公开(公告)号：KR101238464B1

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：KR1020107017039

申请日：2009-07-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아다치마사히로 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치 ,  도쿠야마신지 ,  가타야마고지 ,  나카무라다카오 ,  이케가미다카토시

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.

公开(公告)号：KR1020120023687A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020117027870

申请日：2010-10-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아다치마사히로 ,  도쿠야마신지 ,  가타야마고지

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/36 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34

Abstract: 본 발명은 전극과의 접촉 저항이 저감된 화합물 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 화합물 반도체 소자는, 표면(S1)과 표면(S2)을 갖고 있고 육방정계 화합물 반도체의 GaN으로 이루어진 n 기판(3)과, n 기판(3)의 표면(S1)에 설치된 n 전극(13)과, n 기판(3)의 표면(S2)에 설치된 n 클래드층(5), 활성층(7), p 클래드층(9) 및 컨택트층(11)을 갖는 적층체와, p 클래드층(9) 상에 설치된 p 전극(15)을 구비한다. n 기판(3)의 표면(S1)에 포함되는 N 원자의 수는 표면(S1)에 포함되는 Ga 원자의 수보다 크고, 표면(S1)에 설치되는 전극은 n 전극(13)이며, 표면(S1)의 산소 농도는 5 원자 퍼센트 이하이다. 컨택트층(11)의 표면(S3)에 포함되는 Ga 원자의 수는 표면(S3)에 포함되는 N 원자의 수보다 크고, 표면(S3)에 설치되는 전극은 p 전극(15)이며, 표면(S3)의 산소 농도는 5 원자 퍼센트 이하이다.

公开(公告)号：KR101087851B1

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020097018069

申请日：2009-02-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  아라카와사토시

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 GaN계 반도체층 형성 공정(S10)과, GaN계 반도체층 상에 Al막을 형성하는 공정(S20)과, 에칭 속도가 Al막을 구성하는 재료보다 작은 재료로 이루어지는 마스크층을 형성하는 공정(S30, S40)과, 마스크층을 마스크로서 이용하여 Al막(3) 및 GaN계 반도체층(2)을 부분적으로 제거함으로써 릿지부를 형성하는 공정(S50)과, Al막의 단부면의 측벽의 위치를 마스크층의 측벽의 위치보다 후퇴시키는 공정(S60)과, 에칭 속도가 Al막을 구성하는 재료보다 작은 재료로 이루어지는 보호막을, 릿지부의 측면 및 마스크층의 상부 표면 상에 형성하는 공정(S70)과, Al막을 제거함으로써, 마스크층 및 이 마스크층의 상부 표면 상에 형성된 보호막의 부분을 제거하는 공정(S80)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100027092A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020097018069

申请日：2009-02-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  아라카와사토시

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor element is provided with a GaN semiconductor layer forming step (S10); a step (S20) of forming an Al film on the GaN semiconductor layer; steps (S30, S40) of forming a mask layer composed of a material having an etching speed lower than that of a material constituting the Al mask; a step (S50) of forming a ridge section by partially removing the Al film and the GaN semiconductor layer by using the mask layer as a mask; a step (S60) of making the position of a side wall of an end surface of the Al film recede from the position of the side wall of the mask layer; a step (S70) of forming a protection film, which is composed of a material having an etching speed lower than that of the material constituting the Al film, on a side surface of the ridge section and on the upper surface of the mask layer; and a step (S80) of removing the mask layer and a part of the protection film formed on the upper surface of the mask layer by removing the Al film.

Abstract translation: 半导体元件的制造方法具备GaN半导体层形成工序（S10）。 在所述GaN半导体层上形成Al膜的步骤（S20）; 形成由蚀刻速度低于构成Al掩模​​的材料的蚀刻速度的材料构成的掩模层的步骤（S30，S40）; 通过使用掩模层作为掩模来部分去除Al膜和GaN半导体层来形成脊部的步骤（S50） 使得Al膜的端面的侧壁的位置从掩模层的侧壁的位置后退的步骤（S60） 在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤（S70），所述保护膜由蚀刻速度低于构成所述Al膜的材料的材料构成; 以及通过去除Al膜去除掩模层和形成在掩模层的上表面上的保护膜的一部分的步骤（S80）。

公开(公告)号：KR1020050053518A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1020040101099

