , 조혜진

IPC: C01B31/04 , C23C16/26

Abstract: N-도핑된그래핀옥사이드/그래핀의이중층구조체및 상기 N-도핑된그래핀옥사이드/그래핀의이중층구조체의제조방법에관한것이다.

2.

发明授权
N-도핑된 그래핀 옥사이드/그래핀의 이중층 구조체 및 이의 제조 방법 有权

公开(公告)号：KR101772675B1

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020150087158

申请日：2015-06-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 황동목 , 서영민 , 조혜진

IPC: C01B31/04 , C23C16/26

Abstract: N-도핑된그래핀옥사이드/그래핀의이중층구조체및 상기 N-도핑된그래핀옥사이드/그래핀의이중층구조체의제조방법에관한것이다.

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