公开(公告)号：KR100230894B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019960022846

申请日：1996-06-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마쯔자키켄이치로 ,  이시이가쿠 ,  오토베켄지 ,  하시나가타쯔야

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12032 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/141 ,  H05K1/182 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/4092 ,  H05K5/0091 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2201/10386 ,  H05K2201/10416 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 전력증폭모듈은 패키지기판상에 장착됨과 동시에 배선기판에 형성된 관통구멍을 통해 노출된 적어도 1개의 방열기를 구비하고, 이 적어도 1개의 방열기의 표면상에는 전력증폭회로를 형성하는 적어도 1개의 반도체칩이 베어칩상태로 실장되어 배선기판상의 전자회로패턴에 전기접속되어 있다. 패키지기판과 적어도 1개의 방열기는 각각 배선기판의 재료보다도 열전도도가 큰 재료로 이루어져 있고, 이와 같이 형성된 전력증폭모듈은 해당 모듈에서 발생된 열을 고효율로 외부로 방출하므로, 고성능·고신뢰성의 전력증폭모듈을 달성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970004987A

公开(公告)日：1997-01-29

申请号：KR1019960022846

申请日：1996-06-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마쯔자키켄이치로 ,  이시이가쿠 ,  오토베켄지 ,  하시나가타쯔야

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12032 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/141 ,  H05K1/182 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/4092 ,  H05K5/0091 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2201/10386 ,  H05K2201/10416 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 전력증폭모듈은, 패키지기판상에장착됨과동시에배선기판에형성된관통구멍을통해노출된적어도 1개의방열기를구비하고, 이적어도 1개의방열기의표면상에는전력중폭회로를형성하는적어도 1개의반도체칩이베어칩상태로실장되어배선기판상의전자회로패턴에전기접속되어있다. 패키지기판과적어도 1개의방열기는각각배선기관의재료보다도열전도도가크 재료로이루어져있고, 이와같이형성된전력중폭모듈은해당모들에서발생된열을고효율로외부로방출하므로, 고성능·고신뢰성의전력증폭모듈을달성할수 있다.

公开(公告)号：KR100247898B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019960018656

申请日：1996-05-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하시나카타쯔야 ,  이시이가쿠 ,  오토베켄지 ,  마쯔자키켄이치로

IPC: H05K7/14

CPC classification number: H05K5/0091

Abstract: 전자부품에 있어서, 주요면에 전자소자를 장착한 전자기판은 금속프레임에 장착된다. 전자기판은 금속프레임에 끼워맞춤된 금속뚜껑으로 덮이고 금속프레임과 금속뚜껑으로 구성된 금속패키지에 수납된다. 전자기판의 적어도 일단부에는 적어도 1개의 노치부가 형성되어 있고, 금속프레임에 형성된 위치결정돌출부는 노치부와 맞물린다. 이와같이해서 기계적인 정밀도와 전기특성이 향상되므로, 간단한 제조공정으로 제작할 수 있는, 특히 고주파특성이 우수한 전자부품을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960043148A

公开(公告)日：1996-12-23

申请号：KR1019960018656

申请日：1996-05-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하시나카타쯔야 ,  이시이가쿠 ,  오토베켄지 ,  마쯔자키켄이치로

IPC: H05K7/14

公开(公告)号：KR1019940006287A

公开(公告)日：1994-03-23

申请号：KR1019930014410

申请日：1993-07-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  마쯔자키켄이치로

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 게이트길이가 짧은 게이트전극을 가진 전계효과트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 더미게이트(5)를 마스크로 해서 제1불순물층(6)을 형성한 후에, 이 더미게이트(5)의 측면부가 에칭된다. 그리고, 에칭후의 더미게이트(5)를 마스크로 해서 제1불순물층(6)보다도 저농도의 제2불순물층(7)이 형성되고, 이 더미게이트(5)의 반전패턴을 마스크로 해서 게이트전극(9)이 형성된 것을 특징으로 한다.