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1.发明授权
公开(公告)号：KR101828131B1
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：KR1020150150221
申请日：2015-10-28
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 저항변화메모리소자및 그의제조방법을제공한다. 상기저항변화메모리소자는제1 전극과제2 전극을구비한다. 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는페로브스카이트결정구조를갖는유기금속할라이드를구비하는저항변화층이배치된다.
Abstract translation: 提供了一种电阻变化存储元件及其制造方法。 电阻变化存储元件具有第一电极任务和两个电极。 以及包含位于第一电极和第二电极之间的具有钙钛矿晶体结构的有机金属卤化物的电阻变化层。
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