公开(公告)号：KR101728654B1

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：KR1020167025126

申请日：2015-01-14

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 얀쎈보리스알렉산더 ,  라우탄도니

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/30 ,  C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C18/50 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/24 ,  H05K3/18 ,  H05K3/26

CPC classification number: C23C18/32 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/187 ,  H05K3/244 ,  H05K3/26

Abstract: 본발명은원치않는스킵도금및 가외도금을억제하는인쇄회로판과같은전자장치의구리피쳐상의금속또는금속합금의무전해도금방법을개시하고있다. 방법은단계 i) 상기기판을제공하는단계, ii) 귀금속이온으로구리피쳐를활성화하는단계; iii) 산, 할라이드이온공급원, 및티오우레아, 티오우레아유도체및 티오우레아기를포함하는중합체로이루어지는군으로부터선택되는첨가제를포함하는수성전처리조성물로과량의귀금속이온또는이로형성된침전물을제거하는단계; 및 iv) 금속또는금속합금층의무전해도금단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了在电子设备的铜金属或金属合金占空比特征的电解电镀方法，如印刷电路板用于抑制不需要的额外的跳过电镀和电镀一样。 该方法包括以下步骤：i）提供基材; ii）用贵金属离子活化铜特征; iii）除去所述酸，卤化物离子源和硫脲，过量的贵金属离子的或沉淀出在包含选自硫脲衍生物，和聚合物，其包括硫脲组成的组中选出的添加剂的水性预处理组合物形成; 和iv）金属或金属合金层。

公开(公告)号：KR101873626B1

公开(公告)日：2018-07-02

申请号：KR1020157030558

申请日：2014-01-07

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 킬리안아른트 ,  베그리히트옌스 ,  라우탄도니

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H05K3/24

CPC classification number: C23C18/1831 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H05K1/09 ,  H05K3/182 ,  H05K3/24

Abstract: 본발명은무전해 (자가촉매) 도금에의해금속또는금속합금층을위에성막하기위한구리또는구리합금표면을활성화시키는방법에관한것으로서, 원하지않는보이드들의형성을억제한다. 구리또는구리합금표면은팔라듐이온들, 적어도 1 종의인산염화합물및 할로겐화물이온들과접촉한후에팔라듐과같은금속또는 Ni-P 합금과같은금속합금의무전해 (자가촉매) 성막이뒤따른다.

公开(公告)号：KR1020150135446A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020157030558

申请日：2014-01-07

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 킬리안아른트 ,  베그리히트옌스 ,  라우탄도니

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H05K3/24

CPC classification number: C23C18/1831 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H05K1/09 ,  H05K3/182 ,  H05K3/24

Abstract: 본발명은무전해 (자가촉매) 도금에의해금속또는금속합금층을위에성막하기위한구리또는구리합금표면을활성화시키는방법에관한것으로서, 원하지않는보이드들의형성을억제한다. 구리또는구리합금표면은팔라듐이온들, 적어도 1 종의인산염화합물및 할로겐화물이온들과접촉한후에팔라듐과같은금속또는 Ni-P 합금과같은금속합금의무전해 (자가촉매) 성막이뒤따른다.

公开(公告)号：KR1020160113304A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020167025126

申请日：2015-01-14

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 얀쎈보리스알렉산더 ,  라우탄도니

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/30 ,  C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C18/50 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/24 ,  H05K3/18 ,  H05K3/26

CPC classification number: C23C18/32 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/187 ,  H05K3/244 ,  H05K3/26 ,  C23C18/30

Abstract: 본발명은원치않는스킵도금및 가외도금을억제하는인쇄회로판과같은전자장치의구리피쳐상의금속또는금속합금의무전해도금방법을개시하고있다. 방법은단계 i) 상기기판을제공하는단계, ii) 귀금속이온으로구리피쳐를활성화하는단계; iii) 산, 할라이드이온공급원, 및티오우레아, 티오우레아유도체및 티오우레아기를포함하는중합체로이루어지는군으로부터선택되는첨가제를포함하는수성전처리조성물로과량의귀금속이온또는이로형성된침전물을제거하는단계; 및 iv) 금속또는금속합금층의무전해도금단계를포함한다.