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公开(公告)号：KR1020170056388A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150160003
申请日：2015-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/205 , H01L21/205 , H01L29/16 , H01L21/3065 , H01L29/786 , H01L29/20 , H01L21/324
Abstract: 육방정계질화붕소및 그래핀의이종접합구조가개시된다. 본발명에따른이종접합구조는기판상에육방정계질화붕소시트를배치시키는단계; 및화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 공정으로상기기판과상기육방정계질화붕소시트사이에그래핀을성장시키는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了六方氮化硼和石墨烯的异质结结构。 根据本发明的异质结结构包括以下步骤：在衬底上布置六方氮化硼片; 并通过化学气相沉积（CVD）工艺在衬底和六方氮化硼薄片之间生长石墨烯。
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公开(公告)号：KR101962030B1
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：KR1020170121355
申请日：2017-09-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L45/00 , H01L27/115
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公开(公告)号：KR1020170056386A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150160000
申请日：2015-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 층수제어가가능한이황화몰리브덴박막제조방법이개시된다. 상기이황화몰리브덴박막제조방법은절연기판을산소플라즈마에노출시키는단계; 및몰리브데늄및 황을반응시켜상기기판상에이황화몰리브덴박막을형성하는단계;를포함하고, 상기절연기판의상기산소플라즈마노출시간을조절하여상기이황화몰리브덴박막의두께를조절할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种能够控制层数的二硫化钼薄膜的制造方法。 用于制造二硫化钼薄膜的方法包括：将绝缘基板暴露于氧等离子体; 通过钼和硫反应在衬底上形成二硫化钼薄膜，通过控制绝缘衬底的氧等离子体暴露时间可以控制二硫化钼薄膜的厚度。
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公开(公告)号：KR102069239B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020190033567
申请日：2019-03-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L45/00
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公开(公告)号：KR101966582B1
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：KR1020180013584
申请日：2018-02-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/28
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101884977B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020160025335
申请日：2016-03-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 2차원박막표면처리방법및 이를이용한전자소자의제조방법에서, 2차원박막표면처리방법은흑린벌크(black phosphorous bulk)를이용하여베이스기판상에흑린박막을형성하는단계및 흑린박막의표면을유도결합플라즈마(inductively coupled plasma) 처리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150130256A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020150153256
申请日：2015-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/267 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 육방정계질화붕소시트(h-BN) 및그래핀시트의이종적층구조체, 이를채용한전기소자, 및이의제조방법이개시된다. 상기이종적층구조체는, 금속기판상에기상법으로대면적의 h-BN 시트를성장시킨후 순차적으로그래핀시트를기상법으로형성함으로써, 그래핀시트와 h-BN 시트사이에불순물이거의남아있지않는고품질의계면상태를가질수 있다. 이러한고품질의계면상태및 대면적을갖는 h-BN 및그래핀의이종적층구조체는 FET를포함하는다양한전기소자에활용할수 있다.
Abstract translation: 公开了石墨烯片和h-BN片的异质堆叠结构，采用其的电子装置及其制造方法。 通过在金属上形成大面积的h-BN片材之后，通过气相沉积法连续地形成石墨烯片，通过除去石墨烯片和h-BN片之间的杂质，具有高质量的界面状态 基板采用气相沉积法。 在包括FET的各种电气设备中使用具有大面积的石墨烯和h-BN的高质量的界面状态的异质堆叠结构。
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8.发明授权2차원 맥세인 박막의 제조방법, 이를 이용한 전자 소자의 제조 방법, 2차원 맥세인 박막을 포함하는 전자 소자 有权用于产生MAC-老薄膜，包括制造方法的电子器件的一种二维方法，所述二维薄老MAC的电子装置的使用相同的
公开(公告)号：KR101807390B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160025330
申请日：2016-03-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 2차원맥세인박막의제조방법, 이를이용한전자소자의제조방법, 2차원맥세인박막을포함하는전자소자에서, 2차원맥세인박막의제조방법은 MAlC 맥스상벌크(M은전이금속을나타낸다)를불산처리하여 MC(OH)F맥세인벌크(0
Abstract translation: 在包括制造电子器件的方法的电子器件制造岁薄膜的二维静脉的方法，使用相同的二维MAC-老薄膜，二维MAC-老薄膜体的制造方法MALC最大值（M银电解表示金属） 通过使用MC（OH）的F MAC-老散装（0
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公开(公告)号：KR1020170102771A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160025335
申请日：2016-03-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 2차원박막표면처리방법및 이를이용한전자소자의제조방법에서, 2차원박막표면처리방법은흑린벌크(black phosphorous bulk)를이용하여베이스기판상에흑린박막을형성하는단계및 흑린박막의표면을유도결합플라즈마(inductively coupled plasma) 처리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 在二维薄膜表面处理方法和使用该方法的制造电子器件的方法中，二维薄膜表面处理方法包括：使用黑色磷块在基础衬底上形成黑色薄膜， 并执行电感耦合等离子体处理。
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公开(公告)号：KR1020150055688A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020130137885
申请日：2013-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/161 , G11C2213/35 , H01L27/22 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/30
Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种磁阻结构及其制造方法以及包括该磁阻结构的电子装置。 所公开的制造磁阻结构的方法包括以下步骤：形成六方氮化硼层; 在氮化硼层上形成石墨烯层; 通过插层法在石墨烯层和氮化硼层之间形成第一磁性材料层; 以及在所述石墨烯层上形成第二磁性材料层。
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