公开(公告)号：KR1020160021785A

公开(公告)日：2016-02-26

申请号：KR1020157035801

申请日：2014-06-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  코농슈크올레그 ,  구델크리스토프 ,  다비드카롤 ,  무젤세바스티엥 ,  슈네이데자비에

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/7624

Abstract: 이프로세스는, a) 상기복수개의구조물(S)을수용하기에적합한체임버(10)를제공하는단계, b) 상기체임버(10)가비산화분위기를가지도록상기체임버(10) 안에가스흐름(F)을순환시키는단계, c) 상기유전체의상기산화물내에존재하는산소가상기활성레이어를통하여확산되어상기활성레이어의상기반도체재료와반응하여휘발성재료가생성되는문턱값위의온도에서상기복수개의구조물(S)을열 처리하는단계를포함하며, 상기프로세스는상기가스흐름(F)이상기복수개의구조물(S) 사이의순환속도(rate of circulation)를가지고, 상기순환속도가상기휘발성재료의상기가스흐름안으로의확산속도(rate of diffusion)보다크도록상기단계 b)가수행되는점에서주목할만하다.

Abstract translation: 一种方法包括以下步骤：a）设置适于接收多个结构的室，b）将气流循环到室中，使得室具有非氧化气氛，c）多个 高于该阈值的结构，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层与活性层的半导体材料反应并产生挥发性材料，该过程值得注意的是步骤b）是 使得气流在多个结构之间的循环速率大于挥发性物质扩散到气流中的速率。

公开(公告)号：KR1020150087244A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020157013305

申请日：2013-09-25

Applicant: 소이텍

Inventor： 구델크리스토프 ,  코논추크올레그

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/84

Abstract: 본발명은복수의반도체-온-절연체구조 (200)의제조방법에대한것으로서, 절연체는 50nm보다더 작은두께의실리콘다이옥사이드층(202)이고, 각구조(200)는실리콘-다이옥사이드층 (202)에위치한반도체층(203)을포함하고, 제조방법은복수의구조(200)의열처리단계를포함하고, 열처리단계는실리콘-다이옥사이드층(202)을부분적으로용해시키도록설계되고, 열처리단계는비-산화분위기에서수행되고, 제조방법은 0.1bar 보다낮은비-산화분위기의압력에서수행된다.

公开(公告)号：KR1020140063742A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020147008089

申请日：2012-07-18

Applicant: 소이텍

Inventor： 피게크리스토프 ,  구델크리스토프

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02345 ,  H01L21/263 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76254 ,  H01L23/564 ,  H01L29/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 조사에 의해 분리될 층(215)을 포함하는 복합 구조(225)를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판(205); 분리될 층(215); 및 분리될 층과 지지 기판 사이에 개재된 분리층(210)을 포함하는 스택의 형성을 포함하고, 분리층은 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선(222a)의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있고, 이 방법은 복합 단계를 형성하기 위한 단계 동안, 지지 기판과 분리층 사이의 계면에서의 또는 지지 기판의 상면(205a) 위에서의 반사 광학 특성들을 수정하는 처리 단계를 더 포함한다.

公开(公告)号：KR102259876B1

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：KR1020157035801

申请日：2014-06-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  코농슈크올레그 ,  구델크리스토프 ,  다비드카롤 ,  무젤세바스티엥 ,  슈네이데자비에

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/687

公开(公告)号：KR101406090B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020120081332

申请日：2012-07-25

Applicant: 소이텍

Inventor： 라두이오누트 ,  구델크리스토프 ,  베티주크리스텔르

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/76

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 수신기 기판(2) 상에 이송된 반도체 층(10) 내 원자 종 주입과 연관된 결함 치유 방법으로서, 반도체 층(10)은 열 전도성이 이송된 반도체 층(10) 의 열 전도성보다 낮은 층(3, 3')에 의해 수신기 기판(2)으로부터 열적으로 절연되며, 방법이 수신기 기판(2)의 온도 증가를 500℃가 넘지 않게 하면서 층(10)의 융합 온도 미만의 온도로 반도체 층(10)을 가열하도록 시행된 선택적 전자기 방사의 반도체 층(10)에의 적용을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101962312B1

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：KR1020147008089

申请日：2012-07-18

Applicant: 소이텍

Inventor： 피게크리스토프 ,  구델크리스토프

IPC: H01L21/762

公开(公告)号：KR1020150053909A

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：KR1020157005869

申请日：2013-08-20

Applicant: 소이텍

Inventor： 구델크리스토프 ,  바르텔레미알렉상드르

IPC: F27D5/00

CPC classification number: F27D5/0037

Abstract: 본지지장치는중심축을가지며, 상기중심축에실질적으로평행하게연장되는 3개의수직기둥들(130,131,132); 상기중심축(X'-X)을따라이격된복수의일련의지지부재들;을포함하며, 일련의지지부재들의각각은상기복수의웨이퍼들중의하나의웨이퍼(W)를지지하기위해조정된 3개의지지부재들(140,141,142)을포함하며그리고상기중심축에대하여횡단하는근본적으로상이한길이방향들로연장되며, 각각의지지부재(140,141,142)는분리된수직기둥상에직접장착되며, 본지지장치는일련의지지부재들(135)의각각의 3개의지지부재들(140,141,142)의방향들이상기중심축상의한 점에서일치된다는것에주목할만하다.

公开(公告)号：KR1020130014381A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020120081332

申请日：2012-07-25

Applicant: 소이텍

Inventor： 라두이오누트 ,  구델크리스토프 ,  베티주크리스텔르

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/76

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  G03F1/76 ,  H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: A method for recovering defects in a semiconductor layer is provided to activate an electrical function of a transferred layer. CONSTITUTION: An atomic seed is injected to a donor substrate to generate a brittle region in a transferred semiconductor layer(10). A layer(3) with lower thermal conductivity than the semiconductor layer is formed on a receiver substrate(2) or the donor substrate. The donor substrate is combined with the receiver substrate. The donor substrate is cracked to transfer the semiconductor layer to the receiver substrate. The surface of the transferred substrate layer is polished.

Abstract translation: 目的：提供一种用于恢复半导体层中的缺陷的方法，以激活转移层的电功能。 构成：将原子种子注入施主衬底以在转移的半导体层（10）中产生脆性区域。 在接收器基板（2）或供体基板上形成具有比半导体层低的热导率的层（3）。 供体衬底与接收器衬底组合。 供体衬底被破裂以将半导体层转移到接收器衬底。 抛光转印的基底层的表面。