公开(公告)号：KR1020120094050A

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020127015711

申请日：2010-09-24

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 반도체 구조들 및 디바이스들을 조립하는 방법들은 글라스를 이용하여 시드 구조를 기판에 접합하는 단계를 포함한다. 시드 구조는 반도체 재료의 결정을 포함할 수 있다. 글라스를 이용하여 기판 접합된 시드 구조의 열처리는 시드 구조 내에서 변형 상태를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 시드 구조는 실온에서 압축 변형 상태에 놓일 수 있다. 글라스에 접합된 시드 구조는 반도체 재료의 성장을 위해 이용될 수 있고, 추가의 방법들에 있어서, 시드 구조는 글라스를 이용하여 제1 기판에 접합되고, 시드 구조 내에서 변형 상태를 제어하기 위해 열처리될 수 있고, 제2 기판은 비글라스 재료를 이용하여 시드 구조의 대향측에 접합될 수 있다.

公开(公告)号：KR101526245B1

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：KR1020120065367

申请日：2012-06-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 본발명은반도체구조를제조하기위한방법에있어서, 시드기판(1) 및상기시드기판(1)을덮는약화된희생층(2)을포함하는핸들기판(1, 2)을제공하는단계(E1); 상기핸들기판(1, 2)을캐리어기판(3)과연결하는단계(E2); 상기캐리어기판(3)을선택적으로처리하는단계(E3); 상기반도체구조를형성하기위해상기희생층(2)에서상기핸들기판을분리하는단계(E4); 및상기시드기판(1) 위에존재하는상기희생층(2)의임의의잔여물을제거하는단계(E5)를포함하는것을특징으로하는반도체구조제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101478977B1

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020127015711

申请日：2010-09-24

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 반도체 구조들 및 디바이스들을 조립하는 방법들은 글라스를 이용하여 시드 구조를 기판에 접합하는 단계를 포함한다. 시드 구조는 반도체 재료의 결정을 포함할 수 있다. 글라스를 이용하여 기판 접합된 시드 구조의 열처리는 시드 구조 내에서 변형 상태를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 시드 구조는 실온에서 압축 변형 상태에 놓일 수 있다. 글라스에 접합된 시드 구조는 반도체 재료의 성장을 위해 이용될 수 있고, 추가의 방법들에 있어서, 시드 구조는 글라스를 이용하여 제1 기판에 접합되고, 시드 구조 내에서 변형 상태를 제어하기 위해 열처리될 수 있고, 제2 기판은 비글라스 재료를 이용하여 시드 구조의 대향측에 접합될 수 있다.

公开(公告)号：KR102047864B1

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：KR1020157006801

申请日：2013-09-06

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스 ,  코논추크올레그

IPC: C30B33/06 ,  H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  C30B29/68 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR1020160041840A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020157006801

申请日：2013-09-06

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스 ,  코논추크올레그

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B2457/14 ,  C30B29/68 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/185 ,  H01L27/1203 ,  H01L33/0079 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/24942

Abstract: 본발명은단결정잉곳(101)의제공단계, 핸들기판(102)의제공단계, 단결정잉곳(101)으로부터박편슬라이스(105)의절단단계및 핸들기판(102)에박편슬라이스(105)를접착하여유사-기판(109)의형성단계를포함유사-기판(109)의제조방법에대한것이다. 본발명에따르면, 박편슬라이스(105)의두께는단독으로사용될시 더이상기계적으로안정되지않는임계두께와실질적으로동일또는그 미만이다. 본발명은반도체구조(109)에대한것이기도하다.

公开(公告)号：KR1020130007435A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120065367

申请日：2012-06-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor structure is provided to recycle a handle substrate to reduce the waste of substrates. CONSTITUTION: A handle substrate comprises a seed substrate(1) and a sacrificial layer(2) covering the seed substrate. The handle substrate is connected to the carrier substrate. The carrier substrate is selectively processed. The handle substrate is divided from the sacrificial layer to form a semiconductor structure. The residues on the sacrificial layer are removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体结构的方法以再循环手柄基板以减少基板的浪费。 构成：处理衬底包括种子衬底（1）和覆盖种子衬底的牺牲层（2）。 手柄基板连接到载体基板。 选择性地处理载体衬底。 将手柄基板从牺牲层分割以形成半导体结构。 去除牺牲层上的残留物。