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公开(公告)号：KR1020100112068A
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020097021367
申请日：2008-12-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203 , H01L21/318
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정-
公开(公告)号：KR100275247B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019950045215
申请日：1995-11-30
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 적어도 1OW/cm·K의 열전도율을 갖는 고열전도율 재료층과 이 고열전도율 재료층 안에 또는 위에 냉각매체용 유로를 갖춘 기판은 높은 방열특성을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100172651B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950025340
申请日：1995-08-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05G1/00
CPC classification number: H01J35/08 , H01J2235/087 , H01J2235/122 , H01J2235/1262
Abstract: 본 발명의 X선발생장치는 고열전도성 기판과, 전자의 조사에 의해 X선을 발생시키는 목표물로 이루어진 대음극을 구비하고, 상기 목표물은 상기 고열전도성 기판을 관통하도록 배치하고, 상기 고열전도성 기판은 기상합성법에 의해 합성된 다이아몬드인 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 대음극의 냉각효율 및 내구성을 대폭 향상시킴과 동시에, X선발생장치의 소형화 및 간략화를 도모한 결과, 마침내 고출력 및 고강도의 X선발생장치발명을 완성하였다.
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公开(公告)号：KR1020130098156A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020127029950
申请日：2011-11-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/76256 , H01L33/0079
Abstract: 본 GaN계 막의 제조 방법은, 주면(11m)내의 열팽창계수가 GaN 결정의 a축 방향의 열팽창계수에 비교해서 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 단결정막(13)이 단결정막(13)의 주면(13m)에 수직인 축에 대하여 3회 대칭성을 갖는 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 복합 기판(10)에 있어서의 단결정막(13)의 주면(13m)상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정을 포함한다. 이로써, 주면의 면적이 크고 휘어짐이 작은 GaN계 막을 제조하는 것이 가능한 GaN계 막의 제조 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020090023328A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020087014482
申请日：2007-06-27
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , G03F7/20 , G03F7/2059
Abstract: Intended is to provide an electron radiation cathode of a high brightness, low energy dispersion and a long lifetime. Also intended is to provide a diamond electron radiation cathode, which can be sufficiently stably gripped, which is sharpened at its leading end and which is improved in a field intensity. The diamond electron radiation cathode (110) is characterized in that it is divided into at least three regions, that is, a leading end region (203) for irradiating a column-shaped leading end with electrons, a trailing end region (201) confronting in the longitudinal direction and adapted to be gripped, and a radially thinned intermediate region (202), in that the trailing end region has a sectional area of 0.2 mm2, in that the leading region has a sharpened leading end, and in that the radially thinned intermediate region has a sectional area of 0.1 mm2 at most.
Abstract translation: 旨在提供高亮度，低能量分散和长寿命的电子辐射阴极。 还旨在提供一种金刚石电子辐射阴极，其能够被充分稳定地夹持，其在其前端被削尖并且在场强度方面得到改善。 金刚石电子辐射阴极（110）的特征在于，其被划分为至少三个区域，即用于用电子照射柱状前端的前端区域（203），面对着的后端区域（201） 以及径向变薄的中间区域（202），其中后端区域具有0.2mm 2的截面面积，其中前导区域具有尖锐的前端，并且其中径向 变薄的中间区域的截面积最多为0.1mm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100264431B1
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019950045214
申请日：1995-11-30
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G21K1/10
CPC classification number: H01J35/18 , G21K1/10 , G21K2201/065 , H01J2235/122 , H01J2235/1262 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H05H7/00 , H01L2924/00
Abstract: 10W/cm·K 이상의 열전도율을 갖는 고열전도성 물질층을 갖추고, 이 고열전도성 물질층에 냉각매체용 유로를 갖춘 본 발명에 따른 윈도우재는, 높은 방열특성 및 투과특성을 갖는다.
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1020110116114A
公开(公告)日：2011-10-25
申请号：KR1020117002960
申请日：2010-01-13
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 질화물 반도체 결정의 제조 방법에서는 이하의 공정이 실시된다. 우선, 원료(17)를 내부에 배치하기 위한 도가니(101)를 준비한다. 도가니(101) 내에서 원료(17)를 가열함으로써 승화시키고, 원료 가스를 석출시킴으로써 질화물 반도체 결정을 성장시킨다. 준비 공정에서는, 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어진 도가니(101)를 준비한다.
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公开(公告)号：KR101504772B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020097021367
申请日：2008-12-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203 , H01L21/318
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정-
公开(公告)号：KR1020140074142A
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020127030485
申请日：2011-12-21
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0254 , C03C10/0018 , C04B35/106 , C04B35/16 , C04B35/185 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3463 , C04B2235/9607 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02002 , H01L21/02422 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02658 , H01L21/02664
Abstract: GaN계 막의 제조 방법은, 불화수소산에 용해되는 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 지지 기판(11)의 주면(11m) 내의 열팽창 계수가, GaN 결정의 열팽창 계수와 비교해서, 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)의 주면(13m) 상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정과, 지지 기판(11)을, 불화수소산에 용해함으로써 제거하는 공정을 포함한다. 이에 따라, 주면의 면적이 크고 휨이 작고 결정성이 양호한 GaN계 막이 효율적으로 얻어지는 GaN계 막의 제조 방법 및 그것에 이용되는 복합 기판이 제공된다.
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