公开(公告)号：KR1020170049630A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：KR1020177011334

申请日：2015-03-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B28B3/003 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/22 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐과텅스텐과아연을포함하는산화물소결체로서, 빅스바이트(bixbite)형결정상을주성분으로서포함하고, 겉보기밀도가 6.5 g/㎤보다크고 7.1 g/㎤이하이고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 1.2 원자%보다크고 30 원자%보다작고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 1.2 원자%보다크고 30 원자%보다작은산화물소결체, 이것을포함하는스퍼터타겟, 그리고상기스퍼터타겟을이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 作为氧化物烧结体含有铟和钨，和锌，以及含有作为在格斯字节（红绿柱石）型结晶相的主要成分，和6.5的表观密度克/㎤大于7.1克/㎤或更少，铟，基于总的钨和锌的 钨的含量小于1.2原子％以上且小于30原子％，铟，钨，和总共30％（原子），锌的含量为氧化锌烧结体大于1.2原子％，含有相同的溅射靶，溅射 提供了一种包括通过使用靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10。

公开(公告)号：KR1020150143812A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020157032831

申请日：2015-03-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B28B3/003 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/22 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐과텅스텐과아연을포함하는산화물소결체로서, 빅스바이트(bixbite)형결정상을주성분으로서포함하고, 겉보기밀도가 6.5 g/㎤보다크고 7.1 g/㎤이하이고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 1.2 원자%보다크고 30 원자%보다작고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 1.2 원자%보다크고 30 원자%보다작은산화물소결체, 이것을포함하는스퍼터타겟, 그리고상기스퍼터타겟을이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括双键型晶相作为主要成分，其表观密度高于6.5g / cm 3且等于或低于7.1g / cm 3，钨的总含量为铟，钨和锌的含有率高于1.2原子％且低于30原子％，并且锌与铟，钨和锌的总含量比高于1.2 原子％且低于30原子％。 还提供了包括该氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶通过溅射法形成的氧化物半导体膜（14）的半导体器件（10）。

公开(公告)号：KR102003077B1

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：KR1020137029873

申请日：2012-06-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  오카다히로시 ,  요시무라마사시

IPC: H01B1/08 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020170007372A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020167034514

申请日：2015-04-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아와타히데아키 ,  요시다가츠히토 ,  소가베고이치 ,  히로세요시유키 ,  이토야스시 ,  우에니시노보루 ,  곤도유카 ,  이시두사다무 ,  야마모토다케히사

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  H01S5/022

CPC classification number: C09K5/14 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/612 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02476

Abstract: AlN 소결체는 AlN 결정립과입계상을포함하고, 이입계상의비커스경도가이 AlN 결정립의비커스경도보다도낮다.

Abstract translation: AlN烧结体包括AlN晶粒和晶界相，晶界相的维氏硬度小于AlN晶粒的维氏硬度。

公开(公告)号：KR1020160089498A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：KR1020167016975

申请日：2015-04-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  구리스겐이치

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457

Abstract: 인듐과, 텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는산화물소결체이며, 결정상으로서텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는복산화물결정상을포함하는산화물소결체, 그리고이 산화물소결체를타겟으로서이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌和锡中的至少一种的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为结晶相的复合氧化物结晶相，其包含钨和至少一种锌和锡。 还提供了一种半导体器件（10），其包括通过使用氧化物烧结体作为靶的通过溅射法形成的氧化物半导体膜（14）。

公开(公告)号：KR1020140036176A

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020137029873

申请日：2012-06-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  오카다히로시 ,  요시무라마사시

IPC: H01B1/08 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: C01G9/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 도전성 산화물은, In과, Al과, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소인 M과, O를 포함하고, 또한 결정질 Al
2 MO
4 를 포함한다. 도전성 산화물의 제조 방법은, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 M으로 할 때, Al
2 O
3 분말과 MO 분말을 포함하는 제1 혼합물을 조제하는 공정(S10)과, 제1 혼합물을 가소함으로써 결정질 Al
2 MO
4 분말을 제작하는 공정(S20)과, 결정질 Al
2 MO
4 분말과 In
2 O
3 분말을 포함하는 제2 혼합물을 조제하는 공정(S30)과, 제2 혼합물을 성형함으로써 성형체를 얻는 공정(S40)과, 성형체를 소결하는 공정(S50)을 포함한다. 이것에 의해, 저렴하고 스퍼터링의 타겟에 적합하게 이용되어 고물성의 산화물 반도체막을 얻을 수 있는 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR102042905B1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：KR1020177011334

申请日：2015-03-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101863467B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020167011648

申请日：2015-06-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하고, 빅스바이트형(bixbite type) 결정상을주성분으로서포함하며, 겉보기밀도가 6.8 g/㎤보다크고 7.2 g/㎤이하이고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하이며, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하인산화물소결체및 그제조방법, 상기산화물소결체를포함하는스퍼터타겟, 및상기스퍼터타겟을이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

公开(公告)号：KR101816468B1

公开(公告)日：2018-01-08

申请号：KR1020167016975

申请日：2015-04-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  구리스겐이치

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐과, 텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는산화물소결체이며, 결정상으로서텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는복산화물결정상을포함하는산화물소결체, 그리고이 산화물소결체를타겟으로서이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

公开(公告)号：KR1020160065188A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020167011648

申请日：2015-06-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  H01L21/02266

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하고, 빅스바이트형(bixbite type) 결정상을주성분으로서포함하며, 겉보기밀도가 6.8 g/㎤보다크고 7.2 g/㎤이하이고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하이며, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하인산화물소결체및 그제조방법, 상기산화물소결체를포함하는스퍼터타겟, 및상기스퍼터타겟을이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括双键型晶相作为主要成分，其表观密度高于6.8g / cm 3且等于或低于7.2g / cm 3时，钨的总含量为铟，钨，锌的含有率为0.5原子％以上且1.2原子％以下，锌与铟，钨，锌的合计含有率高于 0.5原子％且等于或小于1.2原子％。 还提供了一种用于制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶通过溅射法形成的氧化物半导体膜的半导体器件。