公开(公告)号：KR1020140005900A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：KR1020137015796

申请日：2011-11-16

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  카펠로루차나 ,  데보네에릭 ,  피게크리스토프 ,  코넌척올레그

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 본 발명은, 지지 기판 상의 전자 컴포넌트들을 지지하는 반도체층을 포함하는, 무선 주파수 또는 전력 응용들을 위한 전자 장치에 관한 것으로서, 지지 기판(1)은 적어도 30 W/m K의 열전도율을 가지는 베이스층(12) 및 적어도 5 ㎛의 두께를 가지는 표면층(13, 4)을 포함하고, 상기 표면층(13, 14)은 적어도 3000 Ohm.cm의 전기 저항율 및 적어도 30 W/m K의 열전도율을 가진다. 본 발명은 또한 이와 같은 장치를 제조하는 2개의 프로세스들에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101876912B1

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：KR1020137015796

申请日：2011-11-16

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  카펠로루차나 ,  데보네에릭 ,  피게크리스토프 ,  코넌척올레그

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 본발명은, 지지기판상의전자컴포넌트들을지지하는반도체층을포함하는, 무선주파수또는전력응용들을위한전자장치에관한것으로서, 지지기판(1)은적어도 30 W/m K의열전도율을가지는베이스층(12) 및적어도 5 ㎛의두께를가지는표면층(13, 4)을포함하고, 상기표면층(13, 14)은적어도 3000 Ohm.cm의전기저항율및 적어도 30 W/m K의열전도율을가진다. 본발명은또한이와같은장치를제조하는 2개의프로세스들에관한것이다.