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公开(公告)号：KR101935348B1
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：KR1020170061660
申请日：2017-05-18
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L45/00
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公开(公告)号：KR1020170058123A
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020150161937
申请日：2015-11-18
Applicant: 세메스 주식회사 , 세종대학교산학협력단
IPC: H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 본발명은불소코팅물품, 불소코팅물품제조방법및 기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른불소코팅물품은바디와상기바디의표면에형성되는코팅막을포함하며상기코팅막은상기바디의표면에불소가공유결합으로결합되어형성되는불소코팅물품을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及氟涂物品，氟涂物品的制造方法以及基板处理装置。 根据本发明的一个实施方式的氟涂覆制品包括主体和形成在主体表面上的涂层，并且涂层包括通过将氟共价结合至主体表面而形成的氟涂覆制品。
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公开(公告)号：KR1020160088699A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150008114
申请日：2015-01-16
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01M4/04 , H01M4/139 , H01M4/485 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/0428 , H01M4/139 , H01M4/485 , H01M10/052
Abstract: 원자층증착법을이용한산화금속박막의제조방법및 상기산화금속박막의제조방법을포함하는리튬-함유산화금속박막의제조방법, 및상기방법들로제조된산화코발트박막및 리튬-함유산화금속박막을포함하는리튬이차전지에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积法的金属氧化物薄膜的制造方法以及包含金属氧化物薄膜的制造方法的含锂金属氧化物薄膜的制造方法以及锂二次 包括通过该方法制造的氧化钴薄膜的电池和含锂金属氧化物薄膜。
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公开(公告)号：KR1020100013832A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080075538
申请日：2008-08-01
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/45536 , C23C16/46 , H01L21/28556
Abstract: PURPOSE: A method of deposition of a metal thin film by using atomic layer deposition are provided to prevent the increase of non-resistance by not processing post annealing to CuO or the CuNx thin film deposited with ALD(Atomic Layer Deposition). CONSTITUTION: A metallic precursor is provided to a substrate. The nitride agent or oxidizer is provided to the metal Precursor. The metal Precursor is restored. The metal of the metal Precursor is Cu, ni, Co, Cr or Zn. The metal Precursor is a gas or liquid containing a copper precursor, a copper halogen compound or the copper organic metallic compound. The copper halogen compound is CuCl1, CuCl2, CuF1, CuF2, CuBr1, CuBr2, CuI1 or CuI2.
Abstract translation: 目的：提供通过使用原子层沉积沉积金属薄膜的方法，以通过不对CuO或沉积有ALD（原子层沉积）的CuNx薄膜进行后退火来防止不加电。 构成：向基材提供金属前体。 将氮化物或氧化剂提供给金属前体。 金属前体被恢复。 金属前体的金属是Cu，Ni，Co，Cr或Zn。 金属前体是含有铜前体，铜卤素化合物或铜有机金属化合物的气体或液体。 铜卤化合物是CuCl1，CuCl2，CuF1，CuF2，CuBr1，CuBr2，CuI1或CuI2。
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公开(公告)号：KR100762390B1
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020060074526
申请日：2006-08-08
Applicant: 세종대학교산학협력단
Inventor： 이원준
IPC: H01L21/31 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/32051 , H01L27/11521
Abstract: A multi-layer insulating thin film is provided to minimize generation of tunneling of electrons by forming the multi-layer insulating thin film containing a high dielectric insulating film having a big energy barrier against electrons. A multi layer insulating thin film is formed between a FG(Floating Gate) and a CG(Control Gate) of a flash memory device. The multi layer insulating thin film is comprised by a silicate thin film, an insulating thin film having a high-k and a SiO2 thin film. The silicate thin film is formed by laminating the one selected from a group consisting of AlSixOy, LaSixOy and ZrSixOy. A thickness of the silicate thin film is made up of 5 nm to 30 nm, and is formed by performing the CVD, ALD(Automic Layer Deposition) or annealing process.
Abstract translation: 提供多层绝缘薄膜，以通过形成具有对电子具有大的能量势垒的高介电绝缘膜的多层绝缘薄膜来最小化电子的隧穿效应。 在闪存器件的FG（浮动栅极）和CG（控制栅极）之间形成多层绝缘薄膜。 多层绝缘薄膜由硅酸盐薄膜，具有高k和SiO 2薄膜的绝缘薄膜构成。 硅酸盐薄膜通过层压选自AlSiO x O y，La Si x O y和ZrSi x O y的一种而形成。 硅酸盐薄膜的厚度由5nm〜30nm构成，通过进行CVD，ALD（自动层析）或退火处理而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102259289B1
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：KR1020180018357
申请日：2018-02-14
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L45/00
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公开(公告)号：KR1020170124108A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020170056450
申请日：2017-05-02
Applicant: 세종대학교산학협력단
Inventor： 이원준 , 박재민 , 유숩루차나라미에르자 , 노용호
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/34 , C23C8/36 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 질소-함유반응물질또는그의플라즈마및 질소플라즈마처리를이용한실리콘질화막의증착방법및 상기실리콘질화막의제조장치에관한것이다.
Abstract translation: 含氮反应材料，其等离子体和氮等离子体处理，以及用于制造氮化硅膜的设备。
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公开(公告)号：KR101013818B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080075538
申请日：2008-08-01
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법에 관한 것으로, (a) 기판에 금속 전구체를 공급하는 단계; (b) 상기 금속 전구체에 질화제 또는 산화제를 공급하는 단계; 및 (c) 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계;를 포함하여, 다양한 기판에 대해 접착력이 우수한 동시에 박막의 치밀한 구조를 가질 수 있고, 종래의 박막 증착법과 같은 후속열처리를 요하지 않으므로 비저항이 높아지는 단점을 해결할 수 있다.
금속 박막, 원자층 증착, 구리, 기판, 접착력-
公开(公告)号：KR1020170132396A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160062983
申请日：2016-05-23
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L23/00 , H01L23/433 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/14 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은중립축위치가조절된유연전자소자및 그제조방법에관한것으로서, 상기유연전자소자는, 유연기판, 상기유연기판상부에형성되고, 소자형성층을포함하는반도체다이, 상기반도체다이를감싸도록형성되는몰드를포함하고, 중립축위치를상기소자형성층에가까운위치로이동시키기위한중립축위치조절용더미부를포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 중립축위치조절용더미부를형성함으로써유연기판이나몰드와같은기능층들의소재나두께등을변화시키지않고도중립축위치를정밀하게조절하는것이가능한효과가있다.
Abstract translation: 柔性电子器件包括柔性衬底，在柔性衬底上形成的半导体管芯，半导体管芯包括元件形成层，半导体管芯具有在其上形成的元件形成层，以围绕半导体管芯。 以及用于使中性轴位置更接近元件形成层的中性轴位置调整虚设部。 根据本发明，通过形成中立轴位置调整用的虚设部，能够在不改变柔性基板，模具等功能层的材质，厚度等的情况下精确地调整中立轴的位置。
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