Abstract:
서지 흡수 장치의 제조방법이 개시된다. 서지 흡수 장치를 제조하기 위해, 세라믹 튜브의 내부 관통 공간이 노출되는 단부면에 도금층을 형성한 후 브레이징 링을 이용하여 도금층에 밀봉전극을 부착할 수 있다. 이 때, 도금층은 세라믹 튜브의 단부면을 식각한 후 무전해 도금 촉매층을 형성하고, 이어서 세라믹 튜브의 단부면에 무전해 도금의 방법으로 금속층을 형성한 후 이를 열처리함으로써 형성될 수 있다.
Abstract:
A novel compound is provided to show anti-bacterial activity. A composition comprising the same is provided to prevent or treat efficiently bacterial infection or disinfect a non-living object. A compound is represented by the formula(1) of peptide-L-PNA, where the peptide is an amino acid sequence, L is an linker or a bond, and PNA is a peptide nucleic acid and selected from the group consisting of -CGCCCAATAAT-NH2, -TCAGCGTCAGT-NH2, -CCAACATCTCA-NH2 and -TCTCAGTCCCA-NH2, wherein A is N-(2-aminoethyl)-N-(N6-(benzyloxycarbonyl)adenine-9-yl-acetyl)glycine, T is N-(2-aminoethyl)-N-(thymine-1-yl-acetyl)glycine, G is N-(2-aminoethyl)-N-(N2-(benzyloxycarbonyl)guanine-9-yl-acetyl)glycine and C is N-(2-aminoethyl)-N-(N4-(benzyloxycarbonyl)cytosine-1-yl-acetyl)glycine. A composition for preventing or treating bacterial infection comprises the compound and a pharmaceutically acceptable carrier. A method for disinfecting a non-living object comprises a step of contacting a composition for disinfecting the non-living object comprising the compound and a carrier with the non-living object.
Abstract:
서지흡수장치의제조방법이개시된다. 서지흡수장치를제조하기위해, 세라믹튜브의내부관통공간이노출되는단부면에도금층을형성한후 브레이징링을이용하여도금층에밀봉전극을부착할수 있다. 이때, 도금층은세라믹튜브의단부면을식각한후 무전해도금촉매층을형성하고, 이어서세라믹튜브의단부면에무전해도금의방법으로금속층을형성한후 이를열처리함으로써형성될수 있다.
Abstract:
서지흡수장치의제조방법이개시된다. 서지흡수장치를제조하기위해, 세라믹튜브의내부관통공간이노출되는단부면에도금층을형성한후 브레이징링을이용하여도금층에밀봉전극을부착할수 있다. 이때, 도금층은세라믹튜브의단부면을식각한후 무전해도금촉매층을형성하고, 이어서세라믹튜브의단부면에무전해도금의방법으로금속층을형성한후 이를열처리함으로써형성될수 있다.
Abstract:
본 발명은 서지흡수기 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저압 화학기상증착 방식으로 전도성 박막이 형성되기 때문에 고순도의 박막을 형성할 수 있고, 반응기 내의 압력, 증착온도, 유량비 및 증착시간 등의 조건에 있어서 임계적 의의가 인정되는 각 수치범위를 제시함으로써, 서지 흡수기의 응답속도를 극대화할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 서지흡수기 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
The present invention relates to a manufacturing method of a surge absorber. In particular, according to the manufacturing method of a surge absorber, a thin film with high purity can be formed as a conductive thin film is formed by a low pressure chemical vapor deposition. Numerical ranges, in which critical threshold of pressure, the deposition temperature, a flow volume ratio, and deposition time in a reactor are recognized, are suggested by the present invention. Therefore, a response speed of the surge absorber can be maximized, and an efficiency of a process can be increased.