公开(公告)号：KR1020110014970A

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020107018044

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며, 또한 디바이스를 제작하였을 때에 높은 발광 출력 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는, 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070029685A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020067021080

申请日：2005-03-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나리츠카시게야 ,  마루야마다카히로 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: A semiconductor light emitting element including a transparent compound semiconductor substrate having a lattice constant not coherent with that of a compound semiconductor that projects light. A semiconductor light emitting element (10) is provided with a GaP substrate (1), an active layer (4), which is positioned at an upper part of the GaP substrate (1) and includes an n- type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer (3), which is positioned between the GaP substrate (1) and the active layer (4) and is formed by epitaxial horizontal direction growth. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种半导体发光元件，包括具有与投影光的化合物半导体的晶格常数不相干的透明化合物半导体衬底。 半导体发光元件（10）设置有GaP基板（1），有源层（4），其位于GaP基板（1）的上部，并且包括n型AlInGaP层和p型 型AlInGaP层和位于GaP基板（1）和有源层（4）之间并通过外延水平方向生长形成的ELO层（3）。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020110015522A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107023851

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며 또한 디바이스를 제작하였을 때에 높은 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다 높은 것을 특징으로 한다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110015514A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107021907

申请日：2009-05-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC classification number: H01L33/0062 ,  C30B19/00 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628

Abstract: 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며, 디바이스를 제작하였을 때에 높은 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는, 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비하고 있다.