公开(公告)号：WO2021085705A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/KR2019/014900

申请日：2019-11-05

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 최영진 ,  김태일 ,  신일재

IPC: A61N1/36 ,  A61N1/05 ,  A61B5/04 ,  A61B5/00 ,  A61B5/145

Abstract: 본 발명의 호르몬 분비량 조절 장치는 탐침부 및 이와 전기적으로 연결된 자극부를 포함하고, 상기 탐침부는 삽입고정부재, 센싱부재 및 지지부재를 포함하고, 상기 자극부는 자극부재, 연결부재 및 지지부재를 포함할 수 있는 것으로서, 살아 움직이는 동물 내에서의 호르몬 세포의 활동을 최소 침습적인 전기생리학적인 방법으로 장기간에 걸쳐 측정, 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170049758A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020150150221

申请日：2015-10-28

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 최영진 ,  유은지

IPC: H01L45/00

Abstract: 저항변화메모리소자및 그의제조방법을제공한다. 상기저항변화메모리소자는제1 전극과제2 전극을구비한다. 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는페로브스카이트결정구조를갖는유기금속할라이드를구비하는저항변화층이배치된다.

公开(公告)号：KR101945101B1

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：KR1020170052541

申请日：2017-04-24

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 최영진 ,  조치헌

IPC: H05K3/38

公开(公告)号：KR101828131B1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：KR1020150150221

申请日：2015-10-28

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 최영진 ,  유은지 ,  윤정호 ,  왕리엔조우 ,  류마오창

IPC: H01L45/00

Abstract: 저항변화메모리소자및 그의제조방법을제공한다. 상기저항변화메모리소자는제1 전극과제2 전극을구비한다. 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는페로브스카이트결정구조를갖는유기금속할라이드를구비하는저항변화층이배치된다.

Abstract translation: 提供了一种电阻变化存储元件及其制造方法。 电阻变化存储元件具有第一电极任务和两个电极。 以及包含位于第一电极和第二电极之间的具有钙钛矿晶体结构的有机金属卤化物的电阻变化层。