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公开(公告)号:KR1020120102566A
公开(公告)日:2012-09-18
申请号:KR1020127000169
申请日:2010-07-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C22/17 , C23C22/83 , C23C2222/10
Abstract: 본 발명은 처리될 표면이 크롬(III) 이온, 적어도 하나의 인산염 화합물 및 오르가노졸을 포함하는 처리 수용액과 접촉되는 내부식성 코팅층 형성 방법에 관한 것이다. 금속 표면 특히, 전환층을 갖는 아연 및 아연함유 (zinciferous) 표면을 포함하는 표면의 내부식성이 개선된다. 이들 표면의 미적 및 기능적 특징이 유지되고 개선된다. 게다가, 크롬(VI) 을 포함하는 화합물의 사용 및 멀티 스테이지 프로세스와 관련된 공지된 문제가 크롬 이온을 포함하는 패시베이션 층과 실링이 교대로 적용되는 것이 회피된다.
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公开(公告)号:KR101565203B1
公开(公告)日:2015-11-02
申请号:KR1020127000169
申请日:2010-07-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C22/17 , C23C22/83 , C23C2222/10
Abstract: 본발명은처리될표면이크롬(III) 이온, 적어도하나의인산염화합물및 오르가노졸을포함하는처리수용액과접촉되는내부식성코팅층형성방법에관한것이다. 금속표면특히, 전환층을갖는아연및 아연함유 (zinciferous) 표면을포함하는표면의내부식성이개선된다. 이들표면의미적및 기능적특징이유지되고개선된다. 게다가, 크롬(VI) 을포함하는화합물의사용및 멀티스테이지프로세스와관련된공지된문제가크롬이온을포함하는패시베이션층과실링이교대로적용되는것이회피된다.
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