公开(公告)号：KR1020120016299A

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：KR1020120001471

申请日：2012-01-05

Applicant: 소이텍

Inventor： 브로에카르마르셀 ,  라두요누츠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L25/50 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/64 ,  B32B2309/65 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6836 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing device of a semiconductor device is provided to execute molecular combination of wafers for 3D integrated-circuit technology of high yield by including a combining module. CONSTITUTION: Molecular combination of wafers is operated in a vacuum chamber of a combining module(1). A vacuum pumping means(5) is connected to the vacuum chamber of the combining module by a control valve(4). The vacuum pumping means makes the inner side of the vacuum chamber vacuous. The vacuum pumping means makes the inner side of a load lock module(2) vacuous. The load lock module comprises a first gate(7) and a second gate(8). A first movable bonding chuck holds a first wafer and a second first movable bonding chuck holds a second wafer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造装置，通过包括组合模块来执行具有高产率的3D集成电路技术的晶片的分子组合。 构成：晶片的分子组合在组合模块（1）的真空室中操作。 真空泵装置（5）通过控制阀（4）连接到组合模块的真空室。 真空抽吸装置使真空室的内侧真空。 真空抽吸装置使得负载锁定模块（2）的内侧真空。 负载锁定模块包括第一门（7）和第二门（8）。 第一可移动接合夹持器保持第一晶片，并且第二第一可移动接合卡盘保持第二晶片。

公开(公告)号：KR1020110139149A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020110060332

申请日：2011-06-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 브로에카르마르셀 ,  라두요누츠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L25/50 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/64 ,  B32B2309/65 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  F16K51/02 ,  H01L21/67201 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing semiconductor devices is provided to implement a molecular bond for high yield 3D integration circuit by suppressing deformation generating the twist bond of the wafer. CONSTITUTION: In a apparatus for manufacturing semiconductor devices, a combining module(1) provides the bond of wafers under less than atmospheric. The vacuum within a vacuum chamber of a combination module is comprised of a vacuum pump(3). The vacuum pump is connected to the vacuum chamber of a combination module through a control valve(4). A load lock module(2) transfers the wafer to the combination module. The load lock module comprises a first gate(7) and a second gate(8). The first vacuum pump(5) reduces the pressure within the load lock module to less than the atmospheric.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的装置，通过抑制产生晶片的扭曲键的变形来实现用于高产率3D积分电路的分子键。 构成：在用于制造半导体器件的装置中，组合模块（1）提供小于大气压的晶片的结合。 组合模块的真空室内的真空由真空泵（3）组成。 真空泵通过控制阀（4）连接到组合模块的真空室。 负载锁定模块（2）将晶片传送到组合模块。 负载锁定模块包括第一门（7）和第二门（8）。 第一个真空泵（5）将负载锁定模块内的压力降低到小于大气压。

公开(公告)号：KR101238732B1

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：KR1020110060306

申请日：2011-06-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 사다카마리암 ,  라두요누츠

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/12

Abstract: 본딩된 반도체 구조체들을 형성하는 방법들은 반도체 구조체들을 함께 일시적이며 직접적으로 본딩하는 단계, 상기 반도체 구조체들 중의 적어도 하나를 얇게 하는 단계, 및 후속적으로 상기 얇아진 반도체 구조체를 또 다른 반도체 구조체에 영구적으로 본딩하는 단계를 포함한다. 일시적이며, 직접적인 결합은 점착제의 사용 없이 성립될 수 있다. 본딩된 반도체 구조체들은 이러한 방법들에 따라서 제조된다.

公开(公告)号：KR101234001B1

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020110060332

申请日：2011-06-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 브로에카르마르셀 ,  라두요누츠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L25/50 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/64 ,  B32B2309/65 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 반도체 소자들의 제조를 위한 장치에 관련되며, 대기압 미만의 압력 하에서 웨이퍼들의 결합을 제공하기 위한 진공 챔버를 포함하는 결합 모듈(1); 및 결합 모듈(1)에 연결되고 결합 모듈(1)로 웨이퍼들을 전송하기 위해 구성되는 로드 락 모듈(2)로서, 로드 락 모듈(2) 내의 압력을 대기압 미만으로 감소시키도록 구성된 제1 진공 펌핑 장치(5)에 연결된 로드 락 모듈(2)을 포함한다.

公开(公告)号：KR101363351B1

公开(公告)日：2014-02-14

申请号：KR1020120001471

申请日：2012-01-05

Applicant: 소이텍

Inventor： 브로에카르마르셀 ,  라두요누츠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L25/50 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/64 ,  B32B2309/65 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 반도체 소자들의 제조를 위한 장치에 관련되며, 대기압 미만의 압력 하에서 웨이퍼들의 결합을 제공하기 위한 진공 챔버를 포함하는 결합 모듈(1); 및 결합 모듈(1)에 연결되고 결합 모듈(1)로 웨이퍼들을 전송하기 위해 구성되는 로드 락 모듈(2)로서, 로드 락 모듈(2) 내의 압력을 대기압 미만으로 감소시키도록 구성된 제1 진공 펌핑 장치(5)에 연결된 로드 락 모듈(2)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120007960A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：KR1020110060306

申请日：2011-06-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 사다카마리암 ,  라두요누츠

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L29/10 ,  H01L23/12 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/66712

Abstract: PURPOSE: Methods for forming bonded semiconductor structures and semiconductor structures formed thereby are provided to permanently bond a semiconductor structure to a processed semiconductor structure by boding a dielectric material in a substrate of the processed semiconductor structure. CONSTITUTION: A first semiconductor structure is temporarily bonded to a second semiconductor structure. A substrate of the first semiconductor structure becomes compact by eliminating a substrate material from a rear surface of the first semiconductor structure. The rear surface of the first semiconductor structure, which subsequently becomes thinner, is permanently bonded to the surface of a third semiconductor structure(170). The second semiconductor structure is separated from the first semiconductor structure.

Abstract translation: 目的：形成键合的半导体结构和由此形成的半导体结构的方法被提供以通过在处理后的半导体结构的衬底中掺杂电介质材料将半导体结构永久地结合到处理的半导体结构。 构成：第一半导体结构临时结合到第二半导体结构。 通过从第一半导体结构的后表面去除衬底材料，第一半导体结构的衬底变得紧凑。 随后变得更薄的第一半导体结构的后表面永久地结合到第三半导体结构（170）的表面。 第二半导体结构与第一半导体结构分离。