公开(公告)号：KR1020020053732A

公开(公告)日：2002-07-05

申请号：KR1020010084772

申请日：2001-12-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구리스겐이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  G02B5/18 ,  H01L21/465

Abstract: PURPOSE: To provide an etching method of ZnSe poly crystal, which is improved to obtain a flat etching surface. CONSTITUTION: The ZnSe poly crystal 1 is etched by the reactive ion etching method using chlorine gas which does not included a hydrocarbon group.

Abstract translation: 目的：提供ZnSe多晶体的蚀刻方法，其被改进以获得平坦的蚀刻表面。 构成：使用不包括烃基的氯气，通过反应离子蚀刻法对ZnSe多晶体1进行蚀刻。

公开(公告)号：KR101816468B1

公开(公告)日：2018-01-08

申请号：KR1020167016975

申请日：2015-04-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  구리스겐이치

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐과, 텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는산화물소결체이며, 결정상으로서텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는복산화물결정상을포함하는산화물소결체, 그리고이 산화물소결체를타겟으로서이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

公开(公告)号：KR100540862B1

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：KR1020010084772

申请日：2001-12-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구리스겐이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  G02B5/18 ,  H01L21/465

Abstract: 반응성 이온 에칭을 ZnSe 다결정 기판에 적용하는 경우, 이에 사용되는 반응성 기체는 탄화수소 그룹을 포함하지 않는 염소계 기체이다. 또는 반응성 기체는 탄화수소 그룹을 포함하지 않는 염소계 기체와 다른 기체를 혼합시킴으로써 제조된 기체이다. 기타 다른 기체로는 불활성 기체 또는 ZnSe와 반응하지 않는 기체가 있다. BCl
3 기체는 염소계 기체의 한 종류이다. Ar 기체는 불활성 기체의 한 종류이다. RF 전력은 기체를 활성화시키는 하나의 수단이다.
ZnSe 다결정체, 회절형 광학 부품, 반응성 이온 에칭, 염소계 기체, 표면 조도, 표면 균일도.

公开(公告)号：KR1020160089498A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：KR1020167016975

申请日：2015-04-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  구리스겐이치

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457

Abstract: 인듐과, 텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는산화물소결체이며, 결정상으로서텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는복산화물결정상을포함하는산화물소결체, 그리고이 산화물소결체를타겟으로서이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌和锡中的至少一种的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为结晶相的复合氧化物结晶相，其包含钨和至少一种锌和锡。 还提供了一种半导体器件（10），其包括通过使用氧化物烧结体作为靶的通过溅射法形成的氧化物半导体膜（14）。

公开(公告)号：KR1020140071971A

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：KR1020137035127

申请日：2012-10-04

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  닛신덴키 가부시키 가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  아와타히데아키 ,  오카다히로시 ,  구리스겐이치 ,  안도야스노리 ,  다카하시에이지 ,  후지와라마사키

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78603

Abstract: 실리콘 원자, 불소 원자 및 질소 원자를 포함하는 절연막으로서, 산소 원자를 포함하는 기판 상에 배치된 제1 실리콘나이트라이드막과, 이 제1 실리콘나이트라이드막에 접하여 배치된 제2 실리콘나이트라이드막을 구비하고, 상기 제2 실리콘나이트라이드막에 포함되는 불소량은, 상기 제1 실리콘나이트라이드막에 포함되는 불소량보다 많은 절연막이 제공되고, 인듐 원자 및 산소 원자를 포함하는 산화물 반도체층과, 실리콘 원자, 불소 원자 및 질소 원자를 포함하는 절연막을 갖는 반도체 소자가 제공된다. 이 반도체 소자는 박막 트랜지스터로 할 수 있다.