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1.发明专利
公开(公告)号：KR102224109B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020140088826A
申请日：2014-07-15
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/025 , F21Y2115/10
Abstract: 실시예에 따른 발광소자는 제 1 도전형 반도체층; 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 전자차단층; 상기 전자차단층 상에 제 2 도전형 반도체층; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 내에 카본이 도핑된 전류확산층; 을 포함하고, 상기 전류확산층의 두께는 0.5nm 내지 10nm 사이이고, 상기 카본 도핑 농도는 1.0 X 10
16 Atoms/cm
3 내지 1.0 X 10
18 Atoms/cm
3 사이인 것을 특징으로 한다.
실시예에 따른 발광소자는 ESD 수율이 높고, 신뢰성과 발광효율이 향상되는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR102239624B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020140135773A
申请日：2014-10-08
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시 예는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층, 및 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 전자 차단층을 포함하며, 상기 전자 차단층은 1회 이상 교대로 배치되는 제1층 및 제2층을 포함하며 상기 제1층은 인듐을 포함하는 질화물 반도체층이고, 상기 제2층은 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체층이고, 상기 제1층은 p형 도펀트가 도핑된다.
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公开(公告)号：WO2019125049A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/KR2018/016467
申请日：2018-12-21
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 반도체소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 심스 데이터에서 얻어진 In 이온 강도, Si 농도 및 C 농도를 이용하여 정의된 제1 내지 제4 지점을 포함한다. 활성층은 제1 지점과 제2 지점 사이의 제1 영역일 수 있다. 제3 지점과 제4 지점 사이의 제3 영역의 C 농도는 제4 지점으로부터 제2 방향을 따라 인접하는 제2 영역의 C 농도보다 높을 수 있다. 제2 영역의 Si 농도는 제3 영역의 Si 농도보다 높을 수 있다.
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公开(公告)号：WO2014065571A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/KR2013/009437
申请日：2013-10-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 질화갈륨 계열의 초격자층(124); 상기 질화갈륨 계열의 초격자층(124) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 질화갈륨계열층; 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층 상에 제2 도전형 반도체층(116);을 포함하며, 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층은, 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 Al x Ga (1-x) N/Al y Ga (1-y) N 초격자층(단, 0＜x＜1, 0＜y＜1)(128)을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据一个实施例的发光器件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的基于氮化镓的超晶格层（124）; 位于所述氮化镓基超晶格层（124）上的有源层（114）; 在所述有源层（114）上的第二导电氮化镓基层; 以及在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层（116），其中所述第二导电氮化镓基层可以包括第二导电Al x Ga（1-x）N / AlyGa（1-y）N超晶格 （114）上的层（这里为0
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公开(公告)号：WO2014058224A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/KR2013/009013
申请日：2013-10-08
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 질화갈륨 계열의 초격자층; 상기 질화갈륨 계열의 초격자층 상에 활성층; 상기 활성층) 상에 제2 도전형 질화갈륨계열층; 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 질화갈륨계열층은 상기 활성층 상에 제1 농도의 제2 도전형 GaN층, 제2 농도의 제2 도전형 In x Al y Ga (1-x-y) N층(단, 0＜x＜1, 0＜y＜1) 및 제3 농도의 제2 도전형 Al z Ga (1-z) N층(단, 0＜z＜1)을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 示例性实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括：第一导电型半导体层; 在第一导电型半导体层上的氮化镓基超晶格层; 在氮化镓基超晶格层上的有源层; 在有源层上的第二导电型氮化镓基层; 以及在第二导电型氮化镓基层上的第二导电型半导体层。 第二导电型氮化镓基层可以在有源层上包括具有第一浓度的第二导电型GaN层，具有第二浓度的第二导电型In x Al y Ga（1-xy）N层（其中，0 以及具有第三浓度（其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2018212416A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：PCT/KR2017/012345
申请日：2017-11-02
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 실시 예에 따른 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층;을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 활성층 사이에는 인듐(In) 함유량이 서로 상이한 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 제3 반도체층을 포함하고, 상기 제1 반도체층은 상기 활성층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체층 아래에 배치되고, 상기 제3 반도체층은 상기 제2 반도체층 아래에 배치되며, 상기 활성층에서 상기 제3 반도체층 방향으로 진행할수록 인듐 함유량이 적어지고, 상기 제3 반도체층의 인듐 함유량은 상기 활성층의 인듐 함유량의 5% 이상 내지 10% 이하일 수 있다.
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公开(公告)号：WO2016017884A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/KR2015/001518
申请日：2015-02-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 농도의 제1 도전형 제1 반도체층과, 제1 반도체층 상에 제2 농도의 제1 도전형 제2 반도체층과, 제2 반도체층 상에 피트를 포함하는 제3 반도체층과, 제3 반도체층 상에 활성층 및 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 实例涉及发光器件，发光器件的制造方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括：第一浓度的第一导电类型的第一半导体层; 在第一半导体层上具有第二浓度的第一导电类型的第二半导体层; 在所述第二半导体层上的第三半导体层，所述第三半导体层包括凹坑; 第三半导体层上的有源层; 以及在有源层上具有第二导电类型的半导体层。
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公开(公告)号：WO2014046527A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008553
申请日：2013-09-24
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 질화갈륨 계열의 초격자층(124); 상기 질화갈륨 계열의 초격자층(124) 상에 활성층(114); 및 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 반도체층(116);을 포함하며, 상기 질화갈륨 계열의 초격자층(124)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)에서 상기 활성층(114) 방향으로 밴드갭 에너지 준위가 변할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的实施例包括发光器件，发光器件的制造方法，发光元件封装和照明系统。 根据本发明的一个实施例的发光元件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的氮化镓基的超晶格层（124）; 氮化镓基团的超晶格层（124）上的有源层（114）; 和在有源层（114）上的第二导电半导体层（116），其中氮化镓基团的超晶格层（124）可以具有在从第一导电半导体层（112）到第 有源层（114）。
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公开(公告)号：KR101916032B1
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：KR1020110081342
申请日：2011-08-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 대구가톨릭대학교산학협력단
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 양자우물과양자벽을포함하여상기제1 도전형반도체층상에형성된활성층; 및상기활성층상에제2 도전형반도체층;을포함하며, 상기활성층은 InGaN 양자벽(0
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公开(公告)号：KR1020130019275A
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020110081342
申请日：2011-08-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 대구가톨릭대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the performance of a light emitting device by using an energy band gap and calculating a polarization charge. CONSTITUTION: An active layer(114) includes a quantum well and a quantum wall. The active layer is formed on a first conductive type semiconductor layer(112). A second conductive semiconductor layer(116) is formed on the active layer. The plurality of quantum walls and quantum well are laminated on the active layer. The light emitting structure includes the active layer and the nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供发光器件，以通过使用能带隙和计算极化电荷来改善发光器件的性能。 构成：活性层（114）包括量子阱和量子壁。 有源层形成在第一导电类型半导体层（112）上。 在有源层上形成第二导电半导体层（116）。 多个量子阱和量子阱层叠在有源层上。 发光结构包括有源层和氮化物半导体层。
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