公开(公告)号：KR1020070051695A

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020060111471

申请日：2006-11-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아와타히데아키 ,  에무라가츠지 ,  요시다겐타로

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/20 ,  C23C14/546 ,  C23C14/562

Abstract: 본 발명은, 예비실험에 있어서, 장척 띠형상 기재(10)에 긴쪽방향에 있어서의 막두께가 균일하게 되도록 성막작업을 실시하고, 실험 시의 성막작업 개시시점부터의 경과시간과 그 시간에 있어서의 전원(51)의 출력을 측정해서 얻어진 시간과 출력의 관계를 기억장치(9)에 기억한다. 이후의 장척 띠형상 기재(10)에의 성막은 다음과 같이 실시한다. 우선, 성막작업 개시 전의 예비가열단계는, 수정발진식 막두께계(6)를 이용해서, 소망하는 성막속도로 안정되도록 전원(51)의 출력을 제어한다. 다음에, 소망하는 성막속도로 된 후, 기재반송장치(3)를 구동시켜서 장척 띠형상 기재(10)에의 성막작업을 개시한다. 그리고, 성막작업 개시 후는, 기억장치(9)에 의해 기억한 경과시간의 출력과 일치시키도록 전원(51)의 출력을 제어함으로써 성막작업을 실시하는 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR101919268B1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：KR1020177013037

申请日：2016-05-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하는산화물소결체로서, 산화물소결체의주성분이며빅스바이트형결정상을포함하는제1 결정상과, 제1 결정상보다아연의함유율이높은제2 결정상을포함하고, 제2 결정상을구성하는입자는, 평균장축직경이 3 ㎛이상 50 ㎛이하이며, 평균종횡비가 4 이상 50 이하인산화물소결체가제공된다.

公开(公告)号：KR1020160089498A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：KR1020167016975

申请日：2015-04-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  구리스겐이치

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457

Abstract: 인듐과, 텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는산화물소결체이며, 결정상으로서텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는복산화물결정상을포함하는산화물소결체, 그리고이 산화물소결체를타겟으로서이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌和锡中的至少一种的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为结晶相的复合氧化物结晶相，其包含钨和至少一种锌和锡。 还提供了一种半导体器件（10），其包括通过使用氧化物烧结体作为靶的通过溅射法形成的氧化物半导体膜（14）。

公开(公告)号：KR1020140071971A

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：KR1020137035127

申请日：2012-10-04

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  닛신덴키 가부시키 가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  아와타히데아키 ,  오카다히로시 ,  구리스겐이치 ,  안도야스노리 ,  다카하시에이지 ,  후지와라마사키

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78603

Abstract: 실리콘 원자, 불소 원자 및 질소 원자를 포함하는 절연막으로서, 산소 원자를 포함하는 기판 상에 배치된 제1 실리콘나이트라이드막과, 이 제1 실리콘나이트라이드막에 접하여 배치된 제2 실리콘나이트라이드막을 구비하고, 상기 제2 실리콘나이트라이드막에 포함되는 불소량은, 상기 제1 실리콘나이트라이드막에 포함되는 불소량보다 많은 절연막이 제공되고, 인듐 원자 및 산소 원자를 포함하는 산화물 반도체층과, 실리콘 원자, 불소 원자 및 질소 원자를 포함하는 절연막을 갖는 반도체 소자가 제공된다. 이 반도체 소자는 박막 트랜지스터로 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140036176A

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020137029873

申请日：2012-06-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  오카다히로시 ,  요시무라마사시

IPC: H01B1/08 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: C01G9/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 도전성 산화물은, In과, Al과, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소인 M과, O를 포함하고, 또한 결정질 Al
2 MO
4 를 포함한다. 도전성 산화물의 제조 방법은, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 M으로 할 때, Al
2 O
3 분말과 MO 분말을 포함하는 제1 혼합물을 조제하는 공정(S10)과, 제1 혼합물을 가소함으로써 결정질 Al
2 MO
4 분말을 제작하는 공정(S20)과, 결정질 Al
2 MO
4 분말과 In
2 O
3 분말을 포함하는 제2 혼합물을 조제하는 공정(S30)과, 제2 혼합물을 성형함으로써 성형체를 얻는 공정(S40)과, 성형체를 소결하는 공정(S50)을 포함한다. 이것에 의해, 저렴하고 스퍼터링의 타겟에 적합하게 이용되어 고물성의 산화물 반도체막을 얻을 수 있는 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR102003077B1

