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公开(公告)号：KR1020130109938A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020127030938
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C09D5/08 , C23C22/362 , C23C22/73 , C23C2222/10 , C25D5/36 , C25D11/38 , C23C22/05
Abstract: 본 발명은 아연, 마그네슘, 알루미늄 또는 이들의 합금 중 하나로 이루어지는 표면을 갖는 기판용 부식 방지 코팅을 제조하는 방법에 관한 것으로, 처리될 표면은 크롬 (Ⅲ) 이온을 포함하는 2 개의 수성 처리 용액, 처리될 기판 표면의 금속 이온 및 적어도 하나의 착화제로 직접 연속적으로 접촉된다. 제 1 처리 용액은 1.0 ~ 4.0 의 범위의 pH 를 가지고, 제 2 처리 용액은 3.0 ~ 12.0 의 pH 를 가진다. 본 발명의 방법은 중금속으로 오염된 폐수의 보다 적은 양을 생산한다.
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公开(公告)号：KR101726470B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020127030938
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C09D5/08 , C23C22/362 , C23C22/73 , C23C2222/10 , C25D5/36 , C25D11/38
Abstract: 본발명은아연, 마그네슘, 알루미늄또는이들의합금중 하나로이루어지는표면을갖는기판용부식방지코팅을제조하는방법에관한것으로, 처리될표면은크롬 (Ⅲ) 이온을포함하는 2 개의수성처리용액, 처리될기판표면의금속이온및 적어도하나의착화제로직접연속적으로접촉된다. 제 1 처리용액은 1.0 ~ 4.0 의범위의 pH 를가지고, 제 2 처리용액은 3.0 ~ 12.0 의 pH 를가진다. 본발명의방법은중금속으로오염된폐수의보다적은양을생산한다.
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公开(公告)号：KR1020120102566A
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020127000169
申请日：2010-07-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C22/17 , C23C22/83 , C23C2222/10
Abstract: 본 발명은 처리될 표면이 크롬(III) 이온, 적어도 하나의 인산염 화합물 및 오르가노졸을 포함하는 처리 수용액과 접촉되는 내부식성 코팅층 형성 방법에 관한 것이다. 금속 표면 특히, 전환층을 갖는 아연 및 아연함유 (zinciferous) 표면을 포함하는 표면의 내부식성이 개선된다. 이들 표면의 미적 및 기능적 특징이 유지되고 개선된다. 게다가, 크롬(VI) 을 포함하는 화합물의 사용 및 멀티 스테이지 프로세스와 관련된 공지된 문제가 크롬 이온을 포함하는 패시베이션 층과 실링이 교대로 적용되는 것이 회피된다.
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公开(公告)号：KR101565203B1
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020127000169
申请日：2010-07-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C22/17 , C23C22/83 , C23C2222/10
Abstract: 본발명은처리될표면이크롬(III) 이온, 적어도하나의인산염화합물및 오르가노졸을포함하는처리수용액과접촉되는내부식성코팅층형성방법에관한것이다. 금속표면특히, 전환층을갖는아연및 아연함유 (zinciferous) 표면을포함하는표면의내부식성이개선된다. 이들표면의미적및 기능적특징이유지되고개선된다. 게다가, 크롬(VI) 을포함하는화합물의사용및 멀티스테이지프로세스와관련된공지된문제가크롬이온을포함하는패시베이션층과실링이교대로적용되는것이회피된다.
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