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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102239885B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020190037101A
申请日：2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/12 , H01L33/04
CPC classification number: H01L21/28568 , H01L21/02365 , H01L21/02581 , H01L29/122 , H01L33/04
Abstract: 본 발명의 실시예들은 헤테로 구조의 적층 박막, 그 제조 방법 및 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막은, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020200133428A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058576
申请日：2019-05-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/687
Abstract: 본발명은화학기상증착시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 화학기상증착시스템은피처리체가수용되는반응공간을제공하는반응챔버및 상기반응챔버내에서상기피처리체의위치를제어하는샘플홀더를포함하는화학기상증착장치; 및상기화학기상증착장치를고정및 지지하며, 상기반응챔버가지면에수직한제 1 방향또는상기지면과수평한제 2 방향에정렬되도록상기화학기상증착장치를회전시키는장치용거치대를포함하며, 상기샘플홀더는제 1 단부와제 2 단부를포함하며, 상기샘플홀더의제 1 단부는상기반응챔버의일단부에고정되며, 상기샘플홀더의상기제 2 단부는상기제 1 방향과상기제 2 방향에서상기반응챔버내부로공급될기체의흐름방향과평행하도록상기피처리체를고정시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR102239885B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020190037101
申请日：2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/12 , H01L33/04
Abstract: 본발명의실시예들은헤테로구조의적층박막, 그제조방법및 반도체소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른이종의물질이적층된헤테로구조를갖는적층박막은, 제 1 전이금속원소와제1 칼코젠(chalcogen) 원소의화합물을포함하는단일층(monolayer)의제 1 전이금속디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및상기제 1 전이금속디칼코제나이드층 상에배치되고, 상기제 1 전이금속원소의산화물을포함하는제 1 산화물층을포함하는헤테로구조를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR102198340B1
公开(公告)日：2021-01-04
申请号：KR1020190058576
申请日：2019-05-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/687
Abstract: 본발명은화학기상증착시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 화학기상증착시스템은피처리체가수용되는반응공간을제공하는반응챔버및 상기반응챔버내에서상기피처리체의위치를제어하는샘플홀더를포함하는화학기상증착장치; 및상기화학기상증착장치를고정및 지지하며, 상기반응챔버가지면에수직한제 1 방향또는상기지면과수평한제 2 방향에정렬되도록상기화학기상증착장치를회전시키는장치용거치대를포함하며, 상기샘플홀더는제 1 단부와제 2 단부를포함하며, 상기샘플홀더의제 1 단부는상기반응챔버의일단부에고정되며, 상기샘플홀더의상기제 2 단부는상기제 1 방향과상기제 2 방향에서상기반응챔버내부로공급될기체의흐름방향과평행하도록상기피처리체를고정시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101682307B1
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020150097543
申请日：2015-07-09
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , C08J5/22 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02568 , C23C14/046 , C23C14/22 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02614
Abstract: 본발명에따라서전이금속칼코제나이드박막을형성하는방법이제공된다. 상기방법은전이금속박막이형성된제1 기판을준비하는단계와; 제2 기판을상기제1 기판과대향한채 연결부재를이용하여상기제1 기판과연결하는단계로서, 상기제1 기판과제2 기판사이에기체가흐르는통로가형성되는것인, 상기연결단계와; 상기제1 및제2 기판이배치된반응로의온도를반응온도로가열하는가열단계와; 상기반응로의일측으로부터황 함유가스를흘려주어상기통로를통해흐르게하는단계를포함하고, 상기가열단계중에상기전이금속박막의일부가증발하여전이금속가스가제2 기판을향해상승하고, 이전이금속가스가상기황 함유가스와반응하여상기제2 기판의표면에전이금속칼코제나이드박막을형성하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 提供一种形成过渡金属硫族化物薄膜的方法，该方法包括制备其上形成含过渡金属的前体薄膜的第一衬底; 在第二基板面对第一基板的同时，通过使用桥接单元，以与第一基板恒定的距离分开第二基板，从而确保在第一基板和第二基板之间的气体流动路径; 将第一和第二衬底加热至反应温度; 并从反应器的端部引入含硫属原子气体，使含硫属原子气体经由该路径流动。
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