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：KR1020137029873

申请日：2012-06-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  오카다히로시 ,  요시무라마사시

IPC: H01B1/08 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101996778B1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：KR1020187032478

申请日：2016-05-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR1020170032430A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：KR1020177004484

申请日：2016-02-05

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  아와타히데아키

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01L29/78618 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 게이트전극(2)과, 게이트전극(2)의직하영역또는직상영역에배치되는채널층(7)과, 채널층(7)에접하여배치되는소스전극(5) 및드레인전극(6)과, 게이트전극(2)과채널층(7) 사이에배치되는제1 절연층(3)을포함하며, 채널층(7)은제1 산화물반도체를포함하고, 소스전극(5) 및드레인전극(6) 중적어도한쪽은제2 산화물반도체를포함하며, 제1 산화물반도체및 제2 산화물반도체는, 인듐, 텅스텐및 아연을함유하는반도체디바이스와그 제조방법이제공된다.

Abstract translation: 与沟道层7接触设置的源电极5和漏电极6以及与沟道层7接触布置的漏电极6; 以及设置在栅电极2和沟道层7之间的第一绝缘层3.沟道层7包括第一氧化物半导体，并且源电极5和漏电极6由单层结构形成， 其中第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包括铟，钨和锌，以及制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：KR1020170007372A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020167034514

申请日：2015-04-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아와타히데아키 ,  요시다가츠히토 ,  소가베고이치 ,  히로세요시유키 ,  이토야스시 ,  우에니시노보루 ,  곤도유카 ,  이시두사다무 ,  야마모토다케히사

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  H01S5/022

CPC classification number: C09K5/14 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/612 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02476

Abstract: AlN 소결체는 AlN 결정립과입계상을포함하고, 이입계상의비커스경도가이 AlN 결정립의비커스경도보다도낮다.

Abstract translation: AlN烧结体包括AlN晶粒和晶界相，晶界相的维氏硬度小于AlN晶粒的维氏硬度。

公开(公告)号：KR101361631B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020097005099

申请日：2007-11-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 에무라카츠지 ,  우에무라타카시 ,  아와타히데아키 ,  요시다켄타로 ,  오가와미츠야스 ,  이쿠타리키조

IPC: H01M10/04 ,  H01M10/05 ,  H01M6/02

CPC classification number: H01M2/1673 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0585

Abstract: 본 발명의 전지는, 정극층(20)과, 부극층(50)과, 양 전극층간에서 이온 전도를 행하는 전해질층(40)을 갖는다. 이 전지에 있어서, 정극층(20)과 부극층(50)은 적층되고, 정극층(20)과 부극층(50)과의 사이에 절연층(30)이 개재되어 있다. 이 절연층(30)은, 정극층(20) 및 부극층(50)의 한쪽 보다 면적이 작고, 다른 한쪽 보다 면적이 크게 구성되어 있다. 정극층(20)과 부극층(50)이 전해질층(40)만을 개재하여 대면하는 개소가 없도록 하고 있다. 정극층(20)과 부극층(50)과의 사이에 절연층(30)을 개재시킴으로써, 가령 전해질층(40)에 핀홀이 있더라도, 정부극층 사이의 단락을 억제할 수 있다.
전지, 정극성, 부극성, 전해질층, 절연층, 핀홀, 단락

Abstract translation: 本发明的电池具有用于在两个电极层之间传导离子传导的正极层（20），负极层（50）和电解质层（40）。 在该电池中，正极层20和负极层50层叠，并且绝缘层30介于正极层20和负极层50之间。 绝缘层30的面积小于正极层20和负极层50中的一个的面积，并且具有比另一个更大的面积。 使得正电极层20和负电极层50不经由电解质层40彼此面对。 通过在正极层20和负极层50之间插入绝缘层30，例如即使在电解质层40中存在针孔，也可以抑制正极层之间的短路。