公开(公告)号：KR101156256B1

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020067013429

申请日：2005-01-20

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 호프만한스피.

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K3/465 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4661 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2201/09036 ,  Y10T29/49155

Abstract: 회로 캐리 제조 방법 및 이 방법의 사용이 제안되었으며, 이 방법은, 인쇄회로기판의 제공 후 (a), 상기 회로기판의 적어도 일측을 유전체로 코팅하는 단계 (b), 레이저 애블레이션을 사용하여 그 안에 트랜치들과 비아들을 만들기 위해 상기 유전체를 구성하는 단계 (c)가 행해진다. 다음에, 상기 유전체 상에, 상기 유전체의 전체 표면 상에 또는 상기 만들어진 트랜치들과 비아들 내에만, 프라이머층이 증착된다 (d). 상기 트랜치들과 비아들이 그 안에 전도체 구성들을 형성하는 금속으로 완전히 채워진 채로, 상기 프라이머층 상에 금속층이 증착된다 (e). 마지막으로, 상기 프라이머층이 전체 표면 상에 증착되면 상기 유전체가 노출될 때까지, 전도체 구성들이 손상되지 않고 남아 있는 채로, 과잉 금속 및 프라이머층이 제거된다.

公开(公告)号：KR1020060133544A

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020067013429

申请日：2005-01-20

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 호프만한스피.

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K3/465 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4661 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2201/09036 ,  Y10T29/49155

Abstract: A method of manufacturing a circuit carrier and the use of said method are proposed, said method comprising, after providing a printed circuit board (a), coating the circuit board on at least one side thereof with a dielectric (b), structuring the dielectric for producing trenches and vias therein using laser ablation (c) are performed. Next, a primer layer is deposited onto the dielectric, either onto the entire surface thereof or into the produced trenches and vias only (d). A metal layer is deposited onto the primer layer, with the trenches and vias being completely filled with metal for forming conductor structures therein (e). Finally, the excess metal and the primer layer are removed until the dielectric is exposed if the primer layer was deposited onto the entire surface thereof, with the conductor structures remaining intact (f).

Abstract translation: 提出一种制造电路载体的方法和所述方法的使用，所述方法包括在提供印刷电路板（a）之后，在其至少一侧上用电介质（b）涂覆电路板，构造电介质 用于使用激光烧蚀（c）来制造其中的沟槽和通孔。 接下来，将底漆层沉积到电介质的整个表面上，或沉积到所制造的沟槽和通孔中（d）。 金属层沉积在底漆层上，其中沟槽和通孔被完全填充金属，用于在其中形成导体结构（e）。 最后，如果底漆层沉积在其整个表面上，导体结构保持完整（f），则去除多余的金属和底漆层直到电介质暴露。