公开(公告)号：KR100227259B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960033838

申请日：1996-08-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지무라야스시 ,  쿠하라요시유키 ,  야마바야시나오유키

IPC: G02B6/26

CPC classification number: G02B6/30 ,  G02B6/4207 ,  G02B6/4227 ,  G02B6/4237 ,  G02B6/4249 ,  Y10S359/90

Abstract: 본 발명은, 광통신이나 광계측에 사용되는 반도체레이저나 수광소자, 광도파로 등의 광학부품과 광파이버 또는 이들의 어레이를 조합할때에 불가결한 광축조심방법과 그 장치, 이 조심방법을 이용한 검사방법과 검사장치, 또 이 조심방법을 이용한 광학모듈의 제조방법, 제조장치에 관한 것으로서 반도체레이저의 광을 렌즈에 의해서 집광하고, 집광점을 찾아서 여기에 광파이버단부면을 합치시키는 조심조작의 개량을 가져다준다. 종래에는 파워미터에 연결된 광파이버의 단부면을 광이 존재하지 않는 점에서 주사를 시작하고, 반도체레이저의 광을 찾고, 광의 일부를 발견한 후에는 광량이 증가하는 방향으로 광파이버를 움직이고 있었다. 광을 발견할때까지 시간이 너무 걸려서 조심코스트가 높아진다. 반도체레이저의 광을 발견하는 시간을 단축하여 전체로서의 조심시간을 짧게하는 것을 목적으로 한것이며, 그 구성에 있어서, 반도체위치검출기와 광파이버를 1개의 지지대에 고정하고, 반도체 위치검출기를 처음에 반도체레이저, 렌즈계에 대향시켜서, 집광점의 위치검출기수광면에서의 위치를 결정한다. 집광점위치와 광파이버위치의 차를 계산할 수 있으므로, 그 만큼 반도체레이저와 광파이버를 상대이동시킨다. 이에 의해서 오차의 범위에서, 반도체레이저집광점과 광파이버단부면이 일치한다. 또 광파이버, 반도체레이저를 상대이동시켜서 광량최대점을 구하는 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960030452A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019960001199

申请日：1996-01-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이구치야스히로 ,  야마바야시나오유키 ,  이와사키타카시 ,  타나카노브히사

IPC: H01L31/10

Abstract: 본 발명은 장파장광통신에 적합한 화합물반도체수광소자 및 그 제조방법에 관한 것이며, 장파장영역의 수광소자로서 InP계의 수광소자가 사용되고 있다. 이것은 n형 InP 기판위에, InGaAs등의 에피택셜층을 성장시켜서, 보호막을 선택적으로 부착해서 에피층을 씌우고, 보호막이 없는 부분에 p형 불순물을 확산시켜서 p형영역을 형성하고, p형 영역에 p쪽 전극을 형성한 것이다. pn접합영역을 좁게해서 정전용량을 내리고, p쪽 전극의 접촉저항을 작게하고, 감도, 고속응답성을 높이는 동시에 또 제조코스트를 내리는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 에피웨이퍼에 선택적으로 보호막을 붙인 후, 보호막을 마스크로서 밴드갭이 좁고 전극과의 접촉성이 좋은 밑바탕재료를, 에피웨이퍼위에 성장시키고, 밑바탕층위에 고체 또는 기체의 p형 불순물의 확산원을 형성해서 밑바탕층을 개재해서 p형 불순물을 에피웨이퍼까지 확산시키고, 밑바탕층위에 p쪽 전극을 형성하고, 전극을 마스크레 밑바탕층을 에칭하거나, 혹은 밑바탕층을 선택에칭해서, 이 위에 p쪽 전극을 형성하는 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR101202681B1

公开(公告)日：2012-11-19

申请号：KR1020067024393

申请日：2005-05-24

Applicant: 가부시키가이샤 피아이 기쥬츠 켄큐쇼 ,  스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 윈모소 ,  고시마토시유키 ,  쿄에이카 ,  나카지마신타로 ,  하야시노리키 ,  카시와기토오루 ,  미야자키켄지 ,  야마다카츠야 ,  야마바야시나오유키 ,  나카가마쇼지 ,  오쿠야마히로시 ,  카사보후미오 ,  타나카입페이

IPC: C09D11/102 ,  H01L21/312 ,  H05K3/28

CPC classification number: C09D11/102 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2203/0783

