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公开(公告)号:KR1019960009806A
公开(公告)日:1996-03-22
申请号:KR1019950025340
申请日:1995-08-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05G1/00
Abstract: 본 발명의 X선발생장치는 고열전도성 기판과, 전자의 조사에 의해 X선을 발생시키는 목표물로 이루어진 대음극을 구비하고, 상기 목표물은 상기 고열전도성 기판을 관통하도록 배치하고, 상기 고열전도성 기판은 기상합성법에 의해 합성된 다이아몬드인 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 대음극의 냉각효율 및 내구성을 대폭 향상시킴과 동시에, X선발생장치의 소형화 및 간략화를 도모한 결과, 마침내 고출력 및 고강도의 X선발생장치발명을 완성하였다.
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公开(公告)号:KR100172651B1
公开(公告)日:1999-03-20
申请号:KR1019950025340
申请日:1995-08-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05G1/00
CPC classification number: H01J35/08 , H01J2235/087 , H01J2235/122 , H01J2235/1262
Abstract: 본 발명의 X선발생장치는 고열전도성 기판과, 전자의 조사에 의해 X선을 발생시키는 목표물로 이루어진 대음극을 구비하고, 상기 목표물은 상기 고열전도성 기판을 관통하도록 배치하고, 상기 고열전도성 기판은 기상합성법에 의해 합성된 다이아몬드인 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 대음극의 냉각효율 및 내구성을 대폭 향상시킴과 동시에, X선발생장치의 소형화 및 간략화를 도모한 결과, 마침내 고출력 및 고강도의 X선발생장치발명을 완성하였다.
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