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公开(公告)号：KR1020120110796A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110028908
申请日：2011-03-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C09D11/037 , B82B1/00 , B01J8/00
CPC classification number: H05K1/097 , C09D11/52 , H05K3/1258 , H05K2201/026 , H05K2201/0266
Abstract: PURPOSE: A nano-wire ink solution and a manufacturing method thereof are provided to control movement of the nano-wire by controlling fluid flow of the nano-wires. CONSTITUTION: A nano-wire ink solution comprises nano-wires in which diameter distribution shows two or more normal distributions. The nano-wire ink solution comprises a first nano-wire population and a second nano-wire population. The second nano-wire population shows bigger average diameter than the average diameter of the first nano wire population. The first nano-wire population has smaller volume% than volume % of the first nano-wire population. A manufacturing method of the nano-wire ink solution comprises the following steps: preparing nano-wires in which the diameter distribution shows two or more normal distributions; and dispersing the nano-wires. The first step comprises the following steps: preparing 1-15 volume% of the first nano-wire population having average diameter of 100-300 nano meters; and preparing the second nano-wire population having the average diameter of 400-700 nano meters. [Reference numerals] (AA) Number of nano-lines; (BB) Diameter(nm)
Abstract translation: 目的：提供纳米线油墨溶液及其制造方法，以通过控制纳米线的流体流动来控制纳米线的移动。 构成：纳米线油墨溶液包括其中直径分布显示两个或多个正态分布的纳米线。 纳米线油墨溶液包括第一纳米线群和第二纳米线群。 第二纳米线群显示出比第一纳米线群的平均直径更大的平均直径。 第一纳米线群体的体积百分数比第一纳米线体积的体积％小。 纳米线油墨溶液的制造方法包括以下步骤：制备直径分布显示两个或更多个正态分布的纳米线; 并分散纳米线。 第一步包括以下步骤：制备1-15体积％的平均直径为100-300纳米的第一纳米线群; 并制备平均直径为400-700纳米的第二纳米线群。 （参考号）（AA）纳米线数; （BB）直径（nm）
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公开(公告)号：KR1020130012642A
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：KR1020110073898
申请日：2011-07-26
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: C01B32/182 , C01P2006/22 , C23C16/26 , H01B1/04
Abstract: PURPOSE: A graphene composition, a graphene source, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method a graphene film using the same are provided to prevent the graphene aggregation in a graphene solution, and to be able to manufacture the graphene film having high smoothness by a simple process. CONSTITUTION: A graphene composition comprises a polymer material, a first solvent, and a second solvent having a lower surface tension and a higher boiling point than the first solvent. The polymer material is a conductive polymer material. The first solvent is at least any one among deionized water, methanol, dimethylformamide, ethylene glycol, and acetone. A manufacturing method of a graphene source comprises a step of injecting the polymer material in a graphene sheet dispersion solution(S100), and a step of adding a secondary solvent having a lower surface tension and a higher boiling point than the main solvent contained the said solution(S300). The polymer material is at least any one among polypyrrole, polyaniline, polythiophene, and PEDOT:PSSs (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)), which are conducting polymer materials. [Reference numerals] (S100) Introducing a conductive polymer material into a graphene solution; (S200) Filtering the conductive polymer material using filtering paper; (S300) Introducing a poor solvent
Abstract translation: 目的：提供石墨烯组合物，石墨烯源，其制造方法和使用其的石墨烯膜的制造方法，以防止石墨烯溶液中的石墨烯聚集，并且能够通过以下方式制造具有高平滑度的石墨烯膜： 一个简单的过程。 构成：石墨烯组合物包含聚合物材料，第一溶剂和具有比第一溶剂更低的表面张力和较高沸点的第二溶剂。 聚合物材料是导电聚合物材料。 第一溶剂是去离子水，甲醇，二甲基甲酰胺，乙二醇和丙酮中的至少任一种。 石墨烯源的制造方法包括将聚合物材料注入石墨烯片分散溶液中的步骤（S100），并且添加具有低于包含所述第一溶剂的主溶剂的低表面张力和沸点的第二溶剂的步骤 溶液（S300）。 聚合物材料是导电聚合物材料中的聚吡咯，聚苯胺，聚噻吩和PEDOT：PSS（聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）聚（苯乙烯磺酸盐））中的至少任一种。 （附图标记）（S100）将导电性聚合物材料引入石墨烯溶液中; （S200）使用过滤纸过滤导电性聚合物材料; （S300）引入不良溶剂
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公开(公告)号：KR1020120010465A
