公开(公告)号：KR1020110014970A

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020107018044

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며, 또한 디바이스를 제작하였을 때에 높은 발광 출력 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는, 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020050020750A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020047005486

申请日：2003-07-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  이와사키다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은 인듐 함유 웨이퍼의 특성을 정밀도 좋게 측정할 수 있으며 또한 비파괴 시험인 수은 CV법을 적용 가능하게 하기 위해서 수은 제거를 확실하게 행할 수 있는 인듐 함유 웨이퍼 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 인듐 함유 웨이퍼는 표면에 부착된 수은을 제거할 목적으로 최외(最外)외표면층에 형성된 부가적인 화합물 반도체로 이루어지는 수은 제거층을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 인듐 함유 웨이퍼의 제조 방법은 상기 수은 제거층의 표면에 부착시킨 수은을 전극으로 하여, 상기 웨이퍼의 전기 특성을 평가한 후, 상기 수은 제거층을 제거함으로써 표면에 부착된 수은을 제거하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020110015522A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107023851

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며 또한 디바이스를 제작하였을 때에 높은 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다 높은 것을 특징으로 한다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110015514A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107021907

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/0062 ,  C30B19/00 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며, 디바이스를 제작하였을 때에 높은 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는, 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비하고 있다.