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公开(公告)号：KR102239885B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020190037101A
申请日：2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/12 , H01L33/04
CPC classification number: H01L21/28568 , H01L21/02365 , H01L21/02581 , H01L29/122 , H01L33/04
Abstract: 본 발명의 실시예들은 헤테로 구조의 적층 박막, 그 제조 방법 및 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막은, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102198343B1
公开(公告)日：2021-01-04
申请号：KR1020190064687
申请日：2019-05-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은전계제어발광소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 전계제어발광소자는채널영역을제공하는활성층; 상기활성층의제 1 단부상에중첩되는제 1 영역및 상기제 1 영역으로부터상기활성층의외부를향하여연장된확장부를갖는제 1 그래핀층; 및상기제 1 그래핀층의확장부에결합하는제 1 금속전극을포함하는제 1 소오스/드레인전극; 상기활성층의제 2 단부상에중첩되는제 2 영역및 상기제 2 영역으로부터상기활성층의외부를향하여연장된확장부를갖는제 2 그래핀층; 및상기제 2 그래핀층의확장부에결합하는제 2 금속전극을포함하는제 2 소오스/드레인전극; 상기활성층의상기제 1 단부와상기제 2 단부의사이의상기채널영역상에형성되는제 1 유전층 및상기제 1 유전층 상의메인게이트전극; 상기제 1 그래핀층의상기제 1 영역상에제 2 유전층 및상기제 2 유전층 상에배치되는제 1 제어게이트전극; 및상기제 2 그래핀의상기제 2 영역상에제 3 유전층 및상기제 3 유전층 상에배치되는제 2 제어게이트전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020200133428A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058576
申请日：2019-05-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/687
Abstract: 본발명은화학기상증착시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 화학기상증착시스템은피처리체가수용되는반응공간을제공하는반응챔버및 상기반응챔버내에서상기피처리체의위치를제어하는샘플홀더를포함하는화학기상증착장치; 및상기화학기상증착장치를고정및 지지하며, 상기반응챔버가지면에수직한제 1 방향또는상기지면과수평한제 2 방향에정렬되도록상기화학기상증착장치를회전시키는장치용거치대를포함하며, 상기샘플홀더는제 1 단부와제 2 단부를포함하며, 상기샘플홀더의제 1 단부는상기반응챔버의일단부에고정되며, 상기샘플홀더의상기제 2 단부는상기제 1 방향과상기제 2 방향에서상기반응챔버내부로공급될기체의흐름방향과평행하도록상기피처리체를고정시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR102058293B1
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：KR1020180087732
申请日：2018-07-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101928205B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020170091949
申请日：2017-07-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 그래핀 근접 센서, 이의 구동 방법 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 근접 센서는, 대전 특성을 가지며, 근접하는 외부 객체의 하전 특성에 응답하여 정전기를 발생시키는 대전 주면을 갖는 제 1 탄성 폴리머 층; 상기 제 1 탄성 폴리머 층의 상기 대전 주면에 반대되는 내부 주면 상에 접촉되며 상기 발생된 정전기에 의한 전하 밀도의 변화에 의해 저항값이 변하는 그래핀 층; 및 상기 그래핀 층의 상기 저항값의 변화를 감지하는 전류 또는 전압 측정 부재를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170007135A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020160084615
申请日：2016-07-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명에따라서, 그래핀의결정립계관찰방법이제공된다. 상기방법은금속기재상에그래핀을형성하는단계와; 상기금속기재상의그래핀에대하여산소플라즈마처리를수행함으로써, 그래핀의결정립계를손상시키는단계와; 상기금속기재상의그래핀에대하여가열처리를수행하여, 공기중의산소와상기손상된결정립계를통해서금속기재가반응하도록하여, 금속기재를산화시킴으로써, 상기그래핀의결정립계를노출시키는단계와, 상기노출된그래핀의결정립계를광학현미경으로관찰하는단계를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102239885B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020190037101
申请日：2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/12 , H01L33/04
Abstract: 본발명의실시예들은헤테로구조의적층박막, 그제조방법및 반도체소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른이종의물질이적층된헤테로구조를갖는적층박막은, 제 1 전이금속원소와제1 칼코젠(chalcogen) 원소의화합물을포함하는단일층(monolayer)의제 1 전이금속디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및상기제 1 전이금속디칼코제나이드층 상에배치되고, 상기제 1 전이금속원소의산화물을포함하는제 1 산화물층을포함하는헤테로구조를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR102202847B1
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：KR1020190058690
申请日：2019-05-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본발명은성장기판의화학적표면처리에의한그래핀층의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른그래핀층의제조방법은그래핀의핵생성자리(nucleation site)를제공하는표면을갖는금속기판을준비하는단계; 상기금속기판의상기표면에유기용매, 산성용액또는이의혼합용액을포함하는처리용액을제공하여상기표면의거칠기제어및 이물질제거중 적어도어느하나의처리를통해상기핵생성자리를개질시키는단계; 상기금속기판의상기표면상에화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)에의해그래핀층을형성시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020200133469A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058690
申请日：2019-05-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본발명은성장기판의화학적표면처리에의한그래핀층의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른그래핀층의제조방법은그래핀의핵생성자리(nucleation site)를제공하는표면을갖는금속기판을준비하는단계; 상기금속기판의상기표면에유기용매, 산성용액또는이의혼합용액을포함하는처리용액을제공하여상기표면의거칠기제어및 이물질제거중 적어도어느하나의처리를통해상기핵생성자리를개질시키는단계; 상기금속기판의상기표면상에화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)에의해그래핀층을형성시키는단계를포함한다.
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