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公开(公告)号：KR1020060053149A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050076042
申请日：2005-08-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/288
CPC classification number: C25D5/34 , B81B2201/018 , B81B2207/07 , B81C1/00698 , C25D5/022 , C25D5/10 , H05K3/205 , H05K2203/0315 , H05K2203/1157
Abstract: 본 발명은, 기판 표면의 일부에 레지스트를 형성하는 공정과, 레지스트가 형성된 후에 기판 표면 위에 금속층을 형성하는 공정과, 금속층의 일부를 제거하는 공정과, 금속층의 일부를 제거함으로써 금속층 표면에 생긴 금속산화막을 제거하는 공정과, 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는, 전기부품의 표면에 있어서의 접촉저항을 저하시킬 수 있는 전기부품의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020030093307A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020037013278
申请日：2002-04-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/07314 , C22C19/03 , C22C19/07 , C25D1/10 , G01R1/06716
Abstract: 콘택트 프로브는, 도전성을 가지는 기판 위에 빈구멍부분을 가지는 수지형을 형성하고, 전기주조에 의해 상기 빈구멍부분을 금속으로 묻어서 제조되는 콘택트 프로브로서, 상기 금속이 코발트-텅스텐합금을 함유한다. 또는, 코발트-텅스텐합금 대신에 코발트-몰리브덴합금이어도 된다. 또는, 니켈, 코발트 또는 구리로 콘택트 프로브를 형성하고, 이것에 코발트-텅스텐합금 또는 코발트-몰리브덴합금의 피막을 형성하는 것으로도 내마모성을 올릴 수 있다. 코발트-텅스텐합금이나 코발트-몰리브덴합금 대신에 니켈-몰리브덴합금을 이용해도 된다.
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公开(公告)号：KR101204588B1
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：KR1020077013894
申请日：2005-11-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C25D3/66
CPC classification number: C25D3/66
Abstract: 본 발명은, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬 및 바륨의 군으로부터 선택된 적어도 2종과, 불소, 염소, 브롬 및 요오드의 군으로부터 선택된 적어도 1종과, 스칸듐, 이트륨, 티탄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 테크네튬, 레늄 및 란타노이드의 군으로부터 선택된 적어도 1종의 원소와, 탄소-산소-탄소의 결합 및 탄소-질소-탄소의 결합 중 적어도 1종을 가지는 유기고분자를 함유한 용융염욕(溶融鹽浴)(2), 그 용융염욕(2)을 이용해서 얻어진 석출물 및 그 용융염욕(2)을 이용한 금속석출물의 제조방법인 것을 특징으로 하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100576899B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020067002895
申请日：2002-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/06738 , G01R1/06755 , G01R3/00 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: 본 발명은, 피검사회로와 접촉하는 접촉 끝을 가지는 본체부와, 상기 본체부근방에 위치 하는 적어도 1개의 지지부(50)로 구성되고, 상기 지지부(50)는, 상기 본체부의 피검사회로에의 압접에 있어서, 상기 본체부와 함께 피검사회로에 접촉하도록 배치되고, 또한 상기 지지부(50)는 압접하는 방향에 있어서 상기 본체부 보다도 낮은 탄성정수를 가지는 것을 특징으로 하는 콘택트 프로브를 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020060024462A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020067002894
申请日：2002-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/06738 , G01R1/06755 , G01R3/00 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: A method of manufacturing a contact probe, comprising an electroforming process for forming a metal layer (526) by performing an electroforming so as to fill clearances in a resist film (522) by using the resist film (522)as a pattern frame having a shape matching the contact probe disposed on a substrate (521), a tip working process for sharpening the area of the metal layer (526) forming the tip end part of the contact probe by diagonally cutting out the area, and a retrieval process for retrieving only the metal layer (526) from the pattern frame.
