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    전력증폭모듈
    2.
    发明公开
    전력증폭모듈 失效

    公开(公告)号：KR1019970003885A

    公开(公告)日：1997-01-29

    申请号：KR1019960023036

    申请日：1996-06-22

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 마츠자키켄이치로 ,  이시이가쿠 ,  오토베켄지 ,  하시나가타츠야

    IPC: H01L23/28

    Abstract: 본 발명은, 반도체디바이스를 실장해서 전력증폭회로와 전기적으로 접속한 배선기판을, 패키지에 탑재해서 구성된 전력증폭모듈에 관한 것으로서, 파워앰프로부터 발생한 열을 외부에 고효율로 방출함으로써, 고성능화를 달성하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 전력증폭모듈(10)은, 대략 평판형상의 패키지기체인 스템(30)과, 대략 사각형상자형상의 금속제 패키지덮개인 캡(40)을 접합해서 구성된 패키지(20)을 구비하고 있다. 스템(30)위에는, 대략 평판형상의 배선기판(50)이 설치되어 있고, 이 배선기판(50)은 캡(40)으로 덮여 있다. 배선기판(50)에는 2개의 도려낸 구멍(52a)(52b)이 형성되어 있고, 이 두려낸구멍(52a)(52b)으로부터 노출한 스템(30)위에는 각각 대략 평판형상의 2개의 히트스프레더(60a)(60b)가 설치되어 있다. 이들 히트스프레더(60a)(60b)의 각 표면위에는, 수지 등에 의해서 밀봉된 반도체디바이스(70a)(70b)가 각각 납땜등에 의해 설치 되어 있는 것을 특징으로 한 것이다.

    전계 효과 트랜지스터
    3.
    发明公开
    전계 효과 트랜지스터 无效

    公开(公告)号：KR1019940020599A

    公开(公告)日：1994-09-16

    申请号：KR1019940003425

    申请日：1994-02-25

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 마츠자키켄이치로 ,  나카지마시게루 ,  쿠와타노부히로 ,  오토베켄지 ,  시가노부오

    IPC: H01L29/772

    Abstract: 본 발명은 초고속동작을 하는 전계효과트랜지스터(FET)의 구조에 관한 것으로서, 채널전자의 이동도가 높고, 포화전자속도가 높은 FET를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 반절연성 GaAs 반도체기판(11)위에 언도우프의 버퍼층(12), 고농도의 채널층(13), 언도우프의 캡층(14)이 형성된다. 다음에, 선택이온주입에 의해 n
    + 형의 드레인영역(15) 및 소스영역(16)이 형성된다.
    다음에 게이트전극(17), 드레인전극(18) 및 소스전극(19)이 형성된다. 채널층(13)은 SiH
    4 가스의 공급량이 서서히 높아져서 형성되기 때문에, 그 불순물농도는 기판 표면으로부터 떨어짐에 따라서 낮게되어 있는 것을 특징으로 한 것이다.

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