Patent search ap:("세종대학교산학협력단") AND inv:"김홍균" Page 1

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发明授权
흑린층을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 有权

公开(公告)号：KR102259199B1

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：KR1020190168802

申请日：2019-12-17

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 김덕기 , 타라르샤니아레만 , 김홍균

IPC: H01L45/00

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