나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법
    1.
    发明公开
    나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법 审中-实审
    使用纳米复合材料的应变传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160118025A

    公开(公告)日:2016-10-11

    申请号:KR1020150046254

    申请日:2015-04-01

    CPC classification number: G01L1/22 B82Y30/00 G01L1/2287

    Abstract: 나노복합체를이용한변형률감지센서가개시된다. 나노복합체를이용한변형률감지센서는기판; 상기기판상에배치되고, 금속나노와이어들, 제1 폴리머물질및 제2 폴리머물질로이루어진나노복합체층; 및상기나노복합체층상에배치되고제3 폴리머물질로이루어진보호층을포함하고, 상기금속나노와이어들은상기나노복합체층내부에서랜덤하게배치되어있다.

    Abstract translation: 提供了一种应变传感器及其制造方法。 应变传感器包括衬底,设置在衬底上的纳米复合层和设置在纳米复合层上的保护层。 纳米复合层包括金属纳米线,第一聚合物材料和第二聚合物材料。 保护层包括第三聚合物材料。 金属纳米线随机排列在纳米复合层中。

    전계효과 트랜지스터를 이용한 자외선 센서 및 이의 제조방법
    3.
    发明授权
    전계효과 트랜지스터를 이용한 자외선 센서 및 이의 제조방법 有权
    使用场效应晶体管的超紫外线传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101581634B1

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:KR1020150053893

    申请日:2015-04-16

    Abstract: 전계효과트랜지스터를이용한자외선센서가개시된다. 전계효과트랜지스터를이용한자외선센서는기판; 상기기판상에배치된게이트전극; 상기게이트전극상에배치된제1 절연층; 상기제1 절연층상에배치되고전자가도핑된 2차원물질; 상기 2차원물질상에배치되고상기 2차원물질과전기적으로연결되어있는소스(source) 전극; 상기 2차원물질상에배치되고상기소스(source) 전극과이격된상태로상기 2차원물질과전기적으로연결되어있는드레인(drain) 전극; 상기소스전극상에배치된제2 절연층; 상기드레인전극상에배치된제3 절연층; 및상기 2차원물질로부터수직한방향을따라상기 2차원물질상에배치된 1차원구조물들을포함한다.

    Abstract translation: 公开了使用场效应晶体管的紫外线传感器。 使用场效应晶体管的紫外线传感器包括:基板; 布置在所述基板上的栅电极; 布置在栅电极上的第一绝缘层; 布置在第一绝缘层上并被电子掺杂的二维材料; 源电极,其布置在二维材料上并与二维材料电连接; 排列电极,其布置在所述二维材料上,并与所述二维材料电连接,同时与所述源电极分离; 布置在源电极上的两个绝缘层; 布置在所述漏电极上的第三绝缘层; 以及在垂直于二维材料的方向上布置在二维材料上的一维结构。

Patent Agency Ranking