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公开(公告)号：KR1020150122711A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020157026062
申请日：2014-02-25
Applicant: 소이텍
Inventor： 코농슈크올레그
IPC: H01L21/268 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , B23K26/126 , H01L21/02488 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L21/302 , H05K3/0026
Abstract: 본발명은구조물을처리하는방법에관한것으로서, 상기구조물은그것의전면측으로부터그것의후면측으로캐리어기판(4), 절연층(3), 및유용층(2)을포함하며, 상기유용층(2)은자유표면(S)을가지며, 상기구조물은화학종(6)을포함하는분위기내에위치하며, 상기화학종(6)은상기유용층(2)과화학적으로반응할수 있으며, 상기처리방법은, 상기유용층(2)이펄스레이저빔(8)에의해가열되며, 상기빔(8)은상기유용층(2)의상기자유표면(S)을스위핑하며, 상기빔(8)의파장은중심파장으로부터최대한플러스또는마이너스 15nm 만큼다르며, 상기중심파장은상기절연층(3)에대한상기구조물(1)의반사도의감도가제로가되도록선택되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于处理结构的方法，该结构从其背侧至其前侧包括载体基底，绝缘层和有用层，该有用层具有自由表面，该结构被放置在 含有化学物质的气氛，化学物质能够与有用层化学反应。 该处理过程值得注意的是，有用层被脉冲激光束加热，光束扫掠自由表面，波束的波长与中心波长相差至多为15nm，中心波长为 使得结构相对于绝缘层的反射率的灵敏度为零。
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公开(公告)号：KR1020150135368A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020157029834
申请日：2014-03-03
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/3225 , H01L21/3226 , H01L21/324 , H01L21/7624
Abstract: 본발명은그것의후면(60)으로부터그것의전면(70)까지지지기판, 실리콘이산화물층(90) 및반도체층(100)을포함하는구조물(50)에서실리콘이산화물층(90)을용해하는방법에관한것이며, 상기용해방법은구조물들(50)이지지대상에고정되는퍼니스내에서구현되며, 상기용해방법은상기반도체층(100)을통하여상기실리콘이산화물층(90) 내에포함된산소원자들의확산을야기하고휘발성생성물들을생성하고, 그리고상기퍼니스는상기휘발성생성물의농도변화도를적어도하나의구조물(50)의전면(70)에평행하게감소시키도록상기휘발성생성물과반응하기에적합한트랩들(110)을포함한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种将二氧化硅层溶解在结构中的方法，包括从其后表面到其前表面的支撑衬底，二氧化硅层和半导体层，该溶解方法在炉中实施 其中结构支撑在载体上，溶解方法导致二氧化硅层中包含的氧原子扩散通过半导体层并产生挥发性产物，并且该炉包括适于与挥发性产物反应的阱，以便 降低与至少一个结构的前表面平行的挥发性产物的浓度梯度。
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公开(公告)号：KR102164529B1
公开(公告)日：2020-10-12
申请号：KR1020157026062
申请日：2014-02-25
Applicant: 소이텍
Inventor： 코농슈크올레그
IPC: H01L21/3065 , B23K26/12 , H01L21/02 , H01L21/268 , H05K3/00
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公开(公告)号：KR1020160021785A
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：KR1020157035801
申请日：2014-06-11
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L21/673 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/2255 , H01L21/67098 , H01L21/67309 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/7624
Abstract: 이프로세스는, a) 상기복수개의구조물(S)을수용하기에적합한체임버(10)를제공하는단계, b) 상기체임버(10)가비산화분위기를가지도록상기체임버(10) 안에가스흐름(F)을순환시키는단계, c) 상기유전체의상기산화물내에존재하는산소가상기활성레이어를통하여확산되어상기활성레이어의상기반도체재료와반응하여휘발성재료가생성되는문턱값위의온도에서상기복수개의구조물(S)을열 처리하는단계를포함하며, 상기프로세스는상기가스흐름(F)이상기복수개의구조물(S) 사이의순환속도(rate of circulation)를가지고, 상기순환속도가상기휘발성재료의상기가스흐름안으로의확산속도(rate of diffusion)보다크도록상기단계 b)가수행되는점에서주목할만하다.
