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公开(公告)号：KR1020170058123A
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020150161937
申请日：2015-11-18
Applicant: 세메스 주식회사 , 세종대학교산학협력단
IPC: H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 본발명은불소코팅물품, 불소코팅물품제조방법및 기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른불소코팅물품은바디와상기바디의표면에형성되는코팅막을포함하며상기코팅막은상기바디의표면에불소가공유결합으로결합되어형성되는불소코팅물품을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及氟涂物品，氟涂物品的制造方法以及基板处理装置。 根据本发明的一个实施方式的氟涂覆制品包括主体和形成在主体表面上的涂层，并且涂层包括通过将氟共价结合至主体表面而形成的氟涂覆制品。
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公开(公告)号：KR1020170057804A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020160002728
申请日：2016-01-08
Applicant: 세메스 주식회사 , 세종대학교산학협력단
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 본발명은척핀, 척핀제조방법및 기판처리장치에에 관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는내부에처리공간을가지는용기와상기처리공간내에서기판을지지하는지지유닛과그리고상기지지유닛에지지된기판으로액을공급하는액 공급유닛을포함하고상기지지유닛은기판이놓이는지지판과상기지지판에위치하며기판의측부를지지하는척핀을포함하되상기척핀은바디와상기바디의표면에형성되며, 실리콘카바이드재질로제공되는제1코팅막을포함하는기판처리장치를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140024653A
公开(公告)日：2014-03-03
申请号：KR1020120090916
申请日：2012-08-20
Applicant: 세종대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/04
Abstract: The present invention relates to a carrier substrate including regions having different wettabilities and a method for processing a device substrate using the same. In the method for processing the device substrate, the carrier substrate, which is having a low wettability region in a front surface and a high wettability region having wettability relatively higher than that of the lower wettability region, is provided. The device substrate is provided. An adhesive layer is provided at the front surface of the carrier substrate or at the front surface of the device substrate. The front surface of the carrier substrate and the front surface of the device substrate are attached by using the adhesive layer. The rear surface of the device substrate is processed. At least a part of the adhesive layer on the high wettability region is removed. The carrier substrate is attached and detached from the processed device substrate.
Abstract translation: 本发明涉及具有不同润湿性的区域的载体基板和使用其的装置基板的处理方法。 在装置基板的加工方法中，提供了前表面具有低润湿性区域和润湿性比较低润湿性区域润湿性高的载体基板。 提供器件衬底。 粘合剂层设置在载体基板的前表面或器件基板的前表面处。 通过使用粘合剂层附着载体基板的前表面和装置基板的前表面。 处理器件衬底的后表面。 去除高润湿性区域上的粘合剂层的至少一部分。 载体基板从处理过的装置基板上分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101817217B1
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：KR1020160002728
申请日：2016-01-08
Applicant: 세메스 주식회사 , 세종대학교산학협력단
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 본발명은척핀, 척핀제조방법및 기판처리장치에에 관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는내부에처리공간을가지는용기와상기처리공간내에서기판을지지하는지지유닛과그리고상기지지유닛에지지된기판으로액을공급하는액 공급유닛을포함하고상기지지유닛은기판이놓이는지지판과상기지지판에위치하며기판의측부를지지하는척핀을포함하되상기척핀은바디와상기바디의표면에형성되며, 실리콘카바이드재질로제공되는제1코팅막을포함하는기판처리장치를포함한다.
Abstract translation: 卡盘销，卡盘销和基板处理装置的制造方法技术领域本发明涉及卡盘销，卡盘销和基板处理装置的制造方法。 本发明的一个实施方式的基板处理装置具备：容器，其内部具有处理空间;支承单元，其用于将基板支承在处理空间内;以及液体供给单元，其用于向由支承单元支承的基板供给液体 其中支撑单元包括其上放置基板的支撑板和位于支撑板上并支撑基板一侧的卡盘销，卡盘销形成在主体和主体的表面上， 处理设备。
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公开(公告)号：KR101229326B1
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：KR1020110029499
申请日：2011-03-31
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 한국기계연구원
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 실리콘 웨이퍼 내에 수직 방향으로 형성된 비아 홀(via hole); 상기 비아 홀의 내부에 순차적으로 배치된 도전체, 확산 방지막 및 절연막; 상기 비아 홀 상부에 배치된 Ta/Al/TiN 를 포함하는 상부 전극; 및, 상기 실리콘 웨이퍼 후면에 배치된 접지용 전극: 을 포함하는, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극(Through Silicon Via, TSV) 구조체를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120111151A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110029499
申请日：2011-03-31
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 한국기계연구원
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A structure and method for measuring copper ion drift are provided to predict the lifetime of an element in a short time by changing acceleration conditions of electric field and heat for reliability test. CONSTITUTION: A via hole is formed in a silicon wafer in the vertical direction. A conductor(5), a diffusion barrier(4) and an insulating film(3) are successively arranged in the via hole. An upper electrode includes a diffusion barrier(6), Al(7) and TiN(8). The diffusion barrier, Al and TiN are arranged on the upper side of the via hole. A ground electrode(9) is arranged on the back side of the silicon wafer.
Abstract translation: 目的：提供一种测量铜离子漂移的结构和方法，通过改变电场和热量的可靠性测试的加速度条件，在短时间内预测元件的寿命。 构成：在硅晶片中沿垂直方向形成通孔。 导体（5），扩散阻挡层（4）和绝缘膜（3）依次布置在通孔中。 上电极包括扩散阻挡层（6），Al（7）和TiN（8）。 扩散阻挡层Al和TiN布置在通孔的上侧。 接地电极（9）设置在硅晶片的背面。
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公开(公告)号：KR1020170132396A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160062983
申请日：2016-05-23
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L23/00 , H01L23/433 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/14 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은중립축위치가조절된유연전자소자및 그제조방법에관한것으로서, 상기유연전자소자는, 유연기판, 상기유연기판상부에형성되고, 소자형성층을포함하는반도체다이, 상기반도체다이를감싸도록형성되는몰드를포함하고, 중립축위치를상기소자형성층에가까운위치로이동시키기위한중립축위치조절용더미부를포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 중립축위치조절용더미부를형성함으로써유연기판이나몰드와같은기능층들의소재나두께등을변화시키지않고도중립축위치를정밀하게조절하는것이가능한효과가있다.
Abstract translation: 柔性电子器件包括柔性衬底，在柔性衬底上形成的半导体管芯，半导体管芯包括元件形成层，半导体管芯具有在其上形成的元件形成层，以围绕半导体管芯。 以及用于使中性轴位置更接近元件形成层的中性轴位置调整虚设部。 根据本发明，通过形成中立轴位置调整用的虚设部，能够在不改变柔性基板，模具等功能层的材质，厚度等的情况下精确地调整中立轴的位置。
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公开(公告)号：KR101392133B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120090916
申请日：2012-08-20
Applicant: 세종대학교산학협력단
Abstract: 서로다른젖음성을갖는영역들을구비하는캐리어기판, 이를사용한소자기판처리방법을제공한다. 상기소자기판처리방법에서는먼저, 전면(front surface) 내에저 젖음성영역및 상기저 젖음성영역에비해높은젖음성을갖는고 젖음성영역을구비하는캐리어기판을제공한다. 소자기판을제공한다. 상기캐리어기판의전면또는상기소자기판의전면상에접착층을제공한다. 상기캐리어기판의전면과상기소자기판의전면을접착층을사용하여접착시킨다. 상기소자기판의배면을처리한다. 상기고 젖음성영역상의접착층을적어도일부제거한다. 상기처리된소자기판으로부터상기캐리어기판을탈착한다.
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