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公开(公告)号:WO2022146050A1
公开(公告)日:2022-07-07
申请号:PCT/KR2021/020216
申请日:2021-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 우울증 진단을 위한 인공지능 연합학습 방법 및 시스템에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 우울증 진단을 위한 인공지능 연합학습 방법은, 글로벌 학습 데이터를 이용하여 글로벌 모델을 미리 학습하는 단계, 상기 미리 학습된 글로벌 모델의 가중치 파라미터를 기반으로 로컬 모델을 미리 학습하는 단계, 기 저장된 로컬 학습 데이터로부터 추출된 특징 벡터를 이용하여 상기 미리 학습된 로컬 모델의 가중치 파라미터를 업데이트하는 단계, 및 상기 업데이트된 로컬 모델의 가중치 파라미터를 기반으로 상기 미리 학습된 글로벌 모델의 가중치 파라미터를 업데이트하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR102100415B1
公开(公告)日:2020-04-14
申请号:KR1020130083154
申请日:2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号:KR1020150008770A
公开(公告)日:2015-01-23
申请号:KR1020130083154
申请日:2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/6603 , H01L29/7311 , H01L29/7376 , H01L29/88 , H01L29/66931 , H01L29/66712 , H01L29/7802
Abstract: 터널링 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 터널링 소자는 제1도전형의 2차원 물질을 포함하는 제1물질층과 제2도전형의 2차원 물질을 포함하는 제2물질층 사이에 터널 배리어층을 포함할 수 있다. 상기 제1물질층은 P형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 상기 제2물질층은 N형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1물질층의 일함수는 5.0∼5.9 eV 정도일 수 있고, 상기 제2물질층의 일함수는 3.2∼4.0 eV 정도일 수 있다. 상기 터널 배리어층은 2차원 물질을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种隧道装置及其制造方法。 所公开的隧穿装置可以包括在包括第一导电类型2D材料的第一材料层和包括第二导电类型2D材料的第二材料之间的隧道势垒层。 第一材料层可以包括掺杂有p型掺杂剂的石墨烯。 第二材料层可以包括掺杂有N型掺杂剂的石墨烯。 在这种情况下,第一材料层的功函数可以为5.0-5.9eV。 第二材料层的功函数可以是3.2-4.0eV。 隧道势垒层可以包括2D材料。
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