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公开(公告)号：KR1020100132932A
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR1020100054958
申请日：2010-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for growing vertical nanowire is provided to obtain nanowire with uniformity and regularity by forming air gaps with matrix arrangement and nanowire in air gaps. CONSTITUTION: A method for growing vertical nanowire comprises the steps of forming a thin film for a template on a substrate(10); forming depressions with a matrix arrangement inside the upper side of the thin film for the template; forming an anodized film with air gaps extended from the depressions in a substrate direction by anodizing the thin film for the template; growing nanowires(17) within the air gaps of anodized film; and removing the anodized film.
Abstract translation: 目的：提供一种生长垂直纳米线的方法，通过在空隙中形成具有矩阵排列和纳米线的气隙，获得具有均匀性和规则性的纳米线。 构成：用于生长垂直纳米线的方法包括在衬底（10）上形成用于模板的薄膜的步骤; 在用于模板的薄膜的上侧内部形成具有矩阵布置的凹部; 通过阳极氧化用于模板的薄膜，形成具有从凹陷沿基板方向延伸的气隙的阳极氧化膜; 在阳极氧化膜的气隙内生长纳米线（17）; 并去除阳极氧化膜。
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公开(公告)号：KR101199211B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100054958
申请日：2010-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 매트릭스 구조의 공극들 배열을 갖는 양극 산화물을 이용한 수직형 나노와이어 성장방법을 제공한다. 이러한 본 발명의 의 수직형 나노와이어 성장 방법은 기판 상에 템플레이트용 박막을 형성하는 단계; 상기 템플레이트용 박막의 상부면 내에 매트릭스 배열을 갖는 함몰부들을 형성하는 단계; 상기 템플레이트용 박막을 양극 산화 처리하여, 상기 함몰부들로부터 상기 기판 방향으로 각각 연장된 공극들을 갖는 양극 산화막을 형성하는 단계; 상기 양극 산화막의 공극들 내에 나노와이어들을 성장시키는 단계; 및 상기 양극 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
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