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公开(公告)号：KR1020150135446A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020157030558
申请日：2014-01-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23C18/18 , C23C18/36 , C23C18/44 , H01L21/288 , H01L21/768 , H05K3/24
CPC classification number: C23C18/1831 , C23C18/1841 , C23C18/1844 , C23C18/36 , C23C18/44 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H05K1/09 , H05K3/182 , H05K3/24
Abstract: 본발명은무전해 (자가촉매) 도금에의해금속또는금속합금층을위에성막하기위한구리또는구리합금표면을활성화시키는방법에관한것으로서, 원하지않는보이드들의형성을억제한다. 구리또는구리합금표면은팔라듐이온들, 적어도 1 종의인산염화합물및 할로겐화물이온들과접촉한후에팔라듐과같은금속또는 Ni-P 합금과같은금속합금의무전해 (자가촉매) 성막이뒤따른다.
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公开(公告)号：KR1020150024326A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020147033899
申请日：2013-05-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C25B9/08 , C23C18/1617 , C23C18/52 , C23C18/54
Abstract: 이런 목적을 위해 사용된 도금 조성물이 분해에 대해 안정적이도록 보장하면서 신속한 무전해 도금을 달성하기 위해서, 상기 도금 조성물을 재생하기 위한 방법이 제공된다. 상기 도금 조성물은 기판 (10) 에 적어도 하나의 제 1 금속을 성막하기에 적합하고 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 에 의해 수용된다. 상기 도금 조성물은 이온 형태의 상기 적어도 하나의 제 1 금속 및 이온 형태의 적어도 하나의 제 2 금속을 함유한다. 상기 적어도 하나의 제 2 금속은 보다 높은 산화 상태 및 보다 낮은 산화 상태로 제공될 수도 있고, 그리고, 적어도 하나의 제 2 금속이 보다 낮은 산화 상태로 제공될 때, 이온 형태로 있는 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 금속 상태로 환원할 수 있다. 상기 방법은 하기 방법 단계들: (a) 작업 전극 (205) 및 대향 전극 (206) 을 가지는 재생 디바이스 (200) 를 제공하는 단계로서, 상기 작업 전극 (205) 은 작업 전극 격실 (202) 에 배치되고 상기 대향 전극 (206) 은 대향 전극 격실 (203) 에 배치되고, 상기 작업 전극 격실 (202) 과 상기 대향 전극 격실 (203) 은 이온 선택성 막 (204) 에 의해 서로 분리되고, 상기 대향 전극 격실 (203) 은 대향 전극 액체를 수용하는, 상기 재생 디바이스 (200) 를 제공하는 단계; (b) 상기 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 로부터 상기 도금 조성물의 적어도 일부를 제거하는 단계; (c) 상기 제거된 도금 조성물의 적어도 분획물을 상기 재생 디바이스 (200) 의 상기 작업 전극 (205) 과 접촉시키고 상기 작업 전극 (205) 을 캐소드로 극성화하여서, 보다 높은 산화 상태로 제공되는 상기 적어도 하나의 제 2 금속은 보다 낮은 산화 상태로 환원되고 상기 적어도 하나의 제 1 금속은 금속 상태로 작업 전극 (205) 에 성막되어, 상기 제거된 도금 조성물의 제 1 부분을 수득하는 단계; 그 후 (d) 상기 제거된 도금 조성물로부터 상기 제 1 부분을 제거한 후 상기 제거된 도금 조성물의 나머지를 금속 상태로 방법 단계 (c) 에서 성막된 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 가지는 상기 작업 전극 (205) 과 접촉시키고 상기 작업 전극 (205) 을 애노드로 극성화시켜서, 상기 금속 상태로 상기 작업 전극 (205) 에 성막된 상기 적어도 하나의 제 1 금속이 상기 제거된 도금 조성물의 상기 나머지로 용해되어 상기 이온 형태로 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 형성하여서, 상기 제거된 도금 조성물의 제 2 부분을 수득하는 단계; 그 후 (e) 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분을 상기 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 로 리턴시켜서 상기 이온 형태의 상기 적어도 하나의 제 1 금속 및 보다 낮은 산화 상태로 제공되는 상기 적어도 하나의 제 2 금속을 함유하는 상기 도금 조성물을 유발하여, 상기 도금 조성물이 상기 이온 형태인 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 상기 금속 상태로 환원할 수 있는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101873626B1
公开(公告)日：2018-07-02
申请号：KR1020157030558
申请日：2014-01-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23C18/18 , C23C18/36 , C23C18/44 , H01L21/288 , H01L21/768 , H05K3/24
CPC classification number: C23C18/1831 , C23C18/1841 , C23C18/1844 , C23C18/36 , C23C18/44 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H05K1/09 , H05K3/182 , H05K3/24
