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公开(公告)号：KR102224086B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020140070627A
申请日：2014-06-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , F21K9/20 , H01L33/10 , H01L33/36 , F21Y2115/10
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상측에 배치되는 제1 질화물 활성층; 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제2 질화물 활성층; 상기 제2 질화물 활성층층 배치되는 제2 도전형 반도체층: 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전극적으로 연결되는 제2 전극;을 포함할 수 있다.-
公开(公告)号：WO2014058224A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/KR2013/009013
申请日：2013-10-08
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 질화갈륨 계열의 초격자층; 상기 질화갈륨 계열의 초격자층 상에 활성층; 상기 활성층) 상에 제2 도전형 질화갈륨계열층; 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층은 상기 활성층 상에 제1 농도의 제2 도전형 GaN층, 제2 농도의 제2 도전형 In x Al y Ga (1-x-y) N층(단, 0＜x＜1, 0＜y＜1) 및 제3 농도의 제2 도전형 Al z Ga (1-z) N층(단, 0＜z＜1)을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 示例性实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括：第一导电型半导体层; 在第一导电型半导体层上的氮化镓基超晶格层; 在氮化镓基超晶格层上的有源层; 在有源层上的第二导电型氮化镓基层; 以及在第二导电型氮化镓基层上的第二导电型半导体层。 第二导电型氮化镓基层可以在有源层上包括具有第一浓度的第二导电型GaN层，具有第二浓度的第二导电型In x Al y Ga（1-xy）N层（其中，0 以及具有第三浓度（其中，0
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公开(公告)号：WO2018143751A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：PCT/KR2018/001518
申请日：2018-02-05
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/62 , H05B33/12
Abstract: 실시 예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 결합층; 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고 상기 결합층 상에 배치되는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 연결되는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되는 제2 전극; 및 상기 결합층 및 상기 반도체 구조물을 덮는 절연층;을 포함하는 반도체 소자를 개시한다.
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公开(公告)号：WO2014065571A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/KR2013/009437
申请日：2013-10-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 질화갈륨 계열의 초격자층(124); 상기 질화갈륨 계열의 초격자층(124) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 질화갈륨계열층; 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층 상에 제2 도전형 반도체층(116);을 포함하며, 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층은, 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 Al x Ga (1-x) N/Al y Ga (1-y) N 초격자층(단, 0＜x＜1, 0＜y＜1)(128)을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据一个实施例的发光器件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的基于氮化镓的超晶格层（124）; 位于所述氮化镓基超晶格层（124）上的有源层（114）; 在所述有源层（114）上的第二导电氮化镓基层; 以及在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层（116），其中所述第二导电氮化镓基层可以包括第二导电Al x Ga（1-x）N / AlyGa（1-y）N超晶格 （114）上的层（这里为0
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公开(公告)号：WO2019182394A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：PCT/KR2019/003346
申请日：2019-03-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하며, 상기 제2 도전형 반도체층의 상면의 면적과 상기 활성층의 외측면의 면적의 면적 비는 1:0.0005 내지 1:0.01인 반도체 소자를 개시한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019059628A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/011032
申请日：2018-09-19
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시 예는 패널 기판; 및 상기 패널 기판 상에 배치되는 복수 개의 반도체 소자;를 포함하고, 상기 패널 기판은 제1 방향으로 배치된 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 복수 개의 반도체 소자는 상기 제1 영역에 배치되는 복수 개의 제1 반도체 소자, 및 상기 제2 영역에 배치되는 복수 개의 제2 반도체 소자를 포함하고, 상기 제1 영역의 가장자리에 배치된 제1 반도체 소자와 상기 제2 영역의 가장자리에 배치된 제2 반도체 소자의 파장 편차는 2nm 이내이고, 상기 제1 방향으로 상기 복수 개의 제1 반도체 소자의 파장 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 복수 개의 제2 반도체 소자의 파장 패턴과 동일한 표시 장치를 개시한다.
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公开(公告)号：WO2014046527A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008553
申请日：2013-09-24
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 질화갈륨 계열의 초격자층(124); 상기 질화갈륨 계열의 초격자층(124) 상에 활성층(114); 및 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 반도체층(116);을 포함하며, 상기 질화갈륨 계열의 초격자층(124)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)에서 상기 활성층(114) 방향으로 밴드갭 에너지 준위가 변할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的实施例包括发光器件，发光器件的制造方法，发光元件封装和照明系统。 根据本发明的一个实施例的发光元件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的氮化镓基的超晶格层（124）; 氮化镓基团的超晶格层（124）上的有源层（114）; 和在有源层（114）上的第二导电半导体层（116），其中氮化镓基团的超晶格层（124）可以具有在从第一导电半导体层（112）到第 有源层（114）。
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公开(公告)号：KR101916032B1
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：KR1020110081342
申请日：2011-08-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 대구가톨릭대학교산학협력단
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 양자우물과양자벽을포함하여상기제1 도전형반도체층상에형성된활성층; 및상기활성층상에제2 도전형반도체층;을포함하며, 상기활성층은 InGaN 양자벽(0
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公开(公告)号：KR1020130019275A
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020110081342
申请日：2011-08-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 대구가톨릭대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the performance of a light emitting device by using an energy band gap and calculating a polarization charge. CONSTITUTION: An active layer(114) includes a quantum well and a quantum wall. The active layer is formed on a first conductive type semiconductor layer(112). A second conductive semiconductor layer(116) is formed on the active layer. The plurality of quantum walls and quantum well are laminated on the active layer. The light emitting structure includes the active layer and the nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供发光器件，以通过使用能带隙和计算极化电荷来改善发光器件的性能。 构成：活性层（114）包括量子阱和量子壁。 有源层形成在第一导电类型半导体层（112）上。 在有源层上形成第二导电半导体层（116）。 多个量子阱和量子阱层叠在有源层上。 发光结构包括有源层和氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR1020130019276A
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020110081343
申请日：2011-08-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 대구가톨릭대학교산학협력단
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the spontaneous emission efficiency of a quantum well by efficiently reducing a spatial separation phenomenon of electrons and holes in an active layer. CONSTITUTION: An active layer(114) includes a quantum well(114w) and a quantum wall(114b). The quantum well and the quantum wall are formed between a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer. An energy band gap becomes parabolic from the edge to the center of the quantum well. The energy band gap gradually increases from the edge to the center of the quantum well.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，通过有效降低活性层中电子和空穴的空间分离现象来提高量子阱的自发发射效率。 构成：活性层（114）包括量子阱（114w）和量子壁（114b）。 量子阱和量子阱形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间。 能量带隙从量子阱的边缘到中心变成抛物线。 能带隙从量子阱的边缘逐渐增加到中心。
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