Abstract translation: 一种制造接触探针的方法，包括通过进行电铸以形成抗蚀剂膜（522）中的间隙来形成金属层（526）的电铸工艺，所述抗蚀剂膜通过使用抗蚀剂膜（522）作为具有 形状匹配布置在基底（521）上的接触探针，尖端加工工艺，用于通过对角切割该区域来锐化形成接触探针的顶端部分的金属层（526）的面积，以及检索过程 仅来自图案框架的金属层（526）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030078896A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：KR1020037009947
申请日：2002-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/06738 , G01R1/06755 , G01R3/00 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: 콘택트프로브의 제조방법은, 기판(521)위에 배치한, 콘택트프로브에 대응하는 형상을 가지는 패턴 테두리로서의 레지스트막(522)을 사용해서, 레지스트 막(522)의 틈을 메우도록 전기주조를 행하여 금속층(526)을 형성하는 전기주조 공정과, 금속층(526)중의, 콘택트프로브의 선단부가 되는 개소를 비스듬하게 제거해서 뾰족하게 하는 선단 가공 공정과, 패턴 테두리로부터 금속층(526)만을 꺼내는 꺼내기 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR100900117B1
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020077009342
申请日：2005-09-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
Abstract: 본 발명은, 염소와 브롬과 요오드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종과, 아연과, 적어도 2종의 알칼리금속과, 불소를 함유하는 용융염욕(溶融鹽浴)(2)이다. 여기서, 용융염욕(2)은, 산소를 함유할 수 있다. 또, 용융염욕(2)은, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 탄탈, 티탄, 지르코늄, 바나듐, 하프늄 및 니오브로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유할 수 있다. 또, 상기의 용융염욕(2)을 이용해서 얻어진 석출물, 상기의 용융염욕(2)을 이용한 금속제품의 제조방법 및 금속제품인 것을 특징으로 한 것이다.
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公开(公告)号：KR100576900B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020057020068
申请日：2002-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/06738 , G01R1/06755 , G01R3/00 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: 본 발명은, 피검사회로와 접촉하는 접촉 끝을 한끝으로 가지고, 전체가 대략 기둥 모양을 이루는 선단부(11)과 상기 선단부(11)의 접촉 끝과는 반대 쪽의 다른 끝에 대향하고, 또한 틈새를 유지해서 형성된 기초부(12)로 구성 되고, 상기 선단부(11)의 피검사회로(20)에의 압접(押接)에 의해, 상기 선단부(11)과 상기 기초부 (12)가 접촉하고, 또한, 접촉면(14, 15)의 어긋남에 의해서 상기 선단부(11)이 피검 사회 로(20)의 표면과 평행한 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 콘택트프로브를 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100545073B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020037009947
申请日：2002-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/06738 , G01R1/06755 , G01R3/00 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: 콘택트프로브의 제조방법은, 기판(521)위에 배치한, 콘택트프로브에 대응하는 형상을 가지는 패턴 테두리로서의 레지스트막(522)을 사용해서, 레지스트 막(522)의 틈을 메우도록 전기도금을 행하여 금속층(526)을 형성하는 전기도금 공정과, 금속층(526)중의, 콘택트프로브의 선단부가 되는 개소를 비스듬하게 제거해서 뾰족하게 하는 선단 가공 공정과, 패턴 테두리로부터 금속층(526)만을 꺼내는 꺼내기 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020050107636A
公开(公告)日：2005-11-14
申请号：KR1020057020068
申请日：2002-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/06738 , G01R1/06755 , G01R3/00 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: A method of manufacturing a contact probe, comprising an electroforming process for forming a metal layer (526) by performing an electroforming so as to fill clearances in a resist film (522) by using the resist film (522)as a pattern frame having a shape matching the contact probe disposed on a substrate (521), a tip working process for sharpening the area of the metal layer (526) forming the tip end part of the contact probe by diagonally cutting out the area, and a retrieval process for retrieving only the metal layer (526) from the pattern frame.
Abstract translation: 一种制造接触探针的方法，包括通过进行电铸以形成抗蚀剂膜（522）中的间隙来形成金属层（526）的电铸工艺，所述抗蚀剂膜通过使用抗蚀剂膜（522）作为具有 形状匹配布置在基底（521）上的接触探针，尖端加工工艺，用于通过对角切割该区域来锐化形成接触探针的顶端部分的金属层（526）的面积，以及检索过程 仅来自图案框架的金属层（526）。
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