Abstract: The object is to provide a polyimide ink composition having good printing properties and good continuous printing properties, which composition can be dried at a low temperature of not higher than 220° C., and which composition gives a coating film, after being dried, having excellent dimensional stability, heat resistance, low modulus of elasticity, flexibility, resistance to warping, chemical resistance, adhesiveness with substrates, and plating resistance. This object is accomplished by a polyimide ink composition for printing, comprising a mixed solvent containing an benzoic acid ester solvent and a glyme solvent, and a polyimide soluble in the mixed solvent; wherein the polyimide is obtained by polycondensing a polyimide oligomer with a tetracarboxylic dianhydride component(s) and/or a diamine component(s) having no siloxane bond in molecular skeleton thereof, the polyimide oligomer being prepared by polycondensing a tetracarboxylic dianhydride component(s) and a diamine component(s) having siloxane bonds in molecular skeleton thereof in the presence of a base catalyst(s), or a mixed catalyst including a lactone(s) and/or an acidic compound(s) and a base(s); the content of the diamine component(s) having siloxane bonds based on the total diamine components being 15 to 85% by weight.

公开(公告)号：KR100108915B1

公开(公告)日：1996-12-07

申请号：KR1019930000410

申请日：1993-01-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이와사키타카시 ,  이구치야스히로 ,  야마바야시나오유키

IPC: C30B25/12

公开(公告)号：KR1019970011916A

公开(公告)日：1997-03-27

申请号：KR1019960033838

申请日：1996-08-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지무라야스시 ,  쿠하라요시유키 ,  야마바야시나오유키

IPC: G02B6/26

Abstract: 본 발명은 광통신이나 광계측에 사용되는 반도체레이저나 수광소자, 광도파로 등의 광학부품과 광파이버 또는 이들의 어레이를 조합할 때에 불가결한 광축조심방법과 그 장치, 이 조심방법을 이용한 검사방법과 검사 장치, 또 이 조심 방법을 이용한 광학모듈의 제조방법, 제조장치에 과한 것으로서 반도체레이저의 광을 렌즈에 의해서 집광하고, 집광점을 찾아서 여기에 광파이버 단부면을 합치시키는 조심조작의 개량을 가져다 준다. 종래에는 파워미터에 연결된 광파이버의 단부면을 광이 존재하지 않는 점에서 주사를 시작하고, 반도체레이저의 광을 찾고, 광의 일부를 발견한 후에는 광량이 증가하는 방향으로 광파이버를 움직이고 있었다. 광을 발견할 때까지 시간이 너무 걸려서 조심코스트가 높아진다. 반도체레이저의 광을 발견하는 시간을 단축하여 전체로서의 조심시간을 짧게하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 반도체위치검출기와 광파이버를 1개의 지지대에 고정하고, 반도체위치검출기를 처음에 반도체레이저, 렌즈계에 대향시켜서, 집광점의 위치검출기수광면에서의 위치를 결정한다. 집광점위치와 광파이버위치의 차를 계산할 수 있으며, 그 만큼 반도체레이저와 광파이버를 상대이동시킨다. 이에 의해서 오차의 범위에서, 반도체레이저집광점과 광파이버단부면이 일치한다. 또 광파이버, 반도체레이저를 상대이동시켜서 광??최대점을 구하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019930018061A

公开(公告)日：1993-09-21

申请号：KR1019930000410

申请日：1993-01-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이와사키타카시 ,  이구치야스히로 ,  야마바야시나오유키

IPC: C30B25/12

Abstract: 본 발명은 반도체수광소자에 있어서, 수광층의 결정의 기판등의 InP에 대한 격자불정합도(格子不整合度)가 면내분포를 가지는 경우에 수율 및 생산고를 향상시키는 반도체수광자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, n-InP기판의 표면에 한쪽편으로부터 적어도 In가스, Ga가스 및 As가스를 공급하고 n-InP기판위에 적어도 In, Ga, As를 조성(組成)으로 하는 수광층을 구비한 에피텍셜층을 형성한다.
수광층에 P형 불순물을 열확산시켜서 P형층을 늪(浮島) 형상으로 형성한다. P형층을 형성한 기판을 소자분리한다.
소자 분리는 가스공급쪽으로 하류쪽을 향해서 단조하게 증가하는 수광층의 InP에 대한 격자불정합도로서, 식 △a/a=〔{(숭광층의 격자정수)-(InP의 격자정수)}/(InP의 격자정수)×100(%)에 의해서 정의되는 값이 -0.20% 이상 0% 이하인 영역을 대상으로 한 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR1020070034470A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：KR1020067024393

