公开(公告)号：KR101962030B1

公开(公告)日：2019-07-17

申请号：KR1020170121355

申请日：2017-09-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  최우석 ,  장성규

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/115

公开(公告)号：KR1020160138620A

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：KR1020150072666

申请日：2015-05-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최우석 ,  김윤석 ,  서호성 ,  우성민 ,  이상아

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324

Abstract: 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법이개시된다. 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법은다결정(polycrystalline) STO(SrTiO) 기판을에칭하는단계; 및상기다결정 STO 기판을어닐링하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101725633B1

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020150072666

申请日：2015-05-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최우석 ,  김윤석 ,  서호성 ,  우성민 ,  이상아

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324

Abstract: 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법이개시된다. 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법은다결정(polycrystalline) STO(SrTiO) 기판을에칭하는단계; 및상기다결정 STO 기판을어닐링하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了一种制造原子级平坦的多晶STO衬底的方法。 原子平面多晶STO衬底制造方法包括：蚀刻多晶STO（SrTiO）衬底; 并退火多晶STO基板。