公开(公告)日：2012-02-03
申请号：KR1020100072023
申请日：2010-07-26
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82B3/0066 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A method for aligning nano-wires is provided to effectively align the nano-wires based on hydrophilicity, hydrophobicity, and photo-sensitive patterns. CONSTITUTION: A method for aligning nano-wires includes the following: a photoresist pattern(620) with a hole structure is formed on the upper side of a substrate(610); a nano-wire aqueous solution is supplied to the hole structure; nano-wires(630) is aligned by evaporating the nano-wire aqueous solution; and the photo-sensitive patterns are eliminated. A material for the photo-sensitive is SU-8. The hydrophilicity and the hydrophobicity of the photo-sensitive patterns and the nano-wires are adjusted on the surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于对准纳米线的方法，以有效地对齐基于亲水性，疏水性和光敏图案的纳米线。 构成：用于对准纳米线的方法包括以下：在衬底（610）的上侧形成具有孔结构的光致抗蚀剂图案（620）; 将纳米线水溶液供应到孔结构; 通过蒸发纳米线水溶液对纳米线（630）进行排列; 并且消除了光敏图案。 感光材料是SU-8。 在基板的表面上调整光敏图案和纳米线的亲水性和疏水性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101043097B1
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：KR1020090085024
申请日：2009-09-09
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 단결정 실리콘 박막의 제조 방법은, 벌크 기판 상에 실리콘 산화막과 단결정 실리콘 박막이 순차 적층된 SOI 기판을 마련하는 단계; 상기 단결정 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하는 단계; 및 상기 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가한 상태에서 상기 단결정 실리콘 박막에 빛을 조사하여, 상기 단결정 실리콘 박막을 남겨놓은 상태에서 상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
단결정 실리콘, 플렉시블 기판-
公开(公告)号：KR101252734B1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：KR1020100072023
申请日：2010-07-26
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 나노선 정렬 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노선 정렬 방법은 기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 홀 구조에 나노선 수용액을 공급하는 단계, 공급한 나노선 수용액을 증발시켜, 기판 상부에 나노선을 정렬시키는 단계 및 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 따라서, 친수성 및 소수성의 성질을 이용하여 나노선을 정렬하므로 보다 효과적으로 나노선을 정렬할 수 있으며, 포토레지스트 패턴을 이용하여 단차를 형성하므로 한층 더 효과적으로 나노선을 정렬할 수 있다. 또한, 간단하게 포토레지스트 패턴을 연소하여 제거할 수 있으므로 비용의 부담을 줄이며 대량 생산을 할 수 있다. 결국, 효율적인 방법으로 기판 상의 원하는 위치에 잘 정렬된 나노선을 획득할 수 있다. 특히, 상기와 같이 기판 상의 원하는 위치에 정렬된 나노선을 이용하여, 화학 및 바이오 센서, 고성능의 트랜지스터 및 발광 다이오드 등의 다양한 소자에 적용할 수 있으므로, 전자/전기 소자의 소형화를 이룩할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101308135B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020110028908
申请日：2011-03-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C09D11/037 , B82B1/00 , B01J8/00
CPC classification number: H05K1/097 , C09D11/52 , H05K3/1258 , H05K2201/026 , H05K2201/0266
Abstract: 나노선 잉크 용액을 이용한 나노선 및 나노선 소자 제조 방법이 제공된다. 나노선 잉크 용액은 2 이상의 크기를 갖는 나노선들을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110027090A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090085024
申请日：2009-09-09
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a single crystal silicon thin film using light irradiation is provided to easily transfer the single crystal silicon thin film to another substrate like a flexible substrate by removing an intermediate oxide layer of an SOI substrate with etchant and light irradiation. CONSTITUTION: An SOI substrate(104) laminated with a silicon oxide layer(102) and a single crystal silicon thin film(103) is prepared on a bulk substrate(101). An etchant or the steam of the etchant is applied to the single crystal silicon thin film. A micro lens array(50) is arranged on the single crystal silicon thin film. Light is irradiated to the single crystal silicon thin film. The silicon oxide layer is removed when the single crystal silicon thin film remains.
Abstract translation: 目的：提供使用光照射制造单晶硅薄膜的方法，通过用蚀刻剂和光照射除去SOI衬底的中间氧化物层，容易地将单晶硅薄膜转移到像柔性衬底的另一衬底上。 构成：在体基板（101）上制备层压有氧化硅层（102）和单晶硅薄膜（103）的SOI衬底（104）。 将蚀刻剂或蚀刻剂的蒸汽施加到单晶硅薄膜。 微透镜阵列（50）布置在单晶硅薄膜上。 光照射到单晶硅薄膜。 当剩余单晶硅薄膜时，去除氧化硅层。
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