申请日：2004-12-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요우이치 ,  기야마마코토 ,  나카무라다카오 ,  사쿠라다다카시 ,  아키타가츠시 ,  우에마츠고지 ,  이케다아야코 ,  가타야마고지 ,  요시모토스스무

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A light emitting device includes a nitride semiconductor substrate (1) with a resistivity of 0.5 ©-cm or less, an n-type nitride semiconductor layer (3) and a p-type nitride semiconductor layer (5) placed more distantly from the nitride semiconductor substrate (1) than the n-type nitride semiconductor layer at a first main surface side of the nitride semiconductor substrate (1), and a light emitting layer (4) placed between the n-type nitride semiconductor layer (3) and the p-type nitride semiconductor layer (5), wherein one of the nitride semiconductor substrate (1) and the p-type nitride semiconductor layer (5) is mounted at the top side which emits light and the other is placed at the down side, and a single electrode is placed at the top side. Therefore, there is provided a light emitting device which has a simple configuration thereby making it easy to fabricate, can provide a high light emission efficiency for a long time period, and can be easily miniaturized.

公开(公告)号：KR1020110033976A

公开(公告)日：2011-04-04

申请号：KR1020107017039

申请日：2009-07-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아다치마사히로 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치 ,  도쿠야마신지 ,  가타야마고지 ,  나카무라다카오 ,  이케가미다카토시

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.

公开(公告)号：KR1020110015522A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107023851

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며 또한 디바이스를 제작하였을 때에 높은 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다 높은 것을 특징으로 한다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110015514A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107021907

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/0062 ,  C30B19/00 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며, 디바이스를 제작하였을 때에 높은 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는, 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR100955634B1

公开(公告)日：2010-05-03

申请号：KR1020040101099

申请日：2004-12-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요우이치 ,  기야마마코토 ,  나카무라다카오 ,  사쿠라다다카시 ,  아키타가츠시 ,  우에마츠고지 ,  이케다아야코 ,  가타야마고지 ,  요시모토스스무

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 비저항 0.5 Ω·cm 이하의 질화물 반도체 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에, n형 질화물 반도체층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 질화물 반도체층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 질화물 반도체층(5)과, n형 질화물 반도체층(3)과 p형 질화물 반도체층(5) 사이에 위치하는 발광층(4)을 구비하며, 질화물 반도체 기판(1) 및 p형 질화물 반도체층(5) 중 어느 한 쪽을 빛을 방출하는 톱 측에, 또 다른 쪽을 다운 측에 실장하고, 그 톱 측에 위치하는 전극이 하나로 구성된다. 이에 따라, 소형화가 가능하고, 또한 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장기간 안정적으로 얻을 수 있는 발광 소자를 얻을 수 있다.

Abstract translation: 一种发光器件，包括电阻率为0.5Ω·cm或更小的氮化物半导体衬底（1），n型氮化物半导体层（3）和p型氮化物半导体层（5），所述p型氮化物半导体层 在所述氮化物半导体衬底（1）的第一主表面侧处具有比所述n型氮化物半导体层（1）更高的氮化物半导体衬底（1），以及位于所述n型氮化物半导体层（3）和 所述p型氮化物半导体层（5），其中所述氮化物半导体衬底（1）和所述p型氮化物半导体层（5）中的一个安装在发射光的顶侧，而另一个位于所述衬底的下侧 ，并将单个电极放置在顶侧。 因此，提供了一种发光装置，其具有简单的构造，从而使其易于制造，可以提供长时间的高发光效率，并且可以容易地小型化。

公开(公告)号：KR101285049B1

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020117010709

申请日：2010-11-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다카기심페이 ,  요시즈미유스케 ,  가타야마고지 ,  우에노마사키 ,  이케가미다카토시

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 육방정계 III족 질화물의 c축이 m축 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이고, 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 에지(13c)로부터 제2 면(13b)의 에지(13d)까지 연장된다. 또한 예컨대 제1 할단면(27)의 일단에는, 에지(13c)로부터 에지(13d)까지 연장되는 스크라이브 마크(SM1)를 가지며, 스크라이브 마크(SM1) 등은, 에지(13c)로부터 에지(13d)까지 연장되는 오목 형상을 갖는다. 할단면(27, 29)은 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 지금까지의 벽개면과는 상이하다. 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다.