Abstract translation: 一种方法包括以下步骤：a）设置适于接收多个结构的室，b）将气流循环到室中，使得室具有非氧化气氛，c）多个 高于该阈值的结构，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层与活性层的半导体材料反应并产生挥发性材料，该过程值得注意的是步骤b）是 使得气流在多个结构之间的循环速率大于挥发性物质扩散到气流中的速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140098769A
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020147015100
申请日：2011-12-15
Applicant: 소이텍
Inventor： 코농슈크올레그
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/30 , H01L21/302 , H01L21/4814 , H01L21/76232 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66143
Abstract: 본 발명은 소자의 항복 전압 특성들을 향상시키고 누설 전류들을 감소시키기 위하여 반도체층(5) 및 금속층(7)을 포함하는 반도체 구조물의 제조 방법과 관련되며, 상기 방법은 a) 결함들 및/또는 전위들을 포함하는 반도체층을 제공하는 단계; b) 상기 결함들 및/또는 전위들 중 하나 또는 그 이상의 위치들에서 물질을 제거하여 상기 반도체층 내에 피트들(13a-13d)을 형성하는 단계; c) 상기 피트들(13a-13d)을 패시베이션하는 단계; 및 d) 상기 반도체층(5) 상에 상기 금속층(7)을 제공하는 단계;를 포함한다. 본 발명은 또한 상응하는 반도체 구조물과 관련된다.
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公开(公告)号：KR102259876B1
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：KR1020157035801
申请日：2014-06-11
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/225 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/687
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公开(公告)号：KR1020150082610A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020157015488
申请日：2013-09-19
Applicant: 소이텍
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/0633 , G01B11/30 , G02B21/361 , H01L22/12
Abstract: 본발명은다층반도체구조의층에서두께변화들을측정하는방법에관한것으로서, 상기방법은, 이미지획득시스템을통하여, 상기구조의표면의적어도하나의이미지를획득하는단계로서, 상기이미지는상기구조의표면으로부터대부분의단색광 플럭스를반사시킴으로써얻어지는, 상기이미지를획득하는단계; 및상기표면으로부터반사된광의인텐시티에서의변화들로부터, 측정될상기층의두께변화들을결정하기위해획득된상기적어도하나의이미지를처리하는단계;를포함하며, 상기대부분의단색광 플럭스의파장은, 상기두께변화들이측정되어야할 상기층 외에상기구조의하나의층에대한반사도감도의최소에대응하도록선택되며, 하나의층에대한상기반사도감도는, 의문이되는층이주어진두께차이를갖는두 개의다층구조들의반사도들사이의차이및 상기주어진두께차이사이의비와동일하며, 다른층들의두께들은그들의입장에서두 개의다층구조들에서동일한것을특징으로한다. 본발명은또한상기방법을구현하는측정시스템에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量多层半导体结构的层中的厚度变化的方法，其特征在于，其包括：经由图像采集系统获取所述结构的表面的至少一个图像，所述图像通过反射 来自结构表面的几乎单色的光通量; 并且处理所述至少一个获取的图像，以便根据从表面反射的光的强度的变化来确定待测量层的厚度的变化，并且选择几乎单色光束的波长 对应于除了必须测量其厚度变化的层之外的结构层的反射率的最小灵敏度，层的反射率的灵敏度等于：反射率之间的差异 的两层多层结构，其中所述层具有给定的厚度差; 对于给定的厚度差，其他层的厚度在两个多层结构中的部分相同。 本发明还涉及实现该方法的测量系统。
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公开(公告)号：KR1020140092889A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020147015463
申请日：2011-12-15
Applicant: 소이텍
Inventor： 코농슈크올레그
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/02664 , H01L21/30 , H01L23/3178 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 다른 전기적 특성들을 갖는 제1 층(5) 및 제2 층(7) 사이의 계면 영역(9) 및 노출면(13)을 포함하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이며, 여기서 적어도 상기 제2 층(7)은 결함들 및/또는 전위들을 포함하고, 상기 방법은 a) 상기 계면 영역(9)을 교차하는 피트들(13a-13d)을 형성하도록 상기 결함들 및/또는 전위들의 하나 또는 그 이상의 위치들에서 물질을 제거하는 단계; 및 b) 상기 피트들(13a-13d)을 패시베이션하는 단계;를 포함한다. 본 발명은 또한 상응하는 반도체 소자 구조물과 관련된다.
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