Abstract: 본발명은무전해 (자가촉매) 도금에의해금속또는금속합금층을위에성막하기위한구리또는구리합금표면을활성화시키는방법에관한것으로서, 원하지않는보이드들의형성을억제한다. 구리또는구리합금표면은팔라듐이온들, 적어도 1 종의인산염화합물및 할로겐화물이온들과접촉한후에팔라듐과같은금속또는 Ni-P 합금과같은금속합금의무전해 (자가촉매) 성막이뒤따른다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101800060B1
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020137018387
申请日：2012-01-03
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은적어도하나의방향족술폰산, 적어도하나의제 1 침전첨가제및 적어도하나의제 2 침전첨가제를포함하는침지주석도금욕에관한것이다. 적어도하나의제 1 침전첨가제는 62 g/mol ~ 600 g/mol 의평균분자량을갖는지방족폴리-알코올화합물, 이들의에테르또는이들의유도된폴리머이다. 적어도하나의제 2 침전첨가제는 750 ~ 10,000 g/mol 의평균분자량을갖는폴리알킬렌글리콜화합물이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含至少一种芳族磺酸，至少一种第一沉淀添加剂和至少一种第二沉淀添加剂的浸锡电镀液。 所述至少一种第一沉淀添加剂是平均分子量为62g / mol至600g / mol的脂族多元醇化合物，其醚或其诱导聚合物。 该至少一种第二沉淀添加剂是平均分子量为750-10,000g / mol的聚亚烷基二醇化合物。
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公开(公告)号：KR101727358B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020137019246
申请日：2012-01-11
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 킬리안아른트 , 베그리히트옌스 , 히르제코른이자벨-로다
Abstract: Sn이온들, 환원제로서 Ti이온들, 무기착화제및 페난트롤린또는이의유도체를함유하는자가촉매주석도금욕이개시된다. 이도금욕은인쇄회로판, IC 기판, 및반도체웨이퍼의금속배선 (metallization) 의제조에적합하다.
Abstract translation: 公开了包含Sn离子，Ti离子作为还原剂，无机络合剂和菲咯啉或其衍生物的自催化镀锡浴。 这适用于制造印刷电路板，IC基板和半导体晶圆的金属化。
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公开(公告)号：KR1020140034739A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020137018387
申请日：2012-01-03
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은 적어도 하나의 방향족 술폰산, 적어도 하나의 제 1 침전 첨가제 및 적어도 하나의 제 2 침전 첨가제를 포함하는 침지 주석 도금 욕에 관한 것이다. 적어도 하나의 제 1 침전 첨가제는 62 g/mol ~ 600 g/mol 의 평균 분자량을 갖는 지방족 폴리-알코올 화합물, 이들의 에테르 또는 이들의 유도된 폴리머이다. 적어도 하나의 제 2 침전 첨가제는 750 ~ 10,000 g/mol 의 평균 분자량을 갖는 폴리알킬렌 글리콜 화합물이다.
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公开(公告)号：KR1020140009294A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020137019422
申请日：2011-12-16
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H05K3/24 , H01L23/498
CPC classification number: H05K13/04 , H01B1/02 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/03464 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05464 , H01L2224/05664 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48664 , H01L2224/48864 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2224/85464 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/20105 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H05K1/09 , H05K3/244 , H05K2203/049 , H05K2203/072 , H05K2203/095 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01005 , H01L2924/20752 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001
Abstract: 본 발명은 구리 본딩부 및 팔라듐 또는 팔라듐 합금 층 및 층 조립체에 본딩되는 구리 와이어를 갖는 기판을 포함하는 층 조립체를 갖는 기판, 특히 인쇄 회로 기판 및 IC-기판에 구리 와이어를 본딩시키는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020140002708A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020137019246
申请日：2012-01-11
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 킬리안아른트 , 베그리히트옌스 , 히르제코른이자벨-로다
Abstract: Sn
2+ 이온들, 환원제로서 Ti
3+ 이온들, 무기 착화제 및 페난트롤린 또는 이의 유도체를 함유하는 자가촉매 주석 도금욕이 개시된다. 이 도금욕은 인쇄 회로 판, IC 기판, 및 반도체 웨이퍼의 금속배선 (metallization) 의 제조에 적합하다.
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