公开(公告)号：KR101522154B1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020147027023

申请日：2013-02-06

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 니콜스리차드 ,  장돈 ,  리벨하랄트 ,  브뤼닝프랑크

IPC: H05K3/42 ,  H05K3/46 ,  C23C18/20

CPC classification number: H05K3/387 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/2066 ,  C23C18/30 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/56 ,  C25D7/00 ,  C25D7/06 ,  H05K3/06 ,  H05K3/108 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K3/389 ,  H05K3/421 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/0796

Abstract: 본발명은인쇄회로판, IC 기판등의제조에서미세라인회로의제조방법에관한것이다. 본방법은, 빌드업층의매끄러운표면상의제 1 전도성층 및그 제 1 전도성층을성막한후에형성된적어도하나의개구의조면화된벽들상의전기전도성폴리머, 콜로이드귀금속및 전기전도성탄소입자들로부터선택된제 2 전도성층을이용한다.

公开(公告)号：KR1020140142709A

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：KR1020147027023

申请日：2013-02-06

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 니콜스리차드 ,  장돈 ,  리벨하랄트 ,  브뤼닝프랑크

IPC: H05K3/42 ,  H05K3/46 ,  C23C18/20

CPC classification number: H05K3/387 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/2066 ,  C23C18/30 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/56 ,  C25D7/00 ,  C25D7/06 ,  H05K3/06 ,  H05K3/108 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K3/389 ,  H05K3/421 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/0796

Abstract: 본 발명은 인쇄 회로판, IC 기판 등의 제조에서 미세 라인 회로의 제조 방법에 관한 것이다. 본 방법은, 빌드업 층의 매끄러운 표면 상의 제 1 전도성 층 및 그 제 1 전도성 층을 성막한 후에 형성된 적어도 하나의 개구의 조면화된 벽들 상의 전기 전도성 폴리머, 콜로이드 귀금속 및 전기 전도성 탄소 입자들로부터 선택된 제 2 전도성 층을 이용한다.