申请日：2005-05-24

Applicant: 가부시키가이샤 피아이 기쥬츠 켄큐쇼 ,  스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 윈모소 ,  고시마토시유키 ,  쿄에이카 ,  나카지마신타로 ,  하야시노리키 ,  카시와기토오루 ,  미야자키켄지 ,  야마다카츠야 ,  야마바야시나오유키 ,  나카가마쇼지 ,  오쿠야마히로시 ,  카사보후미오 ,  타나카입페이

IPC: C09D11/102 ,  H01L21/312 ,  H05K3/28

CPC classification number: C09D11/102 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2203/0783

Abstract: The object is to provide a polyimide ink composition having good printing properties and good continuous printing properties, which composition can be dried at a low temperature of not higher than 220° C., and which composition gives a coating film, after being dried, having excellent dimensional stability, heat resistance, low modulus of elasticity, flexibility, resistance to warping, chemical resistance, adhesiveness with substrates, and plating resistance. This object is accomplished by a polyimide ink composition for printing, comprising a mixed solvent containing an benzoic acid ester solvent and a glyme solvent, and a polyimide soluble in the mixed solvent; wherein the polyimide is obtained by polycondensing a polyimide oligomer with a tetracarboxylic dianhydride component(s) and/or a diamine component(s) having no siloxane bond in molecular skeleton thereof, the polyimide oligomer being prepared by polycondensing a tetracarboxylic dianhydride component(s) and a diamine component(s) having siloxane bonds in molecular skeleton thereof in the presence of a base catalyst(s), or a mixed catalyst including a lactone(s) and/or an acidic compound(s) and a base(s); the content of the diamine component(s) having siloxane bonds based on the total diamine components being 15 to 85% by weight.

Abstract translation: 本发明的目的是提供具有良好的印刷性和良好的连续印刷性的聚酰亚胺油墨组合物，该组合物可以在不高于220℃的低温下干燥。 干燥后的涂膜具有优异的尺寸稳定性，耐热性，低弹性模量，柔软性，耐翘曲性，耐化学性，与基材的密合性，耐电镀性。 该目的通过用于印刷的聚酰亚胺油墨组合物来实现，所述聚酰亚胺油墨组合物包含含有苯甲酸酯溶剂和甘醇二甲醚溶剂的混合溶剂以及可溶于该混合溶剂中的聚酰亚胺; 其中所述聚酰亚胺是通过将聚酰亚胺低聚物与四羧酸二酐组分和/或其中不含硅氧烷键的二胺组分缩聚在其分子骨架中而获得的，所述聚酰亚胺低聚物通过缩聚四羧酸二酐组分， 和在碱催化剂存在下，或者包含内酯和/或酸性化合物和碱的混合催化剂在分子骨架中具有硅氧烷键的二胺组分， ; 基于全部二胺组分的具有硅氧烷键的二胺组分的含量为15至85重量％。

公开(公告)号：KR100227455B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960001199

申请日：1996-01-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이구치야스히로 ,  야마바야시나오유키 ,  이와사키타카시 ,  타나카노브히사

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/1844 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/544

Abstract: 본 발명은 장파장 광통신에 적합한 화합물반도체 수광소자 및 그 제조방법에 관한 것이며, 장파장영역의 수광소자로서 InP계의 수광소자가 사용되고 있다. 이것은 n형 InP기판 위에 InP, InGaAs 등의 에피택셜층을 성장시켜서, 보호막을 선택적으로 형성해서 에피택셜층을 피복하고, 보호막이 없는 부분에 p형 불순물을 확산시켜서 p형 영역을 형성하고, p형 영역에 p측 전극을 형성한 것이다. pn접합영역을 좁게해서 정전용량을 작게 하고, p측 전극의 접촉저항을 작게 하고, 감도와, 고속응답성을 높이는 동시에 또 제조의 코스트를 낮추는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 에피택셜웨이퍼에 선택적으로 보호막을 형성한 후, 보호막을 마스크로서 밴드갭이 작고 전극과의 접촉성이 좋은 콘택트층의 재료를 에피택셜웨이퍼 위에 성장시키고, 콘택트층 위에 고체 또는 기체의 p형 불순물의 확산원을 형성하고 콘택트층을 개재해서 p형 불순물을 에피택셜웨이퍼까지 확산시키고, 콘택층 위에 p측 전극을 형성하고, 전극을 마스크로 사용하여 콘택트층을 에칭한다. 또는, 콘택트층을 선택에칭해서, 이 위에 p측 전극을 형성하는 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960009702B1

公开(公告)日：1996-07-23

申请号：KR1019930000410

申请日：1993-01-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이와사키타카시 ,  이구치야스히로 ,  야마바야시나오유키

IPC: C30B25/12

CPC